緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)(已修改)
2025-05-29 04:23 本頁面
【正文】 緩變基區(qū)晶體管： 基區(qū)摻雜近似為指數(shù)分布，少子在基 區(qū)主要作漂移運動，又稱為 漂移晶體管 緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù) 本節(jié)以 NPN 管為例，結電壓為 VBE 與 VBC 。 P N+ N 0 xjc xje NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 本節(jié)求基區(qū)輸運系數(shù) 的思路 BbnEQJ? ? 進而求出基區(qū)渡越時間 bB1 ?? ?? ?? 將 E 代入少子電流密度方程，求出 JnE 、 nB (x) 與 QB 令基區(qū)多子電流密度為零，解出基區(qū)內建電場 E 最后求出 ?? bB1 ?? ?? ?? 基區(qū)雜質分布的不均勻會在基區(qū)中產生一個內建電場 E ，使少子在基區(qū)內以漂移運動為主， 所以 緩變基區(qū)晶體管又 稱為漂移晶體管。 基區(qū)內建電場的形成 NB(x) NB(WB) NB(0) WB 0 x 在實際的緩變基區(qū)晶體管中， 的值為 4 ~ 8 。 設基區(qū)雜質濃度分布為 式中 是表征基區(qū)內雜質變化程度的一個參數(shù)， 當 時為均勻基區(qū)； ???????? ??BBB e x p)0()( WxNxN ?)()0(lnBBBWNN??? ???? ex p)0()( BBB NWN?0??? 因為 ， ，所以內建電場對渡越基區(qū)的電子起加速作用，是 加速場 。 令基區(qū)多子電流為零， Bp p p Bd ( ) ( ) 0dpxJ q D q p x Ex ?? ? ? ?解得 內建電場 為 0E?Bd 0dNx ?p BpBd ( )1( ) dD pxEp x x?? ? ? 小注入時，基區(qū)中總的多子濃度即為平衡多子濃度， )()()( BBOB xNxpxp ??nBnBd ( )1( ) dD N xN x x?? ? ? 將基區(qū)內建電場 E 代入電子電流密度方程，可得注入基區(qū)的少子形成的電流密度（其參考方向為從右向左）為 基區(qū)少子電流密度與基區(qū)少子濃度分布 B B B Bn E n n B n nBd d dd d dn n n NJ q D q n E q D q Dx x N x?? ? ? ? ? ? ?? ?BBn E B
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