晶硅太陽(yáng)能電池工藝簡(jiǎn)介-文庫(kù)吧
2025-08-01 02:00 本頁(yè)面
【正文】 形成帶正電荷的區(qū)域。同樣， P型區(qū)域中鄰近 N型區(qū)域一邊的薄層內(nèi)有一部分空穴擴(kuò)散到 N型區(qū)域一邊去了。由于這個(gè)薄層失去了一空穴，在 P區(qū)就形成了帶負(fù)電荷的區(qū)域。這樣在 N型區(qū)和 P型區(qū)交界面的兩側(cè)形成了帶正、負(fù)電荷的區(qū)域，叫做空間電荷區(qū)，也叫PN結(jié)。太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散方法? 擴(kuò)散工藝的摻雜源各不相同，基本的擴(kuò)散有 :? 固態(tài)源： 磷紙，硼紙，磷酸二氫銨 (結(jié)晶狀 ),用于管式擴(kuò)散。 絲網(wǎng)印刷磷漿料后 (鏈?zhǔn)?)擴(kuò)散? 液態(tài)源： POCL3， BBr3，用于管式擴(kuò)散。 噴涂磷酸二氫銨水溶液后 (鏈?zhǔn)?)擴(kuò)散。 其中 POCl3液態(tài)源擴(kuò)散方法具有生產(chǎn)效率較高，得到 PN結(jié)均勻、平整和擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)，這對(duì)于制作具有大面積結(jié)的太陽(yáng)電池是非常重要的。因此目前國(guó)內(nèi)使用最多的是 POCl3液態(tài)源擴(kuò)散法。熱擴(kuò)散反應(yīng)POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反應(yīng)式如下：生成的 P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下： POCl3熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái)的氧（ O2）參與其分解是 不充分 的，生成的 PCl5是不易 分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài) 。在 有外來(lái) O2存在的情況下，PCl5會(huì)進(jìn)一步分解成 P2O5并放出氯氣（ Cl2）其反應(yīng)式 如下 ： 生成 的 P2O5又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子， 由此可見(jiàn)在磷擴(kuò)散時(shí) ， 為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通 入一定 流量的氧氣 。 在 有氧氣的存在時(shí)， POCl3熱分解的反應(yīng)式為： POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與硅反應(yīng)生成 SiO2和磷 原子并在硅片表面形成一層磷 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散 。擴(kuò)散設(shè)備及擴(kuò)散間設(shè)備操作擴(kuò)散管路原理圖擴(kuò)散基本步驟擴(kuò)散工序檢測(cè)內(nèi)容? 方塊電阻（四探針測(cè)試儀）? 少子壽命（ semilab WT1000)方塊電阻的意義及測(cè)量? 擴(kuò)散層的薄層電阻也稱方塊電阻，即表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向（電流方向平行于正方形的邊）所呈現(xiàn)的電阻。用 Rs和R□ 表示， sheet resistance。一般用四探針?lè)y(cè)量。? Rs=ρ /t (其中 ρ 為塊材的電阻率 ,t為塊材厚度）方塊電阻的 大小直接反映了擴(kuò)散入硅內(nèi)部的凈雜質(zhì)總量? 對(duì)于太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工藝，可以認(rèn)為硅片周?chē)碾s質(zhì)濃度是恒定的，不隨時(shí)間而改變，硅片的表面濃度 Ns保持不變。雜質(zhì)在硅中的分布近似為 余誤差分布 。高濃度磷原子分布示意圖刻蝕去邊或腐蝕去背結(jié)? 擴(kuò)散過(guò)程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。周邊擴(kuò)散層使電池的上下電極形成短路環(huán)，必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會(huì)使電池并聯(lián)電阻下降，以至成為廢品。? 去邊的方法有 干法刻蝕和濕法 腐蝕 兩種刻蝕原理? 干法刻蝕原理：等離子體刻蝕 是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。它的 優(yōu)勢(shì)在于快速
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