全面esd培訓(xùn)資料-文庫吧
2025-07-08 10:05 本頁面
【正文】 劣化，失去原有功能。 ? 軟損傷（隱性損害）：受到軟損傷的器件，雖然當(dāng)時(shí)各類電參數(shù)仍合格，然而其使用壽命卻大大縮短了 ? ESD失效：熱熔化、介質(zhì)擊穿、 ESD引發(fā) EOS ESD基本知識(shí) ? 靜電放電三要素 Q＋ M ＋ D=ESD “Q”：一定積累的靜電荷 “ M”：放電途徑，如金屬接觸、對(duì)地或低阻的泄放路徑 “Ｄ”：靜電第三器件 “ＥＳＤ”就是放電（ＺＡＰ） 放電途徑 靜電荷Ｑ ESD敏感器件 ESD基本知識(shí) ? 電子產(chǎn)品失效情況 根據(jù) RAC的統(tǒng)計(jì) ,在所有硬件故障中 ,ESD失效率占 15%,而高靜電敏感的器件 EOS/ESD失效率高達(dá) 60%左右 . ESD引起半導(dǎo)體器件操作，使器件立即失效的機(jī)率約10%(短路、開路、無功能、參數(shù)不符合要求），而 90%的器件則是引入潛在性損傷 ,損傷后電參數(shù)仍符合規(guī)定要求，但減弱了器件抗過電應(yīng)力的能力，在使用現(xiàn)場(chǎng)容易出現(xiàn)早期失效． ESD基本知識(shí) ? 器件的 ESD失效特征 靜電損傷是一種偶然事件，一般講是與時(shí)間無關(guān)的，所以不能通過老化 篩選方法 加以剔除，相反，在老化過程中，由于器件接地不良，老化設(shè)備不適當(dāng)?shù)倪B接等，反而會(huì)提高ＥＳＤ失效的百分比。 ESD基本知識(shí) ESD靜電培訓(xùn)課程 ? 一、 ESD基本知識(shí) ? 二、 ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 三、 ESD控制 ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 器件 ESD敏感因素 ESD對(duì)半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品都存在嚴(yán)重危害 ,ESD對(duì)電子產(chǎn)品和器件的可靠性影響的主要因素有 :電場(chǎng)強(qiáng)度、放電電流、電磁干擾 。 影響器件 ESD敏感程度的因素包括 ：器件設(shè)計(jì)（結(jié)構(gòu)和工藝）、ESD電流、能量包裹、電場(chǎng)強(qiáng)度、放電的上升時(shí)間、制造工藝和器件的封閉類型等。 能量型敏感器件 的損傷是由于流過雙極型結(jié)構(gòu)電阻、保護(hù)電阻、薄膜電阻、金屬連線等的過電流引起。 —— 即電流過大燒壞 電壓敏感性器件 的損傷是由于 ESD電壓超過了器件內(nèi)部氧化層、MOS管的柵極搶救無效的擊穿電壓引起。 —— 即擊穿 ? 器件 ESD敏感度測(cè)試分析標(biāo)準(zhǔn) ESD模型 ESD標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)試方法 HBM JESD 22A114B： 2020 MILSTD883 Method 3015 MILSTD750 Method 1020 MILPRF19500 MILPRF38535 MM JESD 22A115A:1997 CDM JESD 22C101A:2020 ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 人體模式 (HBM: Human Body Model) 該模型表征人體帶電接觸器件放電 ,ESD JEDEC EIA/JESD22A114B的器件 ESD電壓閾值水平 Class 0 : 250V Class 1A: 250V to 500V Class 1B: 500V to 1000V Class 1C: 1000V to 2020V Class 2 : 2020V to 4000V Class 3A: 4000V to 8000V Class 3B: ≥8000V ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 人體模型（ HBM） 靜電損傷最普遍的原因之一是通過人體或帶電材料，到靜電放電敏感器件（ ESSD）發(fā)生靜電電荷的直接轉(zhuǎn)移。當(dāng)人走過樓面時(shí)，靜電電荷就在人體上積累。手指與 ESSD器件或組件表面的簡單接觸就可使人體放電，可能造成器件損壞。用以模擬這類事件的模型就叫人體模型（ HBM）， 其等效
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