【正文】 較大，它們采用不同的誤差等級，常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同，用字母表示：D級—177。%；F 級—177。1%；G 級—177。2%；J 級—177。5%；K 級—177。10%；M級—177。20%。 圖15 貼片電容電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁或五氧化二鉭）是電介質(zhì)，陰極由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)（電解質(zhì)可以是液體或固體）和其他材料共同組成，因電解質(zhì)是陰極的主要部分，電解電容因此而得名，如圖16所示。電解電容正極粘有氧化膜的金屬基板，負極通過金屬極板與電解質(zhì)相連接，一般可以由電容器本身上標(biāo)記判別極性，黑色一側(cè)為正極，灰色標(biāo)記側(cè)為負極，正負不可接錯。電解電容參數(shù)可直接由電容表面讀出來，如電容值，額定電壓等。圖16 電解電容電容量可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)的電容器稱為可變電容器，如圖17所示。可變電容器容量的改變是通過改變極片間相對的有效面積或片間距離改變時，它的電容量就相應(yīng)地變化。一般由相互絕緣的兩組極片組成：固定不動的一組極片稱為定片，可動的一組極片稱為動片。幾只可變電容器的動片可合裝在同一轉(zhuǎn)軸上，組成同軸可變的電容器（俗稱雙聯(lián)、三聯(lián)等）?？勺冸娙莸慕橘|(zhì)有空氣和聚苯乙烯兩種?？諝饨橘|(zhì)可變電容體積大，損耗小，多用在電子管收音機中。聚苯乙烯介質(zhì)可變電容做成密封式的，體積小，多用在晶體管收音機中。圖17 可變電容器二極管（diode）是最常用的電子元件之一，它最大的特性就是單向?qū)щ?，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過，二極管的作用有整流電路，檢波電路，穩(wěn)壓電路，各種調(diào)制電路。常用的二極管包括晶體二極管、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管和晶閘管等。晶體二極管是常用的半導(dǎo)體元器件之一，有正負兩個人引腳分別為陽極和陰極，其具有單向?qū)щ娦?，電流只能從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。根據(jù)二極管的伏安特性曲線（如圖18所示），可把二極管分為正向?qū)▍^(qū)（A）、死區(qū)（B）、反向截止區(qū)（C）和反向擊穿區(qū)（D）。圖18 二極管伏安特性曲線 二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，如圖19所示。有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負極），也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。圖19 晶體二極管 用數(shù)字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下表12所示。 表12 二極管耐壓比較型號1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007耐壓（V）501002004006008001000發(fā)光二極管（Light Emitting Diode）簡稱LED，它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光，如圖110所示。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。普通綠色、黃色、紅色、橙色發(fā)光二極管的工作電壓約為2V；。額工作電流通常為2~25mA，故通常在發(fā)光二極管回路中串聯(lián)一個電阻作為限流電阻。圖110 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)圖及實物圖 穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管，如圖111所示。，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。圖111 穩(wěn)壓二極管 （1） 穩(wěn)定電壓Vz：穩(wěn)定電壓就是穩(wěn)壓二極管在正常工作時，管子兩端的電壓值。這個數(shù)值隨工作電流和溫度的不同略有改變，既是同一型號的穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)定電壓值也有一定的分散性。（2） 耗散功率PM：反向電流通過穩(wěn)壓二極管的PN結(jié)時，要產(chǎn)生一定的功率損耗，PN結(jié)的溫度也將升高。根據(jù)允許的PN結(jié)工作溫度決定出管子的耗散功率。通常小功率管約為幾百毫瓦至幾瓦。最大耗散功率PZM：是穩(wěn)壓管的最大功率損耗取決于PN結(jié)的面積和散熱等條件。反向工作時，PN結(jié)的功率損耗為：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以決定IZmax。（3）穩(wěn)定電流IZ、最小穩(wěn)定電流IZmin、大穩(wěn)定電流IZmax穩(wěn)定電流：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時的反向電流；最小穩(wěn)定電流：穩(wěn)壓二極管工作于穩(wěn)定電壓時所需的最小反向電流；最大穩(wěn)定電流：穩(wěn)壓二極管允許通過的最大反向電流。(4)動態(tài)電阻rZ：其概念與一般二極管的動態(tài)電阻相同，只不過穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻是從它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。rz=△VZ/△IZ(5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù)：溫度的變化將使VZ改變，在穩(wěn)壓管中，當(dāng)|VZ|＞7V時，VZ具有正溫度系數(shù)，反向擊穿是雪崩擊穿。：①可以根據(jù)二極管外形，有環(huán)形黑色圈的為陰極；②可以用萬用表進行測量，用紅黑表筆接觸二極管兩個引腳，如果電阻很小，則紅表筆為正極，如果電阻很大，則紅表筆為負極。常用穩(wěn)壓二極管的型號的工作參數(shù)如表13所示：表13 常用穩(wěn)壓二極管的型號的工作參數(shù)型號最大耗散功率（W）穩(wěn)壓電壓（V）最大工作電流（mA）1N7080．25401N7090．25401N7100．25361N7110．25301N7120．25301N7130．25271N7140．2510251N7150．2511201N4731A12171N4732/A11931N4733/A11791N4734/A11621N4735/A11461N4736/A11381N4737/A11211N4738/A11101N4739/A1100晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，簡稱為可控硅。實物圖如圖112所示，電路符號如圖113所示。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極（A），陰極(K)和控制極(G)； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制，被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中?？煽毓鑼?dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是同時在控制極加正觸發(fā)電壓。兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于最小維持電流以下，或者切斷陽極電源。 圖112 晶閘管實物圖 圖113 晶閘管電路符號 晶閘管的簡單測試電路如圖114所示，各測試結(jié)果如表14所示。 圖114 晶閘管簡單測試電路 表14 晶閘管簡單測試電路結(jié)果陽極A陰極K開關(guān)S燈炮亮滅情況工作特點＋－斷開不亮只在陽極和陰極加正電壓，可控硅不導(dǎo)通－＋不亮在陽極和陰極加反向電壓，可控硅不導(dǎo)通＋－閉合亮在陽極A和陰極K間加正向電壓，同時控制極加正向觸發(fā)電壓，可控硅導(dǎo)通＋－斷開亮可控硅導(dǎo)通后，除去觸發(fā)電壓，可控硅導(dǎo)通對可控硅的引腳區(qū)分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽極，陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅，可用萬用表R100或R1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當(dāng)萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時，黑表筆所接的是控制極G，紅表筆所接的是陰極C，余下的一只管腳為陽極A。半導(dǎo)體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”，如圖115所示。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結(jié)，組成一個PNP（或NPN）結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發(fā)射極E和集電極C，是能起放大、振蕩或開關(guān)等作用的半導(dǎo)體電子器件。晶體三極管伏安特性曲線如圖116所示。晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和硅管