【總結(jié)】第二講第一章薄膜的形成第一章薄膜的形成第二講§成核理論包括:微滴理論——熱力學(xué)方法原子理論——統(tǒng)計(jì)物理學(xué)方法2、原子理論當(dāng)原子數(shù)100個(gè)以上的微滴,其表面能和自由能可以用塊狀材料的相應(yīng)數(shù)值。當(dāng)小于100個(gè)以下,甚至幾個(gè)原子的微滴時(shí),需
2025-01-07 07:52
【總結(jié)】第四章薄膜材料與工藝?1、電子封裝中至關(guān)重要的膜材料及膜技術(shù)?薄膜和厚膜?膜及膜電l路的功能?成膜方法?電路圖形的形成方法?膜材料?2、薄膜材料?導(dǎo)體薄膜材料?電阻薄膜材料?介質(zhì)薄膜材料?功能薄膜材料1、電子封裝工程中至關(guān)重要的膜材料及膜技術(shù)?薄膜和
2025-05-12 13:52
【總結(jié)】第四講第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)(續(xù))第四講第四講第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)????????使薄膜處于壓應(yīng)力狀態(tài)—選基片材料;1、基片情況基片表面晶格結(jié)構(gòu)須與薄膜相匹配;基片溫度(淀積時(shí))
【總結(jié)】材料物理制備基礎(chǔ)二、薄膜的物理氣相沉積2、脈沖激光沉積法三、薄膜的化學(xué)氣相沉積1、薄膜的蒸鍍法3、薄膜的濺射沉積一、薄膜基礎(chǔ)知識(shí)第四講薄膜的制備一、薄膜基礎(chǔ)知識(shí)1、薄膜的特征1)制作方法:由液相、氣相(原子、分子、離子)在襯底上凝結(jié)而成。2)尺度:從
2025-05-13 06:14
【總結(jié)】第一講第一章薄膜的形成《薄膜材料物理》研究生課程參考教材:?薄膜物理,曲喜新編著,上海科學(xué)技術(shù)出版社1986,上海?薄膜物理,薛增泉、吳全德、李潔,電子工業(yè)出版社,1991,北京第一講第一章薄膜的形成課程主要內(nèi)容?第一章:薄膜的形成?第二章:薄膜的力學(xué)性質(zhì)
2025-01-07 07:51
【總結(jié)】第五講第三章金屬薄膜的導(dǎo)電第三章金屬薄膜的導(dǎo)電第五講?電阻來(lái)源:晶格振動(dòng)→聲子散射;雜質(zhì)→雜質(zhì)散射;缺陷→缺陷散射;晶界→晶界散射。?薄膜特點(diǎn):連續(xù)膜→表面散射;網(wǎng)狀膜→細(xì)絲周界散射,接觸散射;島狀膜→電子隧道。
【總結(jié)】第三講第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)第三講薄膜的主要力學(xué)性能:附著性質(zhì)—由薄膜成長(zhǎng)的初始階段內(nèi)應(yīng)力機(jī)械性能第三講第二章薄膜的力學(xué)性質(zhì)§薄膜的附著性質(zhì)(重要)理論上—需對(duì)結(jié)合界的了解。使用上—決定了薄膜元器件的穩(wěn)定性
2025-01-08 12:31
【總結(jié)】?濺射基本原理??濺射沉積裝置及工藝?離子成膜技術(shù)?濺射技術(shù)的應(yīng)用第三章薄膜制備技術(shù)――濺射法?濺射:荷能粒子轟擊固體表面,固體表面原子或分子獲得入射粒子所攜帶的部分能量,從而使其射出的現(xiàn)象。?1852年Grove研究輝光放電時(shí)首次發(fā)現(xiàn)了濺射現(xiàn)象。?離子濺射:由于離子易于在電磁場(chǎng)中
2025-05-14 04:10
【總結(jié)】第十章薄膜化學(xué)汽相淀積(CVD)技術(shù).化學(xué)汽相淀積(CVD)原理.薄膜生長(zhǎng)的基本過程(與外延相似)外延是一特殊的薄膜生長(zhǎng)1)參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運(yùn)到沉積區(qū)2)反應(yīng)物分子由主氣流擴(kuò)散到襯底表面3)反應(yīng)物分子吸附在襯底表面4)吸附物分子間或吸附分子與氣體分子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成
2025-01-15 10:03
【總結(jié)】第三章薄膜制備技術(shù)氣相法液相法化學(xué)溶液鍍膜法:化學(xué)鍍(CBD)、電鍍(ED)、溶膠-凝膠(Sol-Gel)、金屬有機(jī)物分解(MOD)、液相外延(LPE)、水熱法(hydrothermalmethod)、噴霧熱解(spraypyrolysis)、噴霧水解(sprayhydrolysis)、LB膜及自組裝(se
2025-01-17 19:24
【總結(jié)】薄膜工藝技術(shù)交流CVD部分一:概述二:CVD沉積原理及特點(diǎn)三:CVD沉積膜及其應(yīng)用四:CVD方法及設(shè)備五:薄膜技術(shù)的發(fā)展一:概述?基本上,集成電路是由數(shù)層材質(zhì)不同的薄膜組成,而使這些薄膜覆蓋在硅晶片上的技術(shù),便是所謂的薄膜沉積及薄膜成長(zhǎng)技術(shù)。沉積:成長(zhǎng)
2025-01-18 15:54
【總結(jié)】報(bào)告人:趙定武磁性存儲(chǔ)技術(shù)在現(xiàn)代技術(shù)中舉足輕重。由于磁信號(hào)的記錄密度在很大程度上取決于磁頭縫隙的寬度、磁頭的飛行高度以及記錄介質(zhì)厚度,因此就需要不斷減小磁頭體積和磁記錄介質(zhì)厚度。薄膜自身飽和磁化強(qiáng)度較高,允許采用的磁性介質(zhì)厚度更小,性質(zhì)也更均勻,因此薄膜磁頭材料和薄膜磁存儲(chǔ)介質(zhì)是發(fā)展的主要方向之一。
2025-08-07 10:50
【總結(jié)】高性能薄膜材料產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)分析選題意義?薄膜材料產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)撬脑汉教旒夹g(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)鏈之一,核心技術(shù)的分析能為產(chǎn)業(yè)的技術(shù)評(píng)價(jià)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃提供有用的參考;?通過比較系統(tǒng)的調(diào)研、分析、探討產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)情況,有利于借鑒成功企業(yè)的經(jīng)驗(yàn),也有利于我們另辟蹊徑,為新技術(shù)途徑的探索提供參考;?核心技術(shù)和產(chǎn)品關(guān)聯(lián)分析能為產(chǎn)業(yè)的核心能力建設(shè)以
2025-05-10 12:55
【總結(jié)】第七章硅薄膜材料提綱硅材料最重要的形式是硅單晶,在微電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏工業(yè)已經(jīng)廣泛應(yīng)用,受單晶硅材料價(jià)
2025-05-01 22:24
【總結(jié)】第六章薄膜材料的表征方法第一節(jié)薄膜厚度測(cè)量技術(shù)第二節(jié)薄膜結(jié)構(gòu)的表征方法第三節(jié)薄膜成分的表征方法第一節(jié)薄膜厚度測(cè)量技術(shù)一、薄膜厚度的光學(xué)測(cè)量方法二、薄膜厚度的機(jī)械測(cè)量方法一、薄膜厚度的光學(xué)測(cè)量方法1、光的干涉條件()2cosnABBCANnd
2025-05-03 18:46