【正文】
學(xué)院 模擬電子技術(shù) —— 二極管及其基本電路 P 區(qū) N 區(qū) 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) IR 漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成反向電流 IR IR = I少子 ? 0 ? + U R 電氣與信息學(xué)院 模擬電子技術(shù) —— 二極管及其基本電路 PN結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流; PN結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。 由此可以得出結(jié)論: PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? 電氣與信息學(xué)院 模擬電子技術(shù) —— 二極管及其基本電路 3. PN結(jié) V I 特性表達(dá)式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死區(qū) 電壓 IS iD = 0 Uth = V V (硅管 ) (鍺管 ) U ? Uth iD 急劇上升 0 ? U ? Uth )1( /SD D ?? TVveIiIS —— 反向飽和電流 VT —— 溫度的電壓當(dāng)量 ,且在常溫( T=300K)為 26mV UD(on)= 硅管 鍺管 V