表面處理工藝-pvd及其他-文庫吧
2025-04-18 08:00 本頁面
【正文】 計。 薄膜厚度的測量 干涉顯微鏡法 稱重法 石英晶體振蕩器法 ?Amt?真空蒸發(fā)鍍 ? 基本思想：提高溫度，熔解并蒸發(fā)材料 ? 將材料置于某種容器內(nèi)（上） ? 將用高熔點金屬 (W, Mo, Ta, Nb)制成的加熱絲或舟通上直流電，利用歐姆熱加熱材料 ? 將用絕緣材料 (quartz, graphite, alumina, beryllia, zirconia)制成的坩堝通上射頻交流電，利用電磁感應(yīng)加熱材料 真空蒸發(fā) 真空 泵 加 熱絲 、舟或坩 堝 襯 底架 玻璃 鐘 罩 厚度 監(jiān) 控 儀 充氣管道 反 應(yīng) 氣體管道 襯 底 Plume 常用蒸 發(fā) 源 加 熱絲 加 熱 舟 坩 堝 盒狀源（ Knudsen Cell） InSn絲 NCVM鍍 膜材料 錫 粒 NCVM工 藝 流程 PVD蒸鍍法 真空蒸鍍 濺射蒸鍍 粒子生成 機構(gòu) 熱能 動能 粒子 原子、 離子 原子、 離子 蒸 鍍均勻性 復(fù)雜形狀 佳 普通 平面 佳 優(yōu) 蒸 鍍金屬 可 可 蒸 鍍 合金 可 可 蒸 鍍 耐 熱 化合物 可 可 粒子能量 很低 ~ 可提高 1~100eV 惰性氣體離子沖擊 通常不可以 可，或依形狀不可 表面 與層間 的混合 通常 無 可 加熱（ 外加 熱 ） 通常 無 可 蒸 鍍 速率 109m/sec ~ ~ 金屬在制成厚度低於 100nm 的薄膜時 ,都會形成島狀不連續(xù)的金屬膜 ,使得其電阻率大幅增加 NCVM不 導(dǎo)電 的原理 性能： ESD , 阻 值 (200M~20G以上 ) ； RF的 測試 ； 常 規(guī) 信 賴 性 測試 。 網(wǎng)絡(luò)分析儀 影響良率的因素 薄膜厚度 50nm 50100nm 100nm 薄膜厚度的均勻性 鎢絲籃的分布 鍍膜用量的分布 空間中真空度的均勻性 噴涂的品質(zhì) 雜質(zhì) 橘皮 積漆 電子束蒸發(fā)鍍 原理：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發(fā)后，凝結(jié)在基片表面成膜的一種方法。電子束獲得能量密度大，可加熱到 3000度以上，可同時滿足高熔點材料蒸發(fā)，如鎢、SiO Al2O3等。 被蒸鍍材料放在水冷坩堝內(nèi)，可免容器材料蒸發(fā)及其與膜材的反應(yīng)。 電子束轟擊膜材時，會激發(fā)許多有害的反射電子、背散射電子及二次 電子，損傷基片。 電子束蒸發(fā)鍍 坩 堝 與材料 襯 底 真空室 真空 泵 厚度 監(jiān) 控 儀 充氣管道 反 應(yīng) 氣體管道 Plume 電 子 槍 EGun Crucible Substrate fixture 常用蒸發(fā)材料形態(tài) SiO2/MgF2 五氧化三鈦 ZnS 氧化鋯 ZnS 三氧化二鈦 光學增透膜 用于玻璃基底的增透膜 經(jīng) 典的 單層 增透膜由一薄 層 MgF2構(gòu)成， MgF2在 510nm時 的折射率 為 n=，需要的膜厚 為 d=92nm。因此，在 510nm波長時 膜 層 有一個光學密度（厚度） n*d為 1/4的波 長 。鍍 在加 熱到 250300176。C的玻璃基底上的 MgF2，不但牢固， 穩(wěn) 定，并且相當方便， 經(jīng)濟 ，直接使用蒸 發(fā) 船便可。 想得到更低的反射率，最 簡單 的方法是 鍍 一 層 CeF3和一 層MgF2（各 為 1/4的光學厚度），可用蒸 發(fā) 船。 2層 膜的 優(yōu) 點是在可 見 光范 圍 的中段有更低的反射率，缺點在于在 紅 ，藍 端的反射率上升 過 快。 由于 2層 膜的效果不理想， 為 了達到理想的效果，必 須 使用 3層 或多 層 膜。 6層 AR膜：玻璃 /TiO2/SiO2/ TiO2/SiO2 TiO2/SiO2 厚度范圍（ nm） 9~13/30~40/50~80/1~15/22~40/80~90 AR寬度范圍： %,430~680nm 真空濺射鍍 濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下轟擊作為陰極的靶材，使靶材中的原子（或分子）逸出并沉積到基板表材上形成所需要的膜。在陰極靶材上造一個正交的磁場，是的電離的幾率增加，就成為了廣泛應(yīng)用的磁控濺射鍍。 分 類 ： 非反應(yīng)濺射 反 應(yīng)濺 射 直流磁控濺射 中頻磁控濺射 射頻磁控濺射 成膜條件： 靶材 Ar 周圍的真空環(huán)境 磁控濺射
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