【正文】 ????? ??? j w nCj nw LRpnw 1//)() 2PZ（說明回路對高次諧波呈容性阻抗 LQwRCLR 0P ???)1() 2Pn w Cn w Lj n w Cn w Lpnw???Z（ )()1( 22 Q w LpQn nj ???wPZQnnj )()1( 2 ???12 ?LCw2）諧波 nw時，阻抗 Rp 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 結(jié)論：回路阻抗對于各次諧波來說，它們的值與諧振于 基波的值相比，小到可以忽略的程度。 wPnwP ZQnnjZ )()1()( 2 ???wPnwP ZQnnZ )()1()( 2 ??wPwPwP ZZZn )(0 6 )(10)14(2)( 22 ?????wPwPwP ZZZn )(0 3 7 )(10)19(3)( 33 ?????wPwPwP ZZZn )(0 2 6 )(10)116(3)( 44 ?????0)(10)10( 0)( 0 0 ????? wPP ZZn廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 1）對直流分量，電路等效為： (ZP)0= 0 (ZP)nw=小 iC0 (ZP)0 VCC + + + vCE vc CC00CCcCCCE )( VZIVvV PC ?????v2）對基波分量，電路等效為： (ZP)w= Rp iC1 (ZP)w VCC + + + vCE vc wtVVwtRIVwtZIVvVpwpc o sc o sc o s)(cmCCc m 1CCc m 1CCcCCCE????????v電路發(fā)生諧振 3）對諧波分量，電路等效為： iCn (ZP)nw VCC + + + vCE vc ]2c os)(c os)()([)(2c m 2c m 10C0CCCCcCCCE??????????wtZIwtZIZIVZiVvVwPwPPnwPCvCCc m nCCcCCCE c o s)( Vn w tZIVvV nwp ?????vwtZIV wP co s)(c m 1CC ??廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 飽和區(qū) 過壓區(qū) 放大區(qū) 欠壓區(qū) 截止區(qū) BEvciBBV? VBZ C?C??wtV c o sbmb ?vvb wt ic wt wtVV co sbmBBBE ???v vCE wt vBE wt BBV?bmVcmVCmaxiC?C??cmIA B ? Q ? Q VCC vCE iC bmBBB E m a x VV ???vCminv0V動態(tài)特性曲線、工作路 cV ? coscmcI ? coscmbmVcV ? cosbmCESV廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 ci 經(jīng) LC 并聯(lián)諧振回路后，此回路對基波產(chǎn)生諧振，呈純電阻PR ci （最大值），而對其它諧波失諧阻抗很低，呈電容性。 因而回路選出基波電壓 1cu ，而濾除各次諧波電壓。 vb VBZ VBB Icmax vBE t ib t ic t vCE vc t VCC Vcm Vbm 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 1. 獲得高效率的條件 coooPPPPP??? ?c?2. 提高丙類諧振功放效率的途徑 co PP ???cc1 ??改寫成：例： ?????? c )1 ?oc PPP 一定，????? cCCCECECCEc PiivvivP ，則，而，在同一時刻，若由 m a xm i n?????? c )2 ?oc PPP 一定， 41 %20 1c coc PPP ????一定， 12 3 %75 12c ococ PPPP ?????一定，?????? c )1 ?oc PPP 一定，??? c )2 ?? c廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 t ? 或電壓 電流 0 V BZ V CC V － BB V bm V cm ? i C i c max c i C v CE v BE v CE min 1. iC 與 vBE同相，與 vCE反相。 2. iC 脈沖最大時， vCE最小。 tVV ?c o sbmBBBE ???vtVV ?c o scmCCCE ??v廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 E E 電路正常工作（丙類、諧振）時， 外部電路關(guān)系式： ????? tItIIi ?? 2c o sc o s c m 21cm0cCwtVVwtRIVvV p c o sc o s cmCCc m 1CCcCCCE ??????vwtQ w LpIwtRIRiv pp c o s)(c o s 2c m 1c m 1C1c ???1. 直流功率 2. 輸出交流功率 c m 1cm21 IV ??p21cmp2cm212 RIRV ??CCCCCCCCC VIViViCC?????? ?? ??? 02 12 1 ???? ??P?? ?? C C d w tvi cC???21oP )]([21 1c m a xcm ciV ???tVV ?co sbmBBBE ???v集電極電壓利用系數(shù) 波形系數(shù) ?? PPoc?0c1cmCCcm0cCC1cmcm2121IIVVIVIV?????3. 集電極耗散功率 oC 21 PPP ???????CCd w tvi CEC???4. 集電極效率 )(21 c1 ?? g???0cc m 1c1 )( IIg ??波形系數(shù) )()(c0c1 ?? ???cccccc c o ss in s inc o s ??? ??? ???????? cc1c )( ??? g可見：%50 1)( 180 cc1c ??? ??? g?甲類：% )( 90 cc1c ??? ??? g?乙類：%90 )( 60 cc1c ??? ??? g?丙類：為了兼顧功率與效率，最佳通角取 70?左右。 高頻功率放大器的動態(tài)特性與負(fù)載特性 各極電壓對工作狀態(tài)的影響 工作狀態(tài)的計算 (估算 )舉例 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 因此，下面分析四個參數(shù) Rp和電壓 VCC 、 VBB、 Vbm的變化 對工作狀態(tài)的影響，即諧振功放的動態(tài)特性，從而闡明各種工 作狀態(tài)的特點，為工作狀態(tài)的調(diào)整提供參考。 集電極效率 η c和輸出功率 Po是否能最佳實現(xiàn)最終 取決于 功放中外部電路參數(shù) Rp和電壓 VBB、 Vbm 、 VCC 。 bmBZBBcc osVVV ???)( c1m a x1cm ??CiI ? )c o s1(m a x cbmcC Vgi ??)(21)( )(2121 c1c10c1cmCCcmoc ???? ???? gIIVVPP ???????????Pcmcmcmo RIIVP 2 11 2121 ??CECCcmpcmCBEbmBB vVVRIivVV ?????????????? 1 個參數(shù)。及，于高功放的工作狀態(tài)取決4bmBBpCC VVRV廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 1. 高頻功放的動態(tài)特性 ? ?0CEdC Vg ?? vicmcmcmbmcd VIVVgg ?????)c o s1)((11)c o s1)((1)c o s1(1P1cm1cmC m a xcccccmcRVIVi??????????????????C?C??ic wt CmaxicmIcI ? coscmvCE wt cmVC?C??A B ? Q VCC vCE iC bmBBB E m a x VV ???vCminv0V動態(tài)特性曲線、工作路 cV ? coscm廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 vBEmax 2. 高頻功放的負(fù)載特性 vBE iC ? VBB ? VBZ vBE C??C?iC C?C??gC Vbm ? vBEmax iCmax vCE iC VCC ? Q vCEmin ? 1) 當(dāng) CCV 、 BBV 、 bmV 不變時，動態(tài)特性曲線與負(fù)載 PR 的關(guān)系。 過壓區(qū) 欠壓區(qū) A）欠壓工作狀態(tài) 極電壓利用不充分。為尖頂余弦脈沖，集電，所交的點位于放大區(qū)。，動態(tài)特性曲線與當(dāng)CCECCcmC E SCEBEPicvVVVvbvgR ) ) a)m i nm i nm a xd??????VCES 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 vBEmax 2. 高頻功放的負(fù)載特性 vBE iC ? VBB ? VBZ vBE C??C?iC C?C??gC Vbm ? vBEmax iCmax vCE iC VCC ? Q vCEmin ? 1) 當(dāng) CCV 、 BBV 、 bmV 不變時，動態(tài)特性曲線與負(fù)載 PR 的關(guān)系。 過壓區(qū) 欠壓區(qū) VCES gcr B）臨界工作狀態(tài) 為尖頂余弦脈沖。三線相交于一點。和線以及動態(tài)特性曲線與臨界飽CC E SCCCECCcmC E SCEBEicVVvVVVvbv ), ) a)m i nm i nm a x?????臨界區(qū) 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 vBEmax 2. 高頻功放的負(fù)載特性 vBE iC ? VBB ? VBZ vBE C??C?iC C?C??gC Vbm ? vBEmax iCmax vCE iC VCC ? Q vCEmin ? 1) 當(dāng) CCV 、 BBV 、 bmV 不變時，動態(tài)特性曲線與負(fù)載 PR 的關(guān)系。 過壓區(qū) 欠壓區(qū) VCES gcr 臨界區(qū) gd ? ? ? vCEmin C）過壓工作狀態(tài) 弦脈沖。的波形頂部為下凹的余。飽和區(qū)所交的點位于過壓區(qū)，動態(tài)特性曲線與當(dāng)CCECCcmC E SCEBEPicvVVVvbvgRa ) ))( )m i nm i nm a xd????????廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院 《 高頻電路 》 第 6章 Po ic vCE Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Rp 欠壓區(qū) 過壓區(qū) 臨界區(qū) Icm1 ICo c?P= Pc vBEmax Vcm 1）欠壓區(qū) ???????????????????? 001100