產(chǎn)品知識(shí)培訓(xùn)-文庫(kù)吧
2025-02-20 14:43 本頁(yè)面
【正文】 良率。 二、給出足夠時(shí)間檢驗(yàn)，以保證對(duì)來(lái)料實(shí)施有效檢測(cè)。采購(gòu)及生產(chǎn)周期中要包含檢驗(yàn)時(shí)間， 包括來(lái)料檢驗(yàn)及成品檢驗(yàn)等檢驗(yàn)時(shí)間。 三、IQC 檢測(cè)依據(jù)是圖紙等技術(shù)文件，口頭傳遞及腦力記憶各種質(zhì)量要求已不能滿足現(xiàn) 有檢測(cè)準(zhǔn)確性的要求，IQC以文件明確技術(shù)要求為準(zhǔn)展開(kāi)工作請(qǐng)給予支持，技術(shù)文件特 性要求要明確，修正及時(shí)。 四、資源提供： 提供必要的檢測(cè)儀器使監(jiān)測(cè)有效可靠。,二. 生產(chǎn)過(guò)程質(zhì)量控制,PV生產(chǎn)過(guò)程 質(zhì)量控制,1.1 組件車(chē)間制程斷片不良統(tǒng)計(jì),1.2 斷片不良趨勢(shì)及分析,L063 制程不良率 3%,09年制程斷片不良率目標(biāo)是≤5000PPM，實(shí)際為6008PPM，沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)值,比08年 6246ppm略有減低。其中6月份的斷片率最高，原因是L063生產(chǎn)，片子小”作業(yè)中拿捏 難以把握力度”“柵線過(guò)窄焊接困難” 造成制程斷片率高，該型號(hào)產(chǎn)品不良率3.43%，7月 份開(kāi)始將銅絲改為銅帶，不良減低到2% 。,1.3 200W 斷片率統(tǒng)計(jì),200W產(chǎn)品斷片率的目標(biāo)是≤3000ppm，實(shí)際統(tǒng)計(jì)為1871ppm，比08年（5309ppm)降 低幅度大。09年生產(chǎn)使用的200W電池片和08年有差別，初期電池片容易過(guò)焊，特別是兩端容 易過(guò)焊，后來(lái)經(jīng)工程、生產(chǎn)人員一起研究發(fā)現(xiàn)電池片兩端的柵線過(guò)窄，嘗試跳過(guò)兩端焊接后過(guò)焊 明顯降低，工程改善成為不良減低的有效途徑。,1.4 SM車(chē)間制程斷片不良統(tǒng)計(jì),.,09年SM制程斷片不良率目標(biāo)≤ 5000ppm實(shí)績(jī)?yōu)?5，595ppm略超出目標(biāo)值,比08年 （6078ppm）降低。斷片率較高主要是在11兩月，10月主要因?yàn)榇罅啃聠T工的入職,生產(chǎn) 培訓(xùn)不夠，作業(yè)不當(dāng)造成斷片率高；11月斷片數(shù)量較多的硅片.主要有L029(H248 )工藝更改過(guò) 程中的異常,其次是H043(H291 26.6*6)、L066(H332 51.6*5)、L007(H417 77.5*6.25) 3種規(guī)格集中生產(chǎn)，硅片規(guī)格小難以把握焊接，所以指標(biāo)偏高，但現(xiàn)有工藝條件下屬正常范圍,1.5 SM 產(chǎn)成品不良率,4月工程試做L069 部品，產(chǎn)生試做不良品致使不良率偏高。11月中H04L06L024 都是晶片較小，現(xiàn)有制程相應(yīng)不
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