【正文】 對于旋轉(zhuǎn)電機，如果極化指數(shù)小于 ，泄漏指數(shù)大于 30，就可以判定為受潮。高電壓工程基礎試驗接線高電壓工程基礎適合于被試品一極接地的情況。(1) 微安表接于高壓側(cè)試驗接線高電壓工程基礎適合于接地端可與地分開的電氣設備。(2) 微安表接于低壓側(cè)有關試驗規(guī)程規(guī)定：最終電壓保持時間為 1min。微安表的保護高電壓工程基礎保護電阻 R用來產(chǎn)生電壓，使流過微安表的電流達到一定數(shù)值時放電管 P動作。 R值選?。?電流表 A所允許的最大電流在電阻 R上的壓降應稍大于放電管的起始放電電壓。并聯(lián)電容器：濾波電容，減少微安表的擺動；還可使放電管兩端電壓上升陡度降低，使放電管來得及動作。 電容器和放電管用來分流試品擊穿時的短路電流。電容器可以提供高頻電流支路（ C1μF）。試驗結(jié)果的分析判斷高電壓工程基礎比較法：216。 將泄漏電流值與規(guī)程規(guī)定值比較；216。 將泄漏電流值與歷史數(shù)據(jù)比較；216。 對發(fā)電機、變壓器等重要設備，由電壓 — 電流關系曲線結(jié)合泄漏電流值全面分析。測量泄漏電流能有效發(fā)現(xiàn)的缺陷：測量絕緣電阻所能發(fā)現(xiàn)的缺陷測量泄漏電流均能發(fā)現(xiàn)，此外對于某些兆歐表不能發(fā)現(xiàn)的尚未完全貫穿的集中性缺陷有一定的反映。高電壓工程基礎216。 測量主絕緣的泄漏電流值，其意義與測量絕緣電阻是相同的，只是施加的直流電壓較高，所以測試的靈敏度比兆歐表更高。216。 讀取泄漏電流值的時間，一般規(guī)定為到達實驗電壓后 1min，并需記錄試品絕緣的電阻及環(huán)境溫度。216。 試驗電壓是逐步調(diào)高的，可作出試驗電壓與電流的關系曲線，由曲線的線性度可判斷絕緣的狀態(tài)。216。 注意對微安表的保護。小結(jié) 介質(zhì)損耗角正切值的測量高電壓工程基礎介質(zhì)損失角正切 tg? ： 交流電壓作用下電介質(zhì)中電流的有功分量和無功分量的比值，是一個無量綱的數(shù)，反映的是電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小。（ 1）在一定的電壓和頻率下，介質(zhì)損失角正切值與絕緣介質(zhì)的形狀、大小無關，只與介質(zhì)的固有特性有關。（ 2）測量 tg?可以有效的發(fā)現(xiàn)絕緣受潮、穿透性導電通道、絕緣內(nèi)含氣泡的游離、絕緣分層和脫殼以及絕緣有臟污或劣化等缺陷。絕緣介質(zhì)的損耗： 西林電橋的基本原理高電壓工程基礎西林電橋是一種交流電橋，配以合適的標準電容可以測量材料和電氣設備的 tg?和電容值。QS1型 西林電橋智能型介質(zhì)損失測量儀高電壓工程基礎QS1型西林電橋是一種平衡電橋，由四個橋臂 R R4和 C CN及 CX和一個檢流計構(gòu)成。電橋的平衡是通過調(diào)整 R3和 C4來實現(xiàn)的。由于 R3的最大允許工作電流為 ，故在 10千伏實驗電壓下，當被試品容量大于 3184pF時，應接入分流電阻。測量原理如取： 則有： (單位 μF)高電壓工程基礎一般 ZX、 ZN比 Z Z4大得多，故外加電壓的大部分都降在高壓橋臂 ZX、 ZN上。測量接線高電壓工程基礎被試品處于高壓側(cè)，兩端均對地絕緣，此時橋體處于低壓側(cè)，操作安全方便，測量結(jié)果也比較準確。適用于兩端對地絕緣的被試品。(1) 正接線測量接線高電壓工程基礎此時各個調(diào)節(jié)元件、檢流計和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護措施。適用于一端接地的被試品。(2) 反接線高電壓工程基礎外界電場干擾主要是干擾電源（包括試驗用高壓電源和現(xiàn)場高壓帶電體）通過帶電設備與被試設備之間的電容耦合造成的。電場干擾 測量過程中的干擾及消除措施高電壓工程基礎因被試品的阻抗比 R3和變壓器的漏抗大得多，所以干擾電流 都流過 R3 。 流過 R3的電流還有試驗電壓作用下流過被試品的電流 ，所以流過 R3的電流 為 和 的矢量和。高電壓工程基礎無干擾時，電橋平衡后流過 R3的電流為流過被試品的電流 ，測量出的 δ為試品真實的介質(zhì)損失角。有干擾時，電橋平衡后流過 R3的電流為 ，測量出的夾角為 ，它不等于試品真實的介質(zhì)損失角。高電壓工程基礎電橋平衡時有 ， 的相角與流過 R3的電流的相角相同，調(diào)節(jié) R3實際是改變 的大小。 的相角與流過 R4的電流的相角相同，流過 R4的電流 和流過 C4的電流 之和為 。調(diào)節(jié) C4時主要是改變 的相角。無電場干擾時的相量圖高電壓工程基礎有干擾時，電橋平衡后相量圖如圖所示，流過 R3的電流為 ，測出的 與 間的夾角為 ，故有干擾時測得的 與無干擾時測得的 不同。有電場干擾時的相量圖高電壓工程基礎干擾電流引起的 的變化隨干擾電流的數(shù)值及相位決定。干擾電流 的相位是任意的，干擾源固定時，干擾電流的矢端軌跡為一圓。消除或減小電場干擾的措施：高電壓工程基礎在被試品高壓部分加屏蔽罩，并將屏蔽罩與電橋的屏蔽相連，以消除耦合電容的影響。216。 加設屏障高電壓工程基礎216。 采用移相電源使干擾電流 與 同相或反相，則流過 R3的電流 與 的夾角為 0，有無干擾測得的 是相同的。通常在試驗電源和干擾電流同相和反相兩種情況下分別測兩次，然后取平均值。用移相電源消除干擾的接線圖高電壓工程基礎當電橋靠近漏磁通較大的設備時，會受到磁場的干擾。這一干擾主要是由于磁場作用與電橋檢流計內(nèi)的電流線圈回路引起的。磁場干擾將電橋移至磁場干擾范圍以外，或?qū)蝮w就地轉(zhuǎn)動改變角度找到干擾的最小的方位。措施：C高電壓工程基礎或?qū)z流計極性轉(zhuǎn)換開關分別置于正、反兩個位置測量兩次來消除磁場干擾的影響。若無磁場干擾時，電橋調(diào)平衡后測量臂的數(shù)值為R3 、 C4 ，檢流計兩端無電位差。若存在磁場干擾時，電橋調(diào)平衡后測量臂的數(shù)值為 R3 +△ R3 、 C4 +△ C4，此時檢流計兩端有電位差。因需要克服磁場干擾電勢才使檢流計指零。高電壓工程基礎改變檢流計極性開關位置測量，電橋調(diào)平衡后測量臂的數(shù)值為 R3 △ R3 、 C4 △ C4。當檢流計正接時測得當檢流計反接時測得高電壓工程基礎實際試品的 tg δ及 CX 為：高電壓工程基礎智能型介質(zhì)損耗測試儀可以在工頻高電壓下，現(xiàn)場測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗角正切 (tg δ)和電容值 (CX )。 數(shù)字化測量方法高電壓工程基礎利用傳感器從試品上取得所需的電壓信號 U和電流信號 I，經(jīng)前置 A/D轉(zhuǎn)換電路數(shù)字化后，送至數(shù)據(jù)處理計算機或單片機，經(jīng)數(shù)據(jù)處理后算出電流電壓之間的相位差 ?，最后得到 tg?的測量值。與西林電橋相比，具有操作簡單、自動測量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強等優(yōu)點。儀器內(nèi)附標準電容器和電壓裝置，與配套選購油杯及控溫儀結(jié)合，可測量油介質(zhì)損耗。高電壓工程基礎測試 tg δ能有效發(fā)現(xiàn)絕緣的下列缺陷： 測試功效（ 1）受潮；（ 2）貫穿性導電通道；（ 3）絕緣老化劣化，繞組上積附油泥；（ 4）絕緣內(nèi)含氣泡的電離，絕緣分層；（ 5）絕緣油臟污、劣化等。高電壓工程基礎測試 tg δ對于下列缺陷不太靈敏：（ 1）非貫穿性的局部損壞；（ 2）很小部分絕緣的老化劣化；（ 3）個別的絕緣弱點。即測量 tg δ對較大面積的分布性的絕緣缺陷較靈敏，對個別局部的非貫穿性的絕緣缺陷不靈敏。高電壓工程基礎測量結(jié)果的分析判斷：（ 1）與試驗規(guī)程規(guī)定值比較；（ 2）與以往的測試結(jié)果比較；（ 3）與同樣運行條件下的同類型設備比較。高電壓工程基礎用測量 tg δ的方法分析絕緣時，要求 tg δ不應有明顯的增加或下降。因為當絕緣有缺陷時，有的使tg δ增大，有的使 tg δ減小。如某變壓器進水受潮，但測 tg δ卻下降。進水后既可導致有功功率 P增加 (IR增大 )，也可導致無功功率 Q增大 (水的介電常數(shù)大，ICX增大 )。高電壓工程基礎盡可能分部測量 測量時主要注意事項一般測得的 tg δ值是被測絕緣各個部分 tg δ的平均值，全部被測絕緣體可以看成是各個部分絕緣體的并聯(lián)。例如絕緣由兩部分并聯(lián)組成，各部分的電容和介質(zhì)損失角的正切分別為 C tg δ1和 C tg δ2。則整體測量時測得的電容和介損角正切為 CX和 tg δ ，測量時所加電壓為 U，根據(jù)功率相等的條件得：高電壓工程基礎假定電容為 C2的部分存在缺陷，當缺陷部分的體積與整個絕緣的體積之比越小，即 C2 / CX越小， C2中的缺陷在測量整體的 tg δ時越難發(fā)現(xiàn)。在一定的電壓和頻率下， tg δ反映介質(zhì)內(nèi)單位體積的能耗。因為在一定的工作場強下，絕緣厚度 d與電壓成正比。絕緣厚度 d一定時，面積 S越大，其電容量越大，電容電流越大，即電容電流與面積成正比。所以絕緣體積與 UICX成正比。高電壓工程基礎對電容量較小的設備，如套管、互感器等，測量tg δ值能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設備，如大中型變壓器、電力電纜、電容器、發(fā)電機等，測 tg δ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷。因此，通常對運行中的電機、電纜等設備進行預防性試驗時，不做 tg δ測試。對于可以分解為幾個絕緣部分的被試品，分解后來進行 tg δ的測試，可以更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。高電壓工程基礎測量時應選取合適的溫度絕緣的 tg δ值與溫度有關，但 tg δ值與溫度之