【總結(jié)】2022/2/4JianFang1集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)概述JianFangICDesignCenter,UESTC2022/2/4JianFang2微電子制造工藝2022/2/4JianFang3IC常用術(shù)語(yǔ)園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】第十一講差分放大電路第十一講差分放大電路一、零點(diǎn)漂移現(xiàn)象及其產(chǎn)生的原因二、長(zhǎng)尾式差分放大電路的組成三、長(zhǎng)尾式差分放大電路的分析四、差分放大電路的四種接法五、具有恒流源的差分放大電路六、差分放大電路的改進(jìn)一、零點(diǎn)漂移現(xiàn)象及其產(chǎn)生的原因1.什么是零點(diǎn)漂移現(xiàn)象:ΔuI=0,ΔuO≠0的現(xiàn)象。產(chǎn)生原因:溫度變
2025-07-21 01:09
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門(mén)電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門(mén)電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)3?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]:運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路,它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號(hào)的加法、減法積分和微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便,把運(yùn)放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長(zhǎng)?外延生長(zhǎng)為在單晶襯底(基片)上生長(zhǎng)一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長(zhǎng)外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
【總結(jié)】555定時(shí)器及其應(yīng)用555定時(shí)器用555定時(shí)器組成施密特觸發(fā)器用555定時(shí)器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時(shí)器組成多諧振蕩器555定時(shí)器是一種應(yīng)用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號(hào)的產(chǎn)生、變換、控制與檢測(cè)。555定時(shí)器及其應(yīng)用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-05 18:18
【總結(jié)】第五章反饋放大電路國(guó)家級(jí)精品課程南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院反饋的基本概念與分類反饋的基本概念反饋的分類與判斷負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響深度負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性分析第五章反饋放大電路
2025-01-19 11:59
【總結(jié)】模擬電子產(chǎn)品裝配與調(diào)試第5章集成運(yùn)放模擬電子技術(shù)輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)偏置電路集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)介一、集成運(yùn)算放大器的組成通常由差動(dòng)放大電路構(gòu)成,目的是為了減小放大電路的零點(diǎn)漂移、提高輸入阻抗。通常由共發(fā)射極放大電路構(gòu)成,目的是為了獲得較高的電壓放大倍數(shù)。通常由互補(bǔ)對(duì)稱電路構(gòu)成,目的
2025-01-19 12:00
【總結(jié)】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理JFET的特性曲線及參數(shù)JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)#符號(hào)中的箭頭方向表示什么?2.工作原理①vGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)vGS<0,vDS=0時(shí)(以N溝道J
2025-08-09 15:32
【總結(jié)】下一頁(yè)總目錄章目錄返回上一頁(yè)第七章反饋放大電路下一頁(yè)總目錄章目錄返回上一頁(yè)對(duì)你的期望1、熟悉反饋基本概念,掌握基本類型判別;熟悉反饋方框圖;2、掌握負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響;4、能根據(jù)要求為電路引入適當(dāng)?shù)姆答仯?、了解反饋放大電路的自激;第七章反饋放大電路3、
2025-02-17 01:11
【總結(jié)】第六章反饋放大電路第一節(jié)四種類型的放大電路?電壓放大電路?電流放大電路?互阻放大電路?互導(dǎo)放大電路第二節(jié)反饋的定義與分類基本概念針對(duì)四種類型的放大電路,交流負(fù)反饋的四種類型放大電路A輸入信號(hào)(vi或ii)輸出信號(hào)(vo或
2025-01-19 10:07
【總結(jié)】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴(kuò)散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長(zhǎng)工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-18 20:36
【總結(jié)】集成電路分析與設(shè)計(jì)第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無(wú)源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對(duì)于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-07 01:53