20xx安徽大學(xué)模電期末試卷和答案-文庫吧
2025-06-08 17:28 本頁面
【正文】 ] A 非飽和區(qū) B 飽和區(qū) C 截止區(qū) D 擊穿區(qū)3．直接耦合放大電路存 在零點(diǎn)漂移的原因主要是 。 [ ] A 電阻阻值有誤差 B 晶體管參數(shù)的分散性 C 晶體管參數(shù)受溫度影響 D 受輸入信號變化的影響4．差動放大電路的 主要特點(diǎn)是 。 [ ] A 有效放大差模信號，有力抑制共模信號；B 既放大差模信號，又放大共模信號C有效放大共模信號，有力抑制差模信號；D 既抑制差模信號，又抑制共模信號。5．互補(bǔ)輸出級采用 射極輸出方式是為了使 。 [ ] A 電壓放大倍數(shù)高 B 輸出電流小C 輸出電阻增大 D 帶負(fù)載能力強(qiáng)6．集成運(yùn)放電路采用 直接耦合方式是因?yàn)? 。 [ ] A 可獲得較高增益 B 可使溫漂變小C 在集成工藝中難于制造大電容 D 可以增大輸入電阻7．放大電路在高頻信號作用下放大倍數(shù)下降的原因是 。 [ ]A 耦合電容和旁路電容的影響 B 晶體管極間電容和分布電容的影響C 晶體管的非線性特性 D 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適8．當(dāng)信號頻率等于放大電路的和時， 放大倍數(shù)的數(shù)值將下降到中頻時的 。 A B C D [ ]9．在輸入量不變的情況下，若
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