引進(jìn)部分滅磁裝置質(zhì)量隱患問題(已修改)
2025-05-29 12:39 本頁面
【正文】 對 引進(jìn) 部分 滅磁裝置質(zhì)量 隱患問題 查處 探討 陳福山 1潘傳理 2 , 吉林省長春市 ,130021 , 安徽省合肥市 ,230088 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! 2021年 10月 23日 2 二、對部分引進(jìn)磁場斷路器結(jié)構(gòu)和斷流弧壓存在質(zhì)量隱患查處探討 二灘磁場斷路器和 SiC滅磁電阻的缺陷隱患 三、 SiC滅磁電阻存在的缺陷隱患查處探討 瑞士 S?cheron HPB型直流斷路器的缺陷隱患 法國 AMFCCNOR2021A型常閉觸頭間距太小 提綱 引進(jìn) SiC存在混入個(gè)別質(zhì)量差片子的原因 對 SiC質(zhì)量隱患查處措施的建議 對 SiC質(zhì)量隱患 4次試驗(yàn)和 4次亊故調(diào)查 一、引言 (我國標(biāo)準(zhǔn)與外國標(biāo)準(zhǔn)有相同處和不同處 ) 四、參考文獻(xiàn) 一、引言 (我國標(biāo)準(zhǔn)與外國標(biāo)準(zhǔn)不同 )1/4 (1) 2021年 10月 26日 國家電網(wǎng)公司發(fā)電廠重大反事故措施 (試行 )[1]（以下簡稱“反措”） 發(fā)布執(zhí)行 , 其中規(guī)定 :“安全第一、預(yù)防為主、綜合治理” 工作方針。在“反措”第 15條防止勵(lì)磁系統(tǒng)事故 中第 款規(guī)定：“勵(lì)磁系統(tǒng)的滅磁能力應(yīng)達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)要求， 且滅磁裝置應(yīng)具備獨(dú)立于調(diào)節(jié)器的滅磁能力。滅磁開關(guān)的弧壓應(yīng)滿足誤強(qiáng)勵(lì)滅磁的要求。” 2021年 11月 1日國家能源局發(fā)布實(shí)施 DL/T 磁場斷路器 [2]規(guī)定 : “磁場斷路器最大弧壓應(yīng)大于滅磁電阻兩瑞最大電壓與晶閘管整 流橋輸出最大電壓之和 。即 Ukmax 〉 Ummax +Uzmax” DL/T 非線性電阻 [3]規(guī)定 : “對標(biāo)稱能容量的檢驗(yàn)要求任選樣品 10片，在型式試驗(yàn)和出廠試 驗(yàn)都要做。 ” “對非線性滅磁電阻組件滅磁能容量檢驗(yàn)要求在出廠試驗(yàn)中做?！? “氧化鋅非線性電阻串并聯(lián)后均能系數(shù)不得小于 90%。碳化硅非 線性電阻串并聯(lián)后均能系數(shù)不得小于 80%?！? 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! 一、引言 (我國標(biāo)準(zhǔn)與外國標(biāo)準(zhǔn)不同 )2/4 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! “最嚴(yán)重滅磁工況下，需要非線性電阻承受耗能容量應(yīng)不超過其標(biāo) 稱能容量的 80%，同時(shí)，當(dāng)裝置內(nèi) 20%的組件退出運(yùn)行吋，應(yīng)滿足最嚴(yán)重滅磁工況下的要求，并允許連續(xù) 2次滅磁。在以上工況下，滅磁電阻的最大溫升不大于 120K?！? “氧化鋅非線性電阻串并聯(lián)后均能系數(shù)不得小于 90%。碳化硅非線 性電阻串并聯(lián)后均能系數(shù)不得小于 80%。 ” (2)ANSI/IEEE C3718 ANSI/IEEE (R2021)《 用于旋轉(zhuǎn) 電機(jī)的封閉式磁場放電放電斷路器 》 是國際公認(rèn)的磁場斷路器標(biāo)準(zhǔn)。 其中規(guī)定 : “磁場斷路器最大弧壓應(yīng)大于滅磁電阻兩端最大電壓 與晶閘管整流橋輸出最大電壓之和 ” 國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)基本一致 。不同處 是 :對最嚴(yán)重事故滅磁條件不同 。C3718規(guī)定是“發(fā)電機(jī)定子機(jī)端三 相突然短路滅磁 ”。 我囸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定是“發(fā)電機(jī)誤強(qiáng)勵(lì)滅磁 ” 。 在“ C3718 應(yīng)用指南”節(jié)中對滅磁電阻線性電阻值和磁場斷路器的 選擇采用 5個(gè)公式 ,很全面 ,詳見 [4] 。 一、引言 (我國標(biāo)準(zhǔn)與外國標(biāo)準(zhǔn)不同 )3/4 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! (3) 英國 Mamp。I公司對 SiC片生產(chǎn)組件選片和工程設(shè)計(jì)、運(yùn)控標(biāo)準(zhǔn) :[6] “對每個(gè)選用的 SiC片子加注 250A電流，測量閥片電壓 U250A，保證 選用 并聯(lián)每片 SiC上述電壓值 U250A盡量相同，相差不超過 5%。 ” “ 以元件的溫升作為確定元件容量的標(biāo)準(zhǔn)。如果重復(fù)進(jìn)行滅磁，組件允許的最大溫升為 80K；非重復(fù)滅磁狀態(tài)組件溫升可允許 到 110K。 建議元件最大工作溫升不超過 130℃ 。元件的最大溫度極限不應(yīng)超過160℃ （組件如到 160℃ ，就應(yīng)作絕緣 5000V的耐壓檢驗(yàn) )。 SiC破壞溫度為 250℃ 。 SiC片邊緣擊穿電壓為 250V/mm。為了提高運(yùn)行安全可靠性 ,在選擇滅磁電阻容量時(shí) ,建議元件最大工作溫不超過 130℃ 。 ” (我囯標(biāo)準(zhǔn)為 120℃ ) 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! (4) ABB 2021年 2月 簽署提供 1993年 2月對 600A/US16/P/SiC組件所作的型式試驗(yàn)報(bào)告 [6] 見下述筆者所作 表 1 .ABB600A/US16/P型 SiC組件型式試驗(yàn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表 試驗(yàn)序號 直流電流 組 件電壓 通流時(shí)間 注入能量 試前溫度 試后溫度 試驗(yàn)溫升 (1) 十次
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