czt的定向切割與研拋(已修改)
2025-05-27 21:19 本頁(yè)面
【正文】 LOGO 碲鋅鎘晶體的定向切割與 研拋 Company Logo 目錄 研究現(xiàn)狀和研究意義 1 碲鋅鎘晶體的定向 2 碲鋅鎘晶體的切割 3 碲鋅鎘晶體的磨拋工藝 4 Company Logo 碲鋅鎘的晶體結(jié)構(gòu) Cd1xZnxTe晶體屬于立方晶系，面心立方點(diǎn)陣， 43m點(diǎn)群， F空間群。對(duì)稱元素有三個(gè)四次反演軸，四個(gè)三次軸和六個(gè)對(duì)稱面。 Company Logo 外延襯底材料 如： MCT探測(cè)器的外延襯底 CZT的用途 探測(cè)器材料 如： X射線、γ 射線探測(cè)器 Company Logo CZT的用途 Company Logo 晶錠到晶片 定向 切割 研拋 Company Logo CZT晶片的加工現(xiàn)狀 20世紀(jì) 60年代以前，半導(dǎo)體晶片拋光大都采用機(jī)械拋光，通過(guò)機(jī)械運(yùn)動(dòng)用磨料磨除晶片的凸起部分，可得到鏡面表面，但表面損傷極其嚴(yán)重。 1965年 walsh提出二氧化硅溶膠和凝膠拋光后，以 SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上傳統(tǒng)方法?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的成熟工藝，是已知的唯一能使平坦化后具有低斜率的整體平坦化技術(shù)。 自八十年代以來(lái)，國(guó)外科技工作者相繼開(kāi)始對(duì) CZT進(jìn)行研究，但由于 CZT材料主要用于軍事行業(yè)，所以國(guó)內(nèi)外對(duì)CZT材料的加工很少報(bào)道，即使有報(bào)道也是鳳毛麟角。 Company Logo CZT作為探測(cè)器的機(jī)械加工標(biāo)準(zhǔn) 《 紅外探測(cè)器用碲鋅鎘單晶材料規(guī)范 》GJB2652A一 2021中規(guī)定： 機(jī)械加工時(shí)的粗糙度為 ，晶面為（ 111）、（ 211）面，組成 X值為 . 但是，如果
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