【正文】
? U R 外電場(chǎng) 外電場(chǎng)使多子向 PN 結(jié)移動(dòng) , 中和部分離子 使空間電荷區(qū)變窄。 電氣與信息學(xué)院 模擬電子技術(shù) —— 二極管及其基本電路 3. PN結(jié) V I 特性表達(dá)式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死區(qū) 電壓 IS iD = 0 Uth = V V (硅管 ) (鍺管 ) U ? Uth iD 急劇上升 0 ? U ? Uth )1( /SD D ?? TVveIiIS —— 反向飽和電流 VT —— 溫度的電壓當(dāng)量 ,且在常溫( T=300K)為 26mV UD(on)= 硅管 鍺管 V 電氣與信息學(xué)院 模擬電子技術(shù) —— 二極管及其基本電路 3. PN結(jié) V I 特性表達(dá)式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 反向特性 IS U (BR) 反向擊穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS ?A(硅 ) U U(BR) 反向電流急劇增大 (反向擊穿 ) 電氣與信息學(xué)院 模擬電子技