《電子電路基礎(chǔ)》ppt課件 (2)-文庫吧
2025-04-16 18:02 本頁面
【正文】 當反向電壓超過 V(BR)時，反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦阅鼙黄茐?，甚至引起二極管損壞。 ? 反向電流 IR 反向電流越小，管子的單向?qū)щ娦栽胶谩? ? 最高工作頻率、反向恢復(fù)時間 光電二極管 正常工作在反偏狀態(tài) 。無光照時，只有很小的反向飽和電流，稱為暗電流；有光照時， PN結(jié)受光激發(fā)，產(chǎn)生大量電子空穴對，形成較大的光電流。 通常由硅材料制成，管殼有接收光照的透鏡窗口。 光電二極管的 電流與照度成正比 ，用于信號檢測、光電傳感器、電機轉(zhuǎn)速測量等。 發(fā)光二極管 電致發(fā)光器件，將電信號轉(zhuǎn)換成光信號。 通常由 磷砷化鎵 （ GaAsP)、 磷化鎵 （ GaP)制成 光的波長（顏色）與材料有關(guān) 正偏導(dǎo)通時發(fā)光 發(fā)光二極管的開啟電壓和正向?qū)妷罕绕胀ǘO管大，正向電壓一般為 ~。亮度與正向電流成正比，一般 515mA。 22 三極管 ? 三極管結(jié)構(gòu) 22 三極管 無論 PNP型還是 NPN型晶體三極管都有相同的名稱： 晶體三極管中間的區(qū)域為基區(qū) ， 兩邊的分別為發(fā)射區(qū)和集電區(qū) 。 三個電極分別稱為基極 (用 b表示 )、 發(fā)射極 (用 e表示 )、 集電極 (用 c表示 )。 發(fā)射極與基極之間的 PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié) （ 簡稱 e結(jié) ） ；集電極與基極之間的 PN結(jié)稱為集電結(jié) （ 簡稱 c結(jié) ） 。 22 三極管 ? 結(jié)構(gòu)特點 ? 基區(qū) ：最薄，摻雜最少，多子濃度最低；用于傳遞和控制載流子 ? 發(fā)射區(qū) ：摻雜最多，多子濃度最大；用于發(fā)射多子 ? 集電區(qū) ：摻雜較多，多子濃度較大；用于收集載流子。集電區(qū)的載面積大于發(fā)射區(qū)的載面積 22 三極管 ? 三種連接方式 集電極不能作為輸入端，基極不能作為輸出端 22 三極管 ? 放大原理：基極電流對集電極電流的控制作用來實現(xiàn)電流放大 BCBC E OCIIIII ????輸入輸出特性曲線 ? 共射極輸入特性 基極電流 iB與發(fā)射結(jié)電壓vBE之間的關(guān)系 c o n s tvBEB CEvfi ?? |)(與 PN結(jié)正向伏安特性曲線相似，當 vCE＞ 1時，輸入伏安特性基本不變。 輸入輸出特性曲線 ? 共射極輸出特性 輸出特性曲線族 ? 截止區(qū) ? 飽和區(qū) ? 放大區(qū) 截止區(qū) ? 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 等效電路 0 ,0 ?? CB ii飽和區(qū) ? 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 等效電路 0 ,0 ?? CBBE Vv放大區(qū) ? 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 等效電路 ,0 ?? CEB vi三極管基本參數(shù) ? 共射極直流電流放大倍數(shù) ? 共射極交流電流放大倍數(shù) ? 集電結(jié)反向飽和電流 ICBO 。 ? 穿透電流 ICEO ? 集電極最大允許電流 ICM ? 集電極最大允許功耗 PCM ? 反向擊穿電壓 23 MOS場效應(yīng)管 場效應(yīng)管 是一種電壓控制的、只有一種極性的載流子參于導(dǎo)電的單極性半導(dǎo)體器件。 按結(jié)構(gòu)分：結(jié)型和絕緣柵型（ MOS） 按工作性能分：耗盡型和增強型 按基片（襯底）材料分： P溝道和 N溝道 PMOS NMOS 24 醫(yī)用傳感器 ? 電極 通過與生物體的接觸耦合，將生物體內(nèi)的電位和生物電流有效地導(dǎo)出的敏感元件 ? 化學(xué)傳感器 基于化學(xué)原理的、以化學(xué)物質(zhì)為檢測對象的一類傳感器。主要有離子傳感器和氣體傳感器等 ? 生物傳感器 利用某些生物活性物質(zhì)所具有的高度選擇性，來識別待檢測生物化學(xué)物質(zhì)的一類傳感器 24 醫(yī)用傳感器 ? 物理傳感器 根據(jù)檢測對
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