【正文】 電壓監(jiān)測：Ｘ５０４５工作時，監(jiān)視Ｖｃｃ跌落到一個確定的數(shù)值時，ｘ５０４５的復(fù)位引腳７將發(fā)出一個高電平有效的復(fù)位信號，使單片機復(fù)位。只要Ｖｃｃ跌落到一個確定的數(shù)值以下，并保持在１Ｖ以上時，Ｘ５０４５能夠發(fā)出單片機需要的５Ｖ高電平的復(fù)位信號，保證單片機可靠復(fù)位。這就保證在Ｖｃｃ一旦跌落到單片機允許的工作電壓以下時，單片機處于復(fù)位狀態(tài)，否則單片機此時可能執(zhí)行某些錯誤的指令，產(chǎn)生不可預(yù)料的結(jié)果。選定Ｖｃｃ跌落到多大數(shù)值時，產(chǎn)生復(fù)位信號，可以通過對Ｘ５０４５編程決定，一般采用Ｘ５０４５出廠時默認的數(shù)值即可。ＷＤＴ超時周期選擇：Ｘ５０４５內(nèi)部的ＷＤＴ超時周期有３個數(shù)值可以編程選定，即２００ｍｓ、６００ｍｓ、１．４ｓ。ＷＤＴ的超時周期決定了單片機從“死機”狀態(tài)恢復(fù)為重新運行所需的時間。理論上講，這個時間越短越好，但對于慢速系統(tǒng)來講，太短的時間不是很有實際意義。時間選得越短，單片機正常運行時，訪問Ｘ５０４５的時間間隔也越短，會增加ＣＰＵ的負擔。4．驅(qū)動程序（1）WDT驅(qū)動程序 X5045中WDT的驅(qū)動程序有兩個，一個用于在單片機正常工作時訪問WDT，使WDT不產(chǎn)生復(fù)位信號，注意，這個程序應(yīng)當每隔一個確定的時間間隔運行一次，該時間間隔應(yīng)當小于WDT超時周期；另一個驅(qū)動程序設(shè)定WDT的超時周期。 訪問WDT驅(qū)動程序：根據(jù)X5045的使用規(guī)則，只要其引腳發(fā)生從高電平到低電平的跳變，就實現(xiàn)對內(nèi)部WDT定時器的復(fù)位，因此，根據(jù)圖23所示，即做一次輸出低再變高的操作。程序如下：CS BIT RST_WDT:CLR CS SETB CS RET設(shè)定WDT超時周期的驅(qū)動程序：根據(jù)X5045的使用要求，通過設(shè)定X5045的狀態(tài)寄存器實現(xiàn)超時周期的設(shè)置。本系統(tǒng)選定WDT的超時周期為600ms，X5045的狀態(tài)寄存器中WDWD0兩位分別設(shè)置為0、1。不考慮保護EEPROM時，狀態(tài)寄存器內(nèi)容可以設(shè)置為10H（參見X5045狀態(tài)寄存器的格式）。在設(shè)置狀態(tài)寄存器之前，需要先完成兩個操作：設(shè)置寫使能寄存器和發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令。設(shè)置流程如圖24所示。驅(qū)動程序：WREN_INST EQU 06H ；狀態(tài)存儲器寫使能命令為06HWRSR_INST EQU 01H ；寫狀態(tài)寄存器命令為01HCS BIT ；連接5045之引腳的I/SCK BIT ；連接5045之SCK引腳的I/SI BIT ；連接5045之SI引腳的I/SO BIT ；連接5045之SO引腳的I/SET_WDT： LCALL WREN_CMD ；設(shè)置寫使能寄存器 CLR SCK ；準備發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令 CLR CS MOV A，WRSR_INST ；發(fā)送寫狀態(tài)寄存器命令 LCALL OUTBYT MOV A，10H ；發(fā)送狀態(tài)寄存器內(nèi)容 LCALL OUTBYT CLR SCK ；退出設(shè)置WDT SETB CS RET以上設(shè)置WDT的子程序“SET_WDT”，用到了兩個底層的子程序“WREN_CMD”和“OUTBYT”?！癢REN_CMD”是一個設(shè)置寫使能寄存器的子程序，“OUTBYT”是一個發(fā)送1B內(nèi)容子程序。這兩個子程序是根據(jù)X5045“寫使能鎖存時序”和“寫狀態(tài)寄存器操作時序”編寫的。由于篇幅所限，X5045的相關(guān)操作時序不在這里介紹，請讀者參閱有關(guān)的技術(shù)手冊。兩個子程序如下:WREN_CMD: CLR SCK 。準備發(fā)送寫使能寄存器命令 CLR CS MOV A，WREN_INST ；將寫使能寄存器命令送A LCALL OUTBYT ；將1B命令發(fā)送出去 CLR SCK ；退出發(fā)送 SETB CS RETOUTBYT： MOV R0，8 ；1B，需要發(fā)送8個BIT位OUTBYT1： CLR SCK ；在SCK的上升沿，通過SI將內(nèi)容送入X5045 RLC A MOV SI，C SETB SCK DJNZ R0，OUTBYT1 ；循環(huán)發(fā)送 CLR SI ；退出發(fā)送 RET圖25 EEPROM寫入流程 2）EEPROM寫入程序根據(jù)X5045的使用規(guī)則，向EEPROM內(nèi)寫入內(nèi)容，按圖25所示的流程進行。；******************************************************************；子程序名：PAGE_WRITE；功能：將R1中的內(nèi)容為首地址的單片機內(nèi)部RAM的不超過1頁的內(nèi)容寫入以DPTR內(nèi)容為首地址的EEPROM中；底層子程序調(diào)用：OUTBYT、WREN_CMD；入口條件：（R1）= 待寫入到EEPROM中的內(nèi)部RAM中內(nèi)容的首地址； （DPTR）= 待寫入的EEPROM的首地址； （R2）= 要寫入的字節(jié)數(shù)，不大于1頁（4B）；使用的寄存器：A、DPTR、RR2；******************************************************************WRITE_INST EQU 02H ；寫數(shù)據(jù)命令為02HPAGE_WRITE： LCALL WREN_CMD ；設(shè)置寫使能寄存器 CLR SCR ；準備發(fā)送寫數(shù)據(jù)命令 CLR CS MOV A，DPH ；將EEPROM地址的最高位連同寫數(shù)據(jù)命令一起發(fā)送 MOV C， MOV A，WRITE_INST MOV ，C LCALL OUTBYT MOV A，DPL ；發(fā)送EEPROM的低8位地址 LCALL OUTBYTPAGE_WRITE1： MOV A，@R1 ；發(fā)送1B內(nèi)容 INC R1 LCALL OUTBYT DJNZ R2，PAGE_WRITE1 ；循環(huán)發(fā)送 CLR SCK ；退出發(fā)送 RET（3）EEPROM讀出程序；******************************************************************；子程序名：SEQU_READ；功能：將DPTR中內(nèi)容為首地址的EEPROM中的內(nèi)容讀出到以R1中內(nèi)容為首地； 址的單片機內(nèi)部RAM中；底層子程序調(diào)用：OUTBYT、INBYT；入口條件：（R1）= 單片機內(nèi)部RAM的首地址； （DPTR）= EEPROM的首地址； （R2）= 要讀出的字節(jié)數(shù)；使用的寄存器：A、DPTR；******************************************************************READ_INST EQU 03H ；讀數(shù)據(jù)命令為03HSEQU_READ: CLR SCK ；準備讀數(shù)據(jù) CLR CS MOV A,DPH ；將EEPROM 地址的最高位連同讀數(shù)據(jù)命令一起發(fā)送 MOV C, MOV A,READ_INST MOV ,C LCALL OUTBYT MOV A,DPL ；發(fā)送EEPROM的低8位地址 LCALL OUTBYTSEQU_READ1: LCALL INBYT ；讀出1B內(nèi)容 MOV @R1,A ；將讀出的1B數(shù)據(jù)存入單片機RAM中 INC R1 DJNZ R2,SEQU_READ1 ；循環(huán)讀數(shù)據(jù) CLR SCK ；推出讀數(shù)據(jù) SETB CS RET “SEQU_READ” 子程序用到了一個底層子程序“INBYT”，該子程序用于從EEPROM中讀出1B內(nèi)容，程序如下：INBYT: MOV R0,8 ；1B，8個BIT位INBYT1: SETB SCK ；準備讀出 CLR SCK MOV C,SO ；讀出內(nèi)容存于C中 RLC A ；將C中內(nèi)容存于A中 DJNZ R0,INBYT1 ；循環(huán)讀出 RET 前向通道電路設(shè)計前向通道的任務(wù)是接收溫度傳感器Pt100鉑電阻的信號，將其轉(zhuǎn)變?yōu)閱纹瑱C能夠進行處理的數(shù)字信號，由信號轉(zhuǎn)換電路、動態(tài)穩(wěn)零電路、多路模擬開關(guān)、阻抗匹配電路、放大電路、A/D轉(zhuǎn)換電路等幾部分組成。原理框圖如圖所示，硬件電路如圖27所示。1．信號轉(zhuǎn)換電路 信號轉(zhuǎn)換電路由圖27中的9個惠斯登電橋組成（由于圖面所限，圖中僅繪出第1個、第2個和第9個），實現(xiàn)將8路Pt100溫度傳感器輸出的電阻信號轉(zhuǎn)換為電壓信號。其中，第1個惠斯登電橋沒有外接Pt100傳感器，設(shè)置它的目的是為動態(tài)穩(wěn)零電路提供零信號（）。余下8個惠斯登電橋的工作原理完全一致，這里以第2個電橋為例，它由RRRCC4組成。來自Pt100溫度傳感器發(fā)出的電阻信號以3線形式接到abc1處，a1接Pt100的一端，bc1接Pt100的另一端，于是由Pt100、RRR7構(gòu)成一個惠斯登電橋，如圖28所示。當檢測到溫度變化時，Pt100的阻值發(fā)生變化，在A、B點對應(yīng)產(chǎn)生一個變化的電壓 。實現(xiàn)了R/Ｖ（電阻/電壓轉(zhuǎn)換）轉(zhuǎn)換。電路中標有r的3個電阻，是Pt100從現(xiàn)場三線連接到儀表的線路電阻。 采用惠斯登電橋的方式進行R/V轉(zhuǎn)換的主要優(yōu)點是，利用橋路的對稱平衡特點，有效地克服供電電源Va波動，克服Pt100引線電阻影響，克服橋路電阻溫漂問題。下面做一個簡單分析。 ① 克服橋路供電電源Va波動影響，克服橋路電阻溫漂影響。,在圖28的電路中，忽略引線電阻影響，認定r=0，則Rpt為Pt100的阻值，當取R6=R7，R5=Rpt時， 。 。只要橋路4臂電阻對應(yīng)相等，則橋路輸出電壓與橋路供電電源波動無關(guān)。當橋路電阻RRR7隨周圍環(huán)境溫度發(fā)生變化，即出現(xiàn)溫漂時，只要R6與R7漂移幅度、方向一致，R6=R7 R5，則橋路輸出電壓受溫漂影響很小。② 克服Pt100引線電阻影響 如圖28所示，當安裝在現(xiàn)場的Pt100傳感器通過三線連接到儀表時，要求三線長度、線徑、材質(zhì)一致，這樣做可以保證三線的線路電阻相等為r，當rR6（R7）時，橋路輸出： 取 時， 。說明與引線電阻無關(guān)，即可以有效地克服引線電阻影響問題下面討論各參數(shù)的選取，一般取。希望當檢測溫度為0℃時，橋路輸出Vab=0V，因此取R5=100Ω，與Pt100在0℃時的輸出值相等。RR7阻值的選取主要考慮兩個因素。第一，在給定Va的情況下，應(yīng)保證Pt100中流過的電流，也就是橋臂電流，不會在Pt100中產(chǎn)生自熱溫升，對一般封裝形式的Pt100，要求選取RR7的阻值滿足下式： RR7的阻值值不能選取過大。當橋臂電流小于2mA時，橋路的靈敏度將降低。第二，考慮Pt100引線電阻的影響問題，當檢測溫度不是0℃時，引線電阻r引入到橋路中會減小橋臂電流。r大小是不確定的，和具體的應(yīng)用場合有關(guān)，無法在儀表出廠時通過標定克服。一般要求具體使用時，保證r≤5Ω。RR7選取時，要考慮，當橋臂中引入0～5Ω電阻時，所產(chǎn)生的誤差不應(yīng)超過設(shè)計任務(wù)規(guī)定的技術(shù)指標。如果希望r≤5Ω時，橋路實現(xiàn)R/%，則滿足：，即R6≥5KΩ。綜合以上因素，在Va=5V時，可取R6=R7=10KΩ。當檢測溫度不是0℃時，即R5≠Rpt時，RRR7的溫度漂移、Va的波動和溫度漂移都會給橋路的R/V轉(zhuǎn)換帶來誤差。要求RRR7及Va的溫漂系數(shù)小于等于50p