【總結(jié)】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問(wèn)?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng),空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí),N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結(jié)】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說(shuō)明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕勺鳛槎O管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路1)、驅(qū)動(dòng)電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài),縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,減小開(kāi)關(guān)損耗,提高運(yùn)行效率、對(duì)裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù):–將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào),轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào),及必要的隔離電路。–對(duì)
2024-12-29 06:38
【總結(jié)】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【總結(jié)】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【總結(jié)】庫(kù)侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(jí)(金屬粒子為幾個(gè)納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過(guò)程是不連續(xù)的,前一個(gè)電子對(duì)后一個(gè)電子的庫(kù)侖排斥能EC(庫(kù)侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個(gè)一個(gè)單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫(kù)侖堵塞效應(yīng)。庫(kù)侖排斥能EC???充一個(gè)電子作功:對(duì)于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【總結(jié)】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一門(mén)新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【總結(jié)】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對(duì)晶體管的特性會(huì)產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【總結(jié)】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結(jié)】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【總結(jié)】課程設(shè)計(jì)課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛(ài)香
2025-07-27 17:47