固態(tài)相變原理 ch2-3 概論-文庫吧
2025-03-07 00:57 本頁面
【正文】 ?? ????； )(fG)EvGv(VA)(AG )r(s)r(s ???? ?????? ?????????? LLLΔ)r(G?為半徑為 r的球形 ?核心在 ?相中出現(xiàn)導致的系統(tǒng)自由能變化 (1)異質界面形核 4. 非均勻形核 系統(tǒng)自由能變化為 ? ? dVV GAEGVG ????????? ?缺陷 (消失而 )提供的能量 2)co s1)(co s2(41)(f ??? ???)(fG)EvGv(VA)(AG )r(s)r(s ???? ?????? ?????????? LLLΔ2)co s1)(co s2(41)(f ??? ???*sr *sG?界面臨界核心的半徑 及成核勢壘 分別為 **s rr ?)(fGG **s ?????1)(f ?? ， 所以 ?相依托雜質表面 成核總可以降低成核勢壘，除非 s???? ??? ??S(1)異質界面形核 (2)晶界形核 界面：兩個相鄰晶粒的邊界 界棱：三個晶粒共同交界的一條線 界隅：四個晶粒交于一點處 (a)界面形核 (b)界棱形核 (c)界隅形核 新相 非共格界面 晶界 共格或半共格界面 晶粒 1 晶粒 2 晶界形核示意圖 只有晶界兩側界面都不共格時，晶核才類似球形。通常新相在大角度晶界形核時，一側可能與母相具有一定的取向關系形成 平直的共格或半共格界面 ，以降低界面能、減少形核功；另一側必為 非共格界面 ，為減少相界面面積，故呈 球冠狀 。 晶界不同位置形核功比較 形核位置密度？ 位錯可通過多種形式促進形核： ① 位錯線消失 ? 釋放能量 ? 有利形核 ② 位錯不消失 ， 位錯依附于新相界面上補償錯配 ? 降低應變能 ③ 溶質原子在位錯線上偏聚 ? 有利形核的成分起伏 ? 有利形核 ④ 位錯線作為擴散的短路通道 ? 降低擴散激活能 ? 加速形核 ⑤ 位錯分解 ? 擴展位錯 ? 層錯部分作為新相的核胚 a/2[110] → a/6[211]+a/6[121] 全位錯 肖克來不全位錯 (3)位錯形核 (4)空位的作用 ① 加速擴散過程 ②釋放自身能量提供形核驅動力而促進形核 ③空位聚集崩塌形成位錯圈促進形核 S25 非勻相固態(tài)相變的長大 新相長大 相界面的遷移 1. 固
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