【正文】 線拉高。在這里要注意的是（3），寫數(shù)據(jù)時(shí)時(shí)1bit單獨(dú)傳送，這里有兩種情況。當(dāng)需要傳送“1”時(shí)，單片機(jī)應(yīng)該給DS18B20芯片的DQ接口賦低電平，大約15秒以后，將DQ釋放為高電平，延時(shí)約45微妙即可。當(dāng)需要傳送“0”時(shí)，單片機(jī)應(yīng)該給DS18B20芯片的DQ接口賦低電平，并且持續(xù)拉低最少60微妙，然后將DQ釋放為高電平，再延時(shí)約15秒即可。 DS18B20的寫操作時(shí)序圖DS18B20的讀操作（1）將數(shù)據(jù)線拉高“1”； （2）延時(shí)2微秒； （3）將數(shù)據(jù)線拉低“0”； （4）延時(shí)15微秒； （5）將數(shù)據(jù)線拉高“1”； （6）延時(shí)15微秒； （7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到一個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理； （8）延時(shí)30微秒；這里只要按以上操作將狀態(tài)位的各各bit按順序儲(chǔ)存好即可。 DS18B20的讀操作時(shí)序圖根據(jù)DS18B20的通訊協(xié)議，主機(jī)（單片機(jī)）控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個(gè)步驟：每一次讀寫之前都要對(duì)DS18B20進(jìn)行復(fù)位操作，復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令，最后發(fā)送RAM指令，這樣才能對(duì)DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒，然后釋放，當(dāng)DS18B20收到信號(hào)后等待16～60微秒左右，后發(fā)出60～240微秒的存在低脈沖，主CPU收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。 ，RAM指令表見表31所示。表31 ROM指令表指 令約定代碼功 能讀ROM33H讀DS1820溫度傳感器ROM中的編碼（即64位地址）符合ROM55H發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該 DS1820 的讀寫作準(zhǔn)備。搜索ROM0FOH用于確定掛接在同一總線上 DS1820 的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64 位 ROM 地址。為操作各器件作好準(zhǔn)備。跳過ROM0CCH忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 發(fā)溫度變換命令。適用于單片工作。警告搜索命令0ECH執(zhí)行后只有溫度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)。表32 RAM指令表指 令約定代碼功 能溫度變換44H啟動(dòng)DS1820進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，12位轉(zhuǎn)換時(shí)最長(zhǎng)為750ms（）。結(jié)果存入內(nèi)部9字節(jié)RAM中。讀暫存器0BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容寫暫存器4EH發(fā)出向內(nèi)部RAM的4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。復(fù)制暫存器48H將RAM中第3 、4字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到EEPROM中。重調(diào) EEPROM0B8H將EEPROM中內(nèi)容恢復(fù)到RAM中的第3 、4字節(jié)。讀供電方式0B4H讀DS1820的供電模式。寄生供電時(shí)DS1820發(fā)送“ 0 ”，外接電源供電 DS1820發(fā)送“ 1 ”。DS18B20中的溫度傳感器完成對(duì)溫度的測(cè)量，用16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供，℃/LSB形式表達(dá)，其中S為符號(hào)位。例如＋125℃的數(shù)字輸出為07D0H，＋℃的數(shù)字輸出為0191H，－℃的數(shù)字輸出為FF6FH，－55℃的數(shù)字輸出為FC90H。，在外部電源供電方式下，DS18B20工作電源由VDD引腳接入，此時(shí)I/O線不需要強(qiáng)上拉，不存在電源電流不足的問題，可以保證轉(zhuǎn)換精度，同時(shí)在總線上理論可以掛接任意多。DS18B20傳感器，組成多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)。注意：在外部供電的方式下，DS18B20的GND引腳不能懸空，否則不能轉(zhuǎn)換溫度，讀取的溫度總是85℃。 溫度傳感器（二）控制器芯片方案目前，市場(chǎng)上以MCS51系列單片機(jī)應(yīng)用最廣，配合其生產(chǎn)的芯片業(yè)最多。而且51系列已能完成本設(shè)計(jì)所需要求，價(jià)格較低，所以本設(shè)計(jì)選用51系列單片機(jī)AT89C52作為核心芯片。兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng)的AT89C52單片機(jī)是一個(gè)低電壓，高性能CMOS8位單片機(jī)，片內(nèi)含8K bytes的課反復(fù)擦寫的制度程序存儲(chǔ)器（PEROM）和256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大的89C52單片機(jī)可為您提供許多高性低比的系統(tǒng)控制應(yīng)用領(lǐng)域。89C52有40個(gè)引腳，32個(gè)外部雙向輸入/輸出（I/O）端口，同時(shí)內(nèi)含2個(gè)外中斷口，3個(gè)16位可編程定計(jì)數(shù)器，2個(gè)全雙工串行通信口，2個(gè)讀寫口線，89C52可以按照常規(guī)方法進(jìn)行編程，也可以在線編程。其將通用的微處理器和Flash存儲(chǔ)器結(jié)合在一起，特別是可反復(fù)擦寫的Flash存儲(chǔ)器可有效地降低開發(fā)成本。其引腳如圖43其主要功能特性如下：*兼容性MCS51指令系統(tǒng)*8k可反復(fù)擦寫（1000次）Flash ROM*32個(gè)雙向I/O口*2568bit內(nèi)部RAM*3個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器中斷*時(shí)鐘頻率0～24MHz*2個(gè)串行中斷*可編程UART串行通道*2個(gè)外部中斷源*共6個(gè)中斷源*2個(gè)讀寫中斷口線*3級(jí)加密位低功耗空閑和掉電模式 AT89C52引腳圖（三）單片機(jī)外圍電路的設(shè)計(jì)1．復(fù)位電路設(shè)計(jì)復(fù)位電路的基本功能是：可以使單片機(jī)初始化，也可以是死機(jī)狀態(tài)下的單片機(jī)重新啟動(dòng)。系統(tǒng)上電時(shí)提供復(fù)位信號(hào)，直至系統(tǒng)電源穩(wěn)定后，撤銷復(fù)位信號(hào)。為可靠起見，電源穩(wěn)定后還要經(jīng)一定的延時(shí)才撤銷復(fù)位信號(hào)，以防電源開關(guān)或電源插頭分合過程中引起的抖動(dòng)而影響復(fù)位。復(fù)位電路分為上電復(fù)位和手動(dòng)復(fù)位兩種：不管哪種復(fù)位只要在RESET引腳有持續(xù)兩個(gè)機(jī)械周期以上的高電平就可以是單片機(jī)復(fù)位。這種上電復(fù)位功能是利用電容器充電來實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)加電時(shí)，電容C充電，電路中有電流流過，構(gòu)成回路，在電阻R上產(chǎn)生壓降，RESET引腳上為高電平；當(dāng)電容C充滿電后，電路相當(dāng)于斷開，RESET的電位與地相同，復(fù)位結(jié)束?？梢姀?fù)位的時(shí)間與充電的時(shí)間有關(guān)，充電時(shí)間越長(zhǎng)復(fù)位的時(shí)間越長(zhǎng)，增大電容或電阻都可以增加復(fù)位時(shí)間。 按鍵電平復(fù)位按鍵式復(fù)位電路與上電復(fù)位電路的原理相同，但是它還可以通過按鍵實(shí)現(xiàn)復(fù)位，按下按鍵后，通過R1和R2形成回路，是RESET引腳產(chǎn)生高電平。按鍵時(shí)間決定了復(fù)位的時(shí)間。 按鍵脈沖復(fù)位按鍵脈沖式復(fù)位電路是利用RC微分電路在RESET端產(chǎn)生正脈沖來實(shí)現(xiàn)復(fù)位的。綜合本設(shè)計(jì)的要求，最終方案選取的是按鍵脈沖復(fù)位電路。2．時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)時(shí)鐘電路是單片機(jī)的心臟，它控制著單片機(jī)的工作節(jié)奏。單片機(jī)工作的時(shí)候，是在統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖控制下一拍一拍地進(jìn)行的，這個(gè)脈沖的來源是單片機(jī)控制中的時(shí)序電路發(fā)出的，這種時(shí)鐘信號(hào)可以有兩種方式產(chǎn)生：內(nèi)部時(shí)鐘方式和外部時(shí)鐘方式。內(nèi)部時(shí)鐘方式：89C51內(nèi)部有一個(gè)高增益反相放大器，用于構(gòu)成內(nèi)振蕩器，引腳XTAL1和XTAL2分別是放大器的輸入端和輸出端。在XTAL1和XTAL2兩端跨接晶體或陶瓷振蕩器，就構(gòu)成了穩(wěn)定的自激振蕩器，其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器。 振蕩電路本設(shè)計(jì)總C1和C2選擇30pF，晶振為12MHz。（四）LED顯示電路與鍵盤電路在日常生活中，我們對(duì)液晶顯示器并不陌生。液晶顯示模塊已作為很多電子產(chǎn)品的通過器件，如在計(jì)算器、萬用表、電子表及很多家用電子產(chǎn)品中都可以看到，顯示的主要是數(shù)字、專用符號(hào)和圖形。在單片機(jī)的人機(jī)交流界面中，一般的輸出方式有以下幾種：發(fā)光管、LED數(shù)碼管、液晶顯示器。發(fā)光管和LED數(shù)碼管比較常用，軟硬件都比較簡(jiǎn)單，在前面章節(jié)已經(jīng)介紹過，在此不作介紹，本章重點(diǎn)介紹字符型液晶顯示器的應(yīng)用。 在單片機(jī)系統(tǒng)中應(yīng)用晶液顯示器作為輸出器件有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：顯示質(zhì)量高：由于液晶顯示器每一個(gè)點(diǎn)在收到信號(hào)后就一直保持那種色彩和亮度，恒定發(fā)光，而不像陰極射線管顯示器（CRT）那樣需要不斷刷新新亮點(diǎn)。因此，液晶顯示器畫質(zhì)高且不會(huì)閃爍。數(shù)字式接口：液晶顯示器都是數(shù)字式的，和單片機(jī)系統(tǒng)的接口更加簡(jiǎn)單可靠，操作更加方便。體積小、重量輕：液晶顯示器通過顯示屏上的電極控制液晶分子狀態(tài)來達(dá)到顯示的目的，在重量上比相同顯示面積的傳統(tǒng)顯示器要輕得多。功耗低：相對(duì)而言，液晶顯示器的功耗主要消耗在其內(nèi)部的電極和驅(qū)動(dòng)IC上，因而耗電量比其它顯示器要少得多。 顯示1602實(shí)物圖1602液晶模塊的讀寫操作、屏幕和光標(biāo)的操作都是通過指令編程來實(shí)現(xiàn)的。（說明：1為高電平、0為低電平）指令1：清顯示，指令碼01H,光標(biāo)復(fù)位到地址00H位置。指令2：光標(biāo)復(fù)位，光標(biāo)返回到地址00H。指令3：光標(biāo)和顯示模式設(shè)置 I/D：光標(biāo)移動(dòng)方向，高電平右移，低電平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。高電平表示有效，低電平則無效。指令4：顯示開關(guān)控制。 D：控制整體顯示的開與關(guān)，高電平表示開顯示，低電平表示關(guān)顯示 C：控制光標(biāo)的開與關(guān)，高電平表示有光標(biāo)，低電平表示無光標(biāo) B：控制光標(biāo)是否閃爍，高電平閃爍，低電平不閃爍。指令5：光標(biāo)或顯示移位 S/C：高電平時(shí)移動(dòng)顯示的文字，低電平時(shí)移動(dòng)光標(biāo)。指令6：功能設(shè)置命令 DL：高電平時(shí)為4位總線，低電平時(shí)為8位總線 N：低電平時(shí)為單行顯示，高電平時(shí)雙行顯示 F: 低電平時(shí)顯示5x7的點(diǎn)陣字符，高電平時(shí)顯示5x10的點(diǎn)陣字符。指令7：字符發(fā)生器RAM地址設(shè)置。指令8：DDRAM地址設(shè)置。指令9：讀忙信號(hào)和光標(biāo)地址 BF：為忙標(biāo)志位，高電平表示忙，此時(shí)模塊不能接收命令或者數(shù)據(jù)，如果為低電平表示不忙。指令10：寫數(shù)據(jù)。指令11：讀數(shù)據(jù)。 寫操作時(shí)序 讀操作時(shí)序表33：基本操作時(shí)序表讀狀態(tài)輸入RS=L，R/W=H，E=H輸出D0—D7=狀態(tài)字寫指令輸入RS=L，R/W=L，D0—D7=指令碼，E=高脈沖輸出無讀數(shù)據(jù)輸入RS=H，R/W=H，E=H輸出D0—D7=數(shù)據(jù)寫數(shù)據(jù)輸入RS=H，R/W=L，D0—D7=數(shù)據(jù)，E=高脈沖輸出無液晶屏的電路接線圖如圖： 1602接線圖鍵盤電路圖設(shè)計(jì)，通過按鍵控制冷庫(kù)的運(yùn)行狀態(tài)，按鍵是低電平有效。 按鍵電路圖四、軟件部分的設(shè)計(jì)（一）主程序設(shè)計(jì) 主程序流程圖軟件程序如下：include //包含頭文件，一般情況不需要改動(dòng)，頭文件包含特殊功能寄存器的定義includeinclude include include bit ReadTempFlag。//定義讀時(shí)間標(biāo)志sbit Fire=P3^2。sbit S1=P1^4 。sbit S2= P1^5 。sbit S3= P1^6 。sbit S4= P1^7 。void Init_Timer0(void)。//定時(shí)器初始化/* 主函數(shù)*/void main (void){ int temp1,time_set=10。char i,Modle=1,Flag1=0,Flag2=0,Flag3=0。float temperature1,temp_set=。char displaytemp1[8],displaytemp2[8]。//定義顯示區(qū)域臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)組unsigned char w=0。Init_Timer0()。LCD_Init()。 //初始化液晶DelayMs(20)。 //延時(shí)有助于穩(wěn)定LCD_Clear()。 //清屏Lcd_User_Chr()。 //寫入自定義字符LCD_Write_String(0,0, Wele )。LCD_Write_String(0,1,Electric Heating)。for(i=0。i10。i++) DelayMs(200)。LCD_Clear()。 //清屏LCD_Write_String(0,0,Modle1)。LCD_Write_String(9,0,Modle2)。LCD_Write_String(0,1,Modle 3)。LCD_Write_String(9,1,Modle 4)。while (1) //主循環(huán) { Jiare()。 //加熱程序 } 顯示歡迎界面（二）模式設(shè)定函數(shù)設(shè)計(jì) 模式設(shè)定模式設(shè)定函數(shù)如下：if(Flag1==0){ Flag2=0。 LCD_Write_Com(0x0d)。//開閃爍 if(S1==0){ DelayMs(10)。 if(S1==0){ while(S1==0)。 Modle++。} } if(S2==0){ DelayMs(10)。if(S2==0){ while(S2==0)。 Modle。 }} if(S3==0) { DelayMs(10)。 if(S3==0) { while(S3==0)。 Flag1=1。 LCD_Clear()。 //確定進(jìn)入下一模式 清屏 } }if(Modle==0)Modle=4。if(Modle==5)Modle=1。if(Modle==1){LCD_Write_Com(0x86)。}if(Modle==2){LCD_Write_Com(0x8f)。}if(Modle==3){LCD_Write_Co