【正文】 電壓監(jiān)測：Ｘ５０４５工作時(shí)，監(jiān)視Ｖｃｃ跌落到一個(gè)確定的數(shù)值時(shí)，ｘ５０４５的復(fù)位引腳７將發(fā)出一個(gè)高電平有效的復(fù)位信號(hào)，使單片機(jī)復(fù)位。只要Ｖｃｃ跌落到一個(gè)確定的數(shù)值以下，并保持在１Ｖ以上時(shí)，Ｘ５０４５能夠發(fā)出單片機(jī)需要的５Ｖ高電平的復(fù)位信號(hào)，保證單片機(jī)可靠復(fù)位。這就保證在Ｖｃｃ一旦跌落到單片機(jī)允許的工作電壓以下時(shí)，單片機(jī)處于復(fù)位狀態(tài)，否則單片機(jī)此時(shí)可能執(zhí)行某些錯(cuò)誤的指令，產(chǎn)生不可預(yù)料的結(jié)果。選定Ｖｃｃ跌落到多大數(shù)值時(shí)，產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，可以通過對(duì)Ｘ５０４５編程決定，一般采用Ｘ５０４５出廠時(shí)默認(rèn)的數(shù)值即可。ＷＤＴ超時(shí)周期選擇：Ｘ５０４５內(nèi)部的ＷＤＴ超時(shí)周期有３個(gè)數(shù)值可以編程選定，即２００ｍｓ、６００ｍｓ、１．４ｓ。ＷＤＴ的超時(shí)周期決定了單片機(jī)從“死機(jī)”狀態(tài)恢復(fù)為重新運(yùn)行所需的時(shí)間。理論上講，這個(gè)時(shí)間越短越好，但對(duì)于慢速系統(tǒng)來講，太短的時(shí)間不是很有實(shí)際意義。時(shí)間選得越短，單片機(jī)正常運(yùn)行時(shí)，訪問Ｘ５０４５的時(shí)間間隔也越短，會(huì)增加ＣＰＵ的負(fù)擔(dān)。4．驅(qū)動(dòng)程序（1）WDT驅(qū)動(dòng)程序 X5045中WDT的驅(qū)動(dòng)程序有兩個(gè)，一個(gè)用于在單片機(jī)正常工作時(shí)訪問WDT，使WDT不產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，注意，這個(gè)程序應(yīng)當(dāng)每隔一個(gè)確定的時(shí)間間隔運(yùn)行一次，該時(shí)間間隔應(yīng)當(dāng)小于WDT超時(shí)周期；另一個(gè)驅(qū)動(dòng)程序設(shè)定WDT的超時(shí)周期。 訪問WDT驅(qū)動(dòng)程序：根據(jù)X5045的使用規(guī)則，只要其引腳發(fā)生從高電平到低電平的跳變，就實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)部WDT定時(shí)器的復(fù)位，因此，根據(jù)圖23所示，即做一次輸出低再變高的操作。程序如下：CS BIT RST_WDT:CLR CS SETB CS RET設(shè)定WDT超時(shí)周期的驅(qū)動(dòng)程序：根據(jù)X5045的使用要求，通過設(shè)定X5045的狀態(tài)寄存器實(shí)現(xiàn)超時(shí)周期的設(shè)置。本系統(tǒng)選定WDT的超時(shí)周期為600ms，X5045的狀態(tài)寄存器中WDWD0兩位分別設(shè)置為0、1。不考慮保護(hù)EEPROM時(shí)，狀態(tài)寄存器內(nèi)容可以設(shè)置為10H（參見X5045狀態(tài)寄存器的格式）。在設(shè)置狀態(tài)寄存器之前，需要先完成兩個(gè)操作：設(shè)置寫使能寄存器和發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令。設(shè)置流程如圖24所示。驅(qū)動(dòng)程序：WREN_INST EQU 06H ；狀態(tài)存儲(chǔ)器寫使能命令為06HWRSR_INST EQU 01H ；寫狀態(tài)寄存器命令為01HCS BIT ；連接5045之引腳的I/SCK BIT ；連接5045之SCK引腳的I/SI BIT ；連接5045之SI引腳的I/SO BIT ；連接5045之SO引腳的I/SET_WDT： LCALL WREN_CMD ；設(shè)置寫使能寄存器 CLR SCK ；準(zhǔn)備發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令 CLR CS MOV A，WRSR_INST ；發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令 LCALL OUTBYT MOV A，10H ；發(fā)送狀態(tài)寄存器內(nèi)容 LCALL OUTBYT CLR SCK ；退出設(shè)置WDT SETB CS RET以上設(shè)置WDT的子程序“SET_WDT”，用到了兩個(gè)底層的子程序“WREN_CMD”和“OUTBYT”。“WREN_CMD”是一個(gè)設(shè)置寫使能寄存器的子程序，“OUTBYT”是一個(gè)發(fā)送1B內(nèi)容子程序。這兩個(gè)子程序是根據(jù)X5045“寫使能鎖存時(shí)序”和“寫狀態(tài)寄存器操作時(shí)序”編寫的。由于篇幅所限，X5045的相關(guān)操作時(shí)序不在這里介紹，請(qǐng)讀者參閱有關(guān)的技術(shù)手冊(cè)。兩個(gè)子程序如下:WREN_CMD: CLR SCK 。準(zhǔn)備發(fā)送寫使能寄存器命令 CLR CS MOV A，WREN_INST ；將寫使能寄存器命令送A LCALL OUTBYT ；將1B命令發(fā)送出去 CLR SCK ；退出發(fā)送 SETB CS RETOUTBYT： MOV R0，8 ；1B，需要發(fā)送8個(gè)BIT位OUTBYT1： CLR SCK ；在SCK的上升沿，通過SI將內(nèi)容送入X5045 RLC A MOV SI，C SETB SCK DJNZ R0，OUTBYT1 ；循環(huán)發(fā)送 CLR SI ；退出發(fā)送 RET圖25 EEPROM寫入流程 2）EEPROM寫入程序根據(jù)X5045的使用規(guī)則，向EEPROM內(nèi)寫入內(nèi)容，按圖25所示的流程進(jìn)行。；******************************************************************；子程序名：PAGE_WRITE；功能：將R1中的內(nèi)容為首地址的單片機(jī)內(nèi)部RAM的不超過1頁的內(nèi)容寫入以DPTR內(nèi)容為首地址的EEPROM中；底層子程序調(diào)用：OUTBYT、WREN_CMD；入口條件：（R1）= 待寫入到EEPROM中的內(nèi)部RAM中內(nèi)容的首地址； （DPTR）= 待寫入的EEPROM的首地址； （R2）= 要寫入的字節(jié)數(shù)，不大于1頁（4B）；使用的寄存器：A、DPTR、RR2；******************************************************************WRITE_INST EQU 02H ；寫數(shù)據(jù)命令為02HPAGE_WRITE： LCALL WREN_CMD ；設(shè)置寫使能寄存器 CLR SCR ；準(zhǔn)備發(fā)送寫數(shù)據(jù)命令 CLR CS MOV A，DPH ；將EEPROM地址的最高位連同寫數(shù)據(jù)命令一起發(fā)送 MOV C， MOV A，WRITE_INST MOV ，C LCALL OUTBYT MOV A，DPL ；發(fā)送EEPROM的低8位地址 LCALL OUTBYTPAGE_WRITE1： MOV A，@R1 ；發(fā)送1B內(nèi)容 INC R1 LCALL OUTBYT DJNZ R2，PAGE_WRITE1 ；循環(huán)發(fā)送 CLR SCK ；退出發(fā)送 RET（3）EEPROM讀出程序；******************************************************************；子程序名：SEQU_READ；功能：將DPTR中內(nèi)容為首地址的EEPROM中的內(nèi)容讀出到以R1中內(nèi)容為首地； 址的單片機(jī)內(nèi)部RAM中；底層子程序調(diào)用：OUTBYT、INBYT；入口條件：（R1）= 單片機(jī)內(nèi)部RAM的首地址； （DPTR）= EEPROM的首地址； （R2）= 要讀出的字節(jié)數(shù)；使用的寄存器：A、DPTR；******************************************************************READ_INST EQU 03H ；讀數(shù)據(jù)命令為03HSEQU_READ: CLR SCK ；準(zhǔn)備讀數(shù)據(jù) CLR CS MOV A,DPH ；將EEPROM 地址的最高位連同讀數(shù)據(jù)命令一起發(fā)送 MOV C, MOV A,READ_INST MOV ,C LCALL OUTBYT MOV A,DPL ；發(fā)送EEPROM的低8位地址 LCALL OUTBYTSEQU_READ1: LCALL INBYT ；讀出1B內(nèi)容 MOV @R1,A ；將讀出的1B數(shù)據(jù)存入單片機(jī)RAM中 INC R1 DJNZ R2,SEQU_READ1 ；循環(huán)讀數(shù)據(jù) CLR SCK ；推出讀數(shù)據(jù) SETB CS RET “SEQU_READ” 子程序用到了一個(gè)底層子程序“INBYT”，該子程序用于從EEPROM中讀出1B內(nèi)容，程序如下：INBYT: MOV R0,8 ；1B，8個(gè)BIT位INBYT1: SETB SCK ；準(zhǔn)備讀出 CLR SCK MOV C,SO ；讀出內(nèi)容存于C中 RLC A ；將C中內(nèi)容存于A中 DJNZ R0,INBYT1 ；循環(huán)讀出 RET 前向通道電路設(shè)計(jì)前向通道的任務(wù)是接收溫度傳感器Pt100鉑電阻的信號(hào)，將其轉(zhuǎn)變?yōu)閱纹瑱C(jī)能夠進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào)，由信號(hào)轉(zhuǎn)換電路、動(dòng)態(tài)穩(wěn)零電路、多路模擬開關(guān)、阻抗匹配電路、放大電路、A/D轉(zhuǎn)換電路等幾部分組成。原理框圖如圖所示，硬件電路如圖27所示。1．信號(hào)轉(zhuǎn)換電路 信號(hào)轉(zhuǎn)換電路由圖27中的9個(gè)惠斯登電橋組成（由于圖面所限，圖中僅繪出第1個(gè)、第2個(gè)和第9個(gè)），實(shí)現(xiàn)將8路Pt100溫度傳感器輸出的電阻信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。其中，第1個(gè)惠斯登電橋沒有外接Pt100傳感器，設(shè)置它的目的是為動(dòng)態(tài)穩(wěn)零電路提供零信號(hào)（）。余下8個(gè)惠斯登電橋的工作原理完全一致，這里以第2個(gè)電橋?yàn)槔?，它由RRRCC4組成。來自Pt100溫度傳感器發(fā)出的電阻信號(hào)以3線形式接到abc1處，a1接Pt100的一端，bc1接Pt100的另一端，于是由Pt100、RRR7構(gòu)成一個(gè)惠斯登電橋，如圖28所示。當(dāng)檢測到溫度變化時(shí)，Pt100的阻值發(fā)生變化，在A、B點(diǎn)對(duì)應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)變化的電壓 。實(shí)現(xiàn)了R/Ｖ（電阻/電壓轉(zhuǎn)換）轉(zhuǎn)換。電路中標(biāo)有r的3個(gè)電阻，是Pt100從現(xiàn)場三線連接到儀表的線路電阻。 采用惠斯登電橋的方式進(jìn)行R/V轉(zhuǎn)換的主要優(yōu)點(diǎn)是，利用橋路的對(duì)稱平衡特點(diǎn)，有效地克服供電電源Va波動(dòng)，克服Pt100引線電阻影響，克服橋路電阻溫漂問題。下面做一個(gè)簡單分析。 ① 克服橋路供電電源Va波動(dòng)影響，克服橋路電阻溫漂影響。,在圖28的電路中，忽略引線電阻影響，認(rèn)定r=0，則Rpt為Pt100的阻值，當(dāng)取R6=R7，R5=Rpt時(shí)， 。 。只要橋路4臂電阻對(duì)應(yīng)相等，則橋路輸出電壓與橋路供電電源波動(dòng)無關(guān)。當(dāng)橋路電阻RRR7隨周圍環(huán)境溫度發(fā)生變化，即出現(xiàn)溫漂時(shí)，只要R6與R7漂移幅度、方向一致，R6=R7 R5，則橋路輸出電壓受溫漂影響很小。② 克服Pt100引線電阻影響 如圖28所示，當(dāng)安裝在現(xiàn)場的Pt100傳感器通過三線連接到儀表時(shí)，要求三線長度、線徑、材質(zhì)一致，這樣做可以保證三線的線路電阻相等為r，當(dāng)rR6（R7）時(shí)，橋路輸出： 取 時(shí)， 。說明與引線電阻無關(guān)，即可以有效地克服引線電阻影響問題下面討論各參數(shù)的選取，一般取。希望當(dāng)檢測溫度為0℃時(shí)，橋路輸出Vab=0V，因此取R5=100Ω，與Pt100在0℃時(shí)的輸出值相等。RR7阻值的選取主要考慮兩個(gè)因素。第一，在給定Va的情況下，應(yīng)保證Pt100中流過的電流，也就是橋臂電流，不會(huì)在Pt100中產(chǎn)生自熱溫升，對(duì)一般封裝形式的Pt100，要求選取RR7的阻值滿足下式： RR7的阻值值不能選取過大。當(dāng)橋臂電流小于2mA時(shí)，橋路的靈敏度將降低。第二，考慮Pt100引線電阻的影響問題，當(dāng)檢測溫度不是0℃時(shí)，引線電阻r引入到橋路中會(huì)減小橋臂電流。r大小是不確定的，和具體的應(yīng)用場合有關(guān)，無法在儀表出廠時(shí)通過標(biāo)定克服。一般要求具體使用時(shí)，保證r≤5Ω。RR7選取時(shí)，要考慮，當(dāng)橋臂中引入0～5Ω電阻時(shí)，所產(chǎn)生的誤差不應(yīng)超過設(shè)計(jì)任務(wù)規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)。如果希望r≤5Ω時(shí)，橋路實(shí)現(xiàn)R/%，則滿足：，即R6≥5KΩ。綜合以上因素，在Va=5V時(shí)，可取R6=R7=10KΩ。當(dāng)檢測溫度不是0℃時(shí)，即R5≠Rpt時(shí)，RRR7的溫度漂移、Va的波動(dòng)和溫度漂移都會(huì)給橋路的R/V轉(zhuǎn)換帶來誤差。要求RRR7及Va的溫漂系數(shù)小于等于50p