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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的ic卡讀寫(xiě)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧

2024-10-27 19:50 本頁(yè)面


【正文】 9C2051 為內(nèi)核。此型號(hào)的單片機(jī)是一種低消耗,高性能的8 位 CMOS 微處理芯片。片內(nèi)帶有 2KB的閃爍可編程及可擦除只讀存儲(chǔ)器,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 80C51 指令集相兼容, DIP20 封裝。片上的 PEROM 準(zhǔn)許在線對(duì)程序存儲(chǔ)器重新編碼,也可用常規(guī)的非易揮發(fā)存儲(chǔ)芯片編程。它的特 點(diǎn)可歸納為: MCS51產(chǎn)品兼容; 的在線可重復(fù)編程閃爍存儲(chǔ)器; :壽命: 1000 次寫(xiě) /擦除周期,數(shù)據(jù)保存期 10 年; :范圍 Vcc=~6V; : 0~24MHZ; 級(jí)程序存儲(chǔ)器鎖定; *8 位內(nèi)部 RAM; 條可編程 I/O口線; 個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器; 個(gè)中斷源; ; 式。 ? 復(fù)位狀態(tài): MCS— 51 單片機(jī)復(fù)位后 , 程序計(jì)數(shù)器 PC和 特殊功能寄存器復(fù)位的狀態(tài)如表所示。 復(fù)位不影響片內(nèi) RAM 存放的內(nèi)容 , 而 ALE、 PSEN 在復(fù)位期間將輸出高電平。由表可以看出 : (1) ( PC) =0000H 表示復(fù)位后程序的入口地址為 0000H。 (2)( PSW) =00H, 其中 RS1()=0, RS0()=0, 表示復(fù)位后單片機(jī)選擇工作寄存器 0 組 。 (3)( SP) =07H 表示復(fù)位后堆棧在片內(nèi) RAM的 08H 單元處建立 。(4)P0 口~ P3口鎖存器為全 1狀態(tài) , 說(shuō)明復(fù)位后這些并行接口可以直接作輸入口 , 無(wú)須向端口寫(xiě) 1。 (5) 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器、 串行口、 中斷系統(tǒng)等特殊功能寄存器復(fù)位后的狀態(tài)對(duì)各功能部件工作狀 態(tài)的影響。 ( 表 格 1) 上電復(fù)位: (圖 1) ? AT89C2051 結(jié)構(gòu): AT89C2051 是一個(gè)有 20 個(gè)引腳的芯片,引腳配置如圖 . 與8051 內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比后可發(fā)現(xiàn), AT89C2051 減少了兩個(gè)對(duì)外端口 (即 P0、 P2口 ), 使它最大可能地減少了對(duì)外引腳,因而芯片尺寸有所減小。 AT89C2051芯片的 20個(gè)引腳功能為 : 電源電壓 。 接地 。3: RST 復(fù)位輸入。當(dāng) RST 變?yōu)楦唠娖讲⒈3?2個(gè)機(jī)器周期時(shí),所有 I/O 引腳復(fù)位至“ 1”。 引腳結(jié)構(gòu) : (圖 2) ? XTAL1 反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 XTAL2 來(lái)自 反向振蕩放大器的輸出。 P1 口 8 位雙向 I/O 口。引腳 ~ 提供內(nèi)部上拉,當(dāng)作為輸入并被外部下拉為低電平時(shí),它們將輸出電流 (IIL),這是因內(nèi)部上拉的緣故。 P3口引腳 ~ 與 為 7個(gè)帶內(nèi)部上拉的雙向 I/O 引腳。 在內(nèi)部已與片內(nèi)比較器輸出相連,不能作為通用 I/O 引腳訪問(wèn)。 P3 口引腳 特殊功能 RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) INT0(外部中斷) INT1(外部中斷) T0(定時(shí)器 0 外部輸入) ( 表 格 2) 單片機(jī)內(nèi)部,外部振蕩電路: 圖( 3) ? 單片機(jī)存儲(chǔ)器分類(lèi)及配置: MCS— 51 單片機(jī)存儲(chǔ)器的分類(lèi)從物理結(jié)構(gòu)上可分為 : 片內(nèi)、 片外程序存儲(chǔ)器( 8031 和 8032 沒(méi)有片內(nèi)程序存儲(chǔ)器)與片內(nèi)、 片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 4 個(gè)部分 。 從尋址空間分布可分為 : 程序存儲(chǔ)器、 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 3 大部分 。 從功能上可分為 : 程序存儲(chǔ)器、 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、 特殊功能寄存器、 位地址空間和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 5 大部分。 (圖 4) ? 特殊功能寄存器 (SFR): AT89C2051 中特殊功能寄存器描述,它們共占用了 19字節(jié),其功能與 8051SFR 功能相對(duì)應(yīng)。 ( a ) 程序存儲(chǔ)器 。 ( b ) 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 。 ( c ) 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 ? 程序存儲(chǔ)器的加密: AT89C2051 片內(nèi)有 2 個(gè)鎖定位,可以編程 (P),也可以不編程 (U),從而得到 3種鎖定位保護(hù)模式。 (表格 3) 內(nèi) 部結(jié)構(gòu): +V C CR A M 地址寄存器R A MB 寄存器A C C同步與控制 指令寄存器T M P 1T M P 2堆棧指示器P E R O M程序地址寄存器緩沖器PC 增量器程序計(jì)數(shù)器D P T RA L UP S W端口 1鎖存端口 3鎖存中斷、串行端口與定時(shí)器單元振蕩器端口 1 驅(qū)動(dòng) 端口 3 驅(qū)動(dòng)P 1 . 0 P 1 . 7P 3 . 0 P 3 . 5 P 3 . 7R S T (圖 5) ? 低功耗工作方式: AT89C2051 有兩種低功耗工作方式:空閑方式與掉電方式。 1) 空閑方式 (休眠方式 ):當(dāng)利用軟件使空閑方式位 IDL()=1時(shí),單片機(jī)進(jìn)入空閑方式。此時(shí), CPU處于休眠狀態(tài),而片內(nèi)所有其他外圍設(shè)備保持工作狀態(tài),片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器內(nèi)容保持不變。在空閑方式下,當(dāng)晶振 fosc=12MHz、電源電壓 VCC=6V 時(shí),電源電流 ICC 從 20mA 降至 5mA,而 VCC=3V時(shí), ICC 由 降至 1mA。中斷或硬件復(fù)位可以終止空閑方 式。 當(dāng)空閑方式由硬件復(fù)位終止時(shí), CPU 要從休眠處恢復(fù)程序的執(zhí)行,執(zhí)行 2 個(gè)機(jī)器周期后,內(nèi)部復(fù)位算法才起作用。此時(shí),硬件禁止訪問(wèn)內(nèi)部 RAM,但允許訪問(wèn)端口引腳。為了防止休眠被復(fù)位終止時(shí)對(duì)端口引腳意外寫(xiě)入的可能性,在生成空閑方式的指令后不應(yīng)緊跟對(duì)端口引腳的寫(xiě)指令。如果不采用外部上拉, 和 應(yīng)置“ 0”;如果采用外部上拉,則應(yīng)置“ 1”。 2)掉電方式:掉電方式由掉電方式位 PD()=1 設(shè)置。此時(shí),振蕩器停止工作,設(shè)置掉電方式的指令成為最后執(zhí)行的 1 條指令,片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器內(nèi)容保持不 變。在掉電方式下, VCCmin=2V。當(dāng) VCC=6V 時(shí), ICCmax=100μ A。當(dāng) VCC=3V 時(shí), ICCmax=20μ A。退出掉電方式的唯一方法是硬件復(fù)位。硬件復(fù)位將重新定義特殊功能寄存器,但不影響片內(nèi) RAM。復(fù)位的保持時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng),以便振蕩器能重新開(kāi)始工作并穩(wěn)定下來(lái)。在 VCC 沒(méi)有恢復(fù)到正常工作電壓之前,不應(yīng)進(jìn)行復(fù)位。如果不采用外部上拉, 和 應(yīng)置“ 0”,否則置“ 1”。 MAX232 芯片簡(jiǎn)介 MAX232 芯片是美信( MAXIM)公司專(zhuān)為 RS232標(biāo)準(zhǔn)串口設(shè)計(jì)的單電源電平轉(zhuǎn)換芯片,使用 +5v 單電源供電。 概述 MAX220– MAX249 系列線驅(qū)動(dòng)器 /接收器,專(zhuān)為 EIA/TIA232E 以及,尤其是無(wú)法提供 177。12V 電源的應(yīng)用。 這些器件特別適合電池供電系統(tǒng),這是由于其低功耗關(guān)斷模式可以將功耗減小到 5amp。micro。W 以?xún)?nèi)。 MAX22 MAXX23 MAX235 以及MAX245/MAX246/MAX247 不需要 外部元件,推薦用于印刷電路板面積有限的應(yīng)用。 關(guān)鍵特性 、集成 ESD 應(yīng)用 MAX3222E/MAX3232E/MAX3237E/MAX3241E/MAX3246E: + 至 +、低功耗、最高 1Mbps、真正的 RS232收發(fā)器,使用 4 個(gè) amp。micro。F 外部電容(MAX3246E 提供 UCSP?封裝 ) MAX221E: 177。15kV ESD 保護(hù)、 +5V、 1amp。micro。A、單路 RS232 收發(fā)器,帶AutoShutdown? 引腳介紹 第 一部分是電荷泵電路。由 6 腳和 4 只電容構(gòu)成。功能是產(chǎn)生 +12v 和 12v 兩個(gè)電源,提供給 RS232 串口電平的需要。 第二部分是數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換通道。由 1 1 1 14 腳構(gòu)成兩個(gè)數(shù)據(jù)通道。 其中 13腳( R1IN)、 12腳( R1OUT)、 11腳( T1IN)、 14腳( T1OUT)為第一數(shù)據(jù)通道。 8 腳( R2IN)、 9腳( R2OUT)、 10腳( T2IN)、 7腳( T2OUT)為第二數(shù)據(jù)通道。 TTL/CMOS 數(shù)據(jù)從 T1IN、 T2IN 輸入轉(zhuǎn)換成 RS232 數(shù)據(jù) 從 T1OUT、 T2OUT送到電腦 DB9插頭; DB9插頭的 RS232數(shù)據(jù)從 R1IN、 R2IN輸入轉(zhuǎn)換成 TTL/CMOS數(shù)據(jù)后從 R1OUT、 R2OUT 輸出。 第三部分是供電。 15腳 GND、 16 腳 VCC( +5v)。 主要特點(diǎn) 符合所有的 RS232C 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 只需要單一 +5V 電源供電 片載電荷泵具有升壓、電壓極性反轉(zhuǎn)能力,能夠產(chǎn)生 +10V 和 10V 電壓 V+、 V 功耗低,典型供電電流 5mA 內(nèi)部集成 2 個(gè) RS232C 驅(qū)動(dòng)器 高集成度,片外最低只需 4 個(gè)電容即可工作。 RS232 引腳圖 12345678 910111213141516 V c cG N DT1 O U TR1 O U TO U TT1 ININT2R1 INR2C 1 +V+C 1 C 2 +C 2 VT2O U TR2 INM A X 2 3 2 (圖 6) SLE4442IC 卡的簡(jiǎn)介: ? 概述 : 電壓供電較大的存儲(chǔ)容量能夠滿(mǎn)足通常應(yīng)用領(lǐng)域的各種需要因此是目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用較多 SLE4442 是德國(guó)西門(mén)子 SIMENS 公司設(shè)計(jì)的邏輯加密存儲(chǔ)卡它具有 2K 位的存儲(chǔ)容量和完全獨(dú)立的可編程代碼存儲(chǔ)器 PSC 內(nèi)部電壓提升電路 保證了芯片能夠以單 +5V 的一種 IC 卡芯片芯片采用多存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 2 線連接協(xié)議串行接口滿(mǎn)足 ISO7816 同步傳送協(xié)議 NMOS 工藝技術(shù)每字節(jié)的擦除 /寫(xiě)入編程時(shí)間為 存儲(chǔ)器具有至少 10000 次的擦寫(xiě)周期數(shù)據(jù)保持時(shí)間至少 10 年。 SLE4442 的觸點(diǎn)安排: 操作電壓 地 復(fù)位 未用 時(shí)鐘 雙向數(shù)據(jù)線 未用 未用芯片 (圖 7) 芯 片功能 : SLE4442 IC 卡主要包括三個(gè)存儲(chǔ)器: 1. 256x8 位 EEPROM 型主存儲(chǔ)器。地址 0~31 為保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)。該區(qū)數(shù)據(jù)讀出不受限制,寫(xiě)入受保護(hù)存儲(chǔ)內(nèi)部數(shù)據(jù)狀態(tài)的限制。當(dāng)保護(hù)存儲(chǔ)器中第 N 位 N=0~31 為 1 時(shí),對(duì)應(yīng)主存儲(chǔ)器中第 N 個(gè)字節(jié)允許進(jìn)行擦除和寫(xiě)入操作。地址 32~255 后 244 字節(jié)為應(yīng)用數(shù)據(jù)區(qū),數(shù)據(jù)讀出不受限制,擦除和寫(xiě)入受加密存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)校驗(yàn)結(jié)果的影響。這種加密校驗(yàn)的控制是對(duì)整個(gè)主存儲(chǔ)器實(shí)施的 (即包括保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)和應(yīng)用數(shù)據(jù)區(qū) )。 2. 32 x1 位 PROM 型保護(hù)存儲(chǔ)器 .一次性編程以保護(hù)主存儲(chǔ)器保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū) ,防止一些固定的標(biāo)識(shí)參數(shù)被改動(dòng) .保護(hù)存儲(chǔ)器同樣受加密存 儲(chǔ)器數(shù)據(jù)校驗(yàn)結(jié)果的影響。 3. 4x8 位 EEPROM 型加密存儲(chǔ)器 .第 0 字節(jié)為密碼輸入錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器 (EC).EC的有效位是低三位 ,芯片初始化時(shí)設(shè)置成 ” 111” 這一字節(jié)是可讀的 (EC).的 1,2,3字節(jié)為參照字存儲(chǔ)區(qū) .這 3 個(gè)字節(jié)的內(nèi)容作為一個(gè)整體被稱(chēng)為可編程加密代碼 (PSC).其讀出寫(xiě)入和擦除均受自身比較操作結(jié)果的控制。 芯片內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如下: 應(yīng)用數(shù)據(jù)區(qū) 2 2 4 8 位E E P R O M保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)3 2 8 位E E P R O M3 1 1P R O M校驗(yàn)參照數(shù)據(jù)字校驗(yàn)參照數(shù)據(jù)字校驗(yàn)參照數(shù)據(jù)字B 7 B 3 錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器高壓發(fā)生器基片電流發(fā)生器譯碼器 / 比較器行 ( 列 ) 位抽樣檢碼程序控制復(fù)
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