深圳市朗科科技股份有限公司行業(yè)分析-創(chuàng)東方投資有限公司-文庫吧
2025-06-07 00:40 本頁面
【正文】 閃存應用及移動存儲產(chǎn)業(yè)的下游產(chǎn)業(yè)主要為信息技術、消費電子和工業(yè)控制等領域。下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對本行業(yè)的技術、公司規(guī)模等因素影響較大。從產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看，下游產(chǎn)業(yè)涉及領域廣泛，發(fā)展?jié)摿褪袌鲆?guī)模巨大，對本行業(yè)的長期發(fā)展較為有利。同時，下游產(chǎn)業(yè)對本行業(yè)的技術應用水平較低，應用領域尚未充分挖掘，本行業(yè)相關技術及產(chǎn)品在下游行業(yè)中的應用前景十分廣闊。（四）閃存應用及移動存儲發(fā)展歷程閃存應用及移動存儲技術發(fā)展歷程大致經(jīng)歷以下幾個階段，具體參見下圖：自計算機問世之日起，存儲設備即成為其必不可少的配件之一，除最原始的紙帶存儲設備外，軟盤驅(qū)動器及軟盤為最常見的移動存儲設備。軟盤驅(qū)動器是以機械設備為基礎、讀取磁介質(zhì)軟盤的存儲設備；軟盤具有成本低廉，制造簡單，便于攜帶等特點， 左右。隨著信息技術的高速發(fā)展，計算機間的單次數(shù)據(jù)交換量通常在幾十甚至幾百兆字節(jié)左右， 軟盤無法滿足用戶日益增長的數(shù)據(jù)交換量需求，且軟盤具有數(shù)據(jù)容易丟失、讀取速度慢、容易損壞等缺點。與此同時，計算機數(shù)據(jù)通信技術的高速發(fā)展以及操作系統(tǒng)在方便性和易用性方面的進展，使得計算機的使用變得異常簡便。1998 年以來，由于通用串行總線USB 接口具備即插即用、接口簡單、數(shù)據(jù)傳輸率高等特點，開始在計算機上出現(xiàn)并逐漸盛行，相應支持USB 接口的便攜式存儲設備——閃存盤應運而生。基于USB 的閃存盤具有體積小、存儲容量大、操作簡便、即插即用、安全性高、穩(wěn)定性好、不易損壞等特點，閃存盤產(chǎn)品推出市場后，迅速得到用戶的認可，市場銷售量不斷上升，并被大量使用，目前已經(jīng)在計算機行業(yè)普及，并成功取代了軟盤、軟驅(qū)、ZIP 盤等產(chǎn)品。隨著閃存應用技術的進一步發(fā)展，閃存除用于閃存盤等產(chǎn)品外，近年來還開始應用于新型產(chǎn)品——固態(tài)硬盤，并逐漸成為PC 的行業(yè)發(fā)展趨勢。盡管硬盤在接口方面將PATA 變成了SATA，SCSI 變成了SAS，垂直記錄技術在容量上有所突破，但仍未能改變硬盤采用磁記錄的方式，存儲系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。為解決這一瓶頸，各廠商紛紛將固態(tài)硬盤推入企業(yè)級和消費級市場。在消費市場上，某些筆記本電腦如華碩Eee PC 開始采用固態(tài)硬盤作為標準配置，它不僅具有啟動速度快、體積小、便于攜帶、噪音低、發(fā)熱量小、不易損壞等特點，還可延長筆記本電池工作時間。目前，固態(tài)硬盤市場已經(jīng)從存儲市場中細分出來，其技術將會逐步成熟和完善，而且已開始在筆記本電腦、服務器、工業(yè)控制等領域得到應用，商業(yè)領域也已經(jīng)涉及金融、電信、醫(yī)療、電力、航空、郵電、軍隊等行業(yè)。（五）閃存應用及移動存儲發(fā)展現(xiàn)狀固態(tài)硬盤控制芯片技術處于發(fā)展初期近年來，以閃存為存儲介質(zhì)的固態(tài)硬盤由于具有讀寫速度快、高性能、高密度、高壽命、低功耗、防震抗摔、耐高低溫、靜音等眾多優(yōu)點，替代傳統(tǒng)磁介質(zhì)硬盤趨勢愈發(fā)明顯。根據(jù)iSuppli15等公司預測，2009 年固態(tài)硬盤全球銷售額將達26 億美元，2010 年為43 億美元，2011 年將超過60 億美元。未來固態(tài)硬盤市場規(guī)模變化情況參見下圖：目前全球從事固態(tài)硬盤控制芯片設計開發(fā)的公司約有20 家左右，從事固態(tài)硬盤產(chǎn)品制造的規(guī)模企業(yè)約有50 家左右，但產(chǎn)品以32GB 為主流容量，讀寫速度在120MByte/sec 左右，單位容量價格是傳統(tǒng)硬盤的10 倍左右。固態(tài)硬盤的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化尚未啟動，未來市場潛力較大，具備性能適中、高性價比、穩(wěn)定性突出的產(chǎn)品且擁有固態(tài)硬盤關鍵元器件控制芯片核心技術的企業(yè)將在市場競爭中勝出。閃存制程技術更新?lián)Q代加速自上世紀90 年代開始，閃存的生產(chǎn)制程一直沿著180nm 到20nm 的方向提升，每隔12 年發(fā)生一次制程的更新?lián)Q代，目前已發(fā)展到40nm 甚至30nm，從而有效降低了閃存的生產(chǎn)成本。閃存存儲單位、存儲容量不斷變化閃存的最
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