【正文】 適用于硅片少子壽命的 測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè) 量。 （ 3）產(chǎn)品特點(diǎn) ? 測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命 及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。 ? 主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查 ， 生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。 ? 適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá) ρ ＞ ?cm（可擴(kuò)展至 ?cm），完全解決了微波光電導(dǎo)無(wú)法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。 ? 全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（ uPCD）無(wú)法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)， 表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。 ? 貫穿深度大，達(dá) 500 微米，相比微波光電導(dǎo)的 30 微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少 子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。 ? 專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅 材料 少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。 ? 性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外國(guó)外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè) 試成本。 （ 4）技術(shù)參數(shù) ? 測(cè)試材料：硅半導(dǎo)體材料 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等， 鍺半導(dǎo)體材料。 ? 少子壽命測(cè)試范圍 :1μ s6000μ s ? 可測(cè)低阻硅料下限： .cm, 可擴(kuò)展到 .cm ? 激光波長(zhǎng)： m ? 激光在單晶硅中的貫穿深度： 500μ m ? 工作頻率： 30MHz ? 低輸出阻抗，輸出功率＞ 1W ? 電源：～ 220V 50Hz 功耗＜ 50W 探針輪廓儀 設(shè)備名稱： 探針輪廓儀設(shè)備編號(hào)： HIKSCT6 （ 1）系統(tǒng)簡(jiǎn)介 Dektak 150集四十余年的技術(shù)積累和創(chuàng)新于一身，為滿足用戶不同應(yīng)用方向的需要 提供了多種可選配置。堅(jiān)固的鋁質(zhì)材料鑄成的機(jī)身框架以及支撐部件顯著提高了儀器的 重復(fù)精度，并降低了地板噪音對(duì)測(cè)量的干擾?；?Windows XP 的 Dektak 隨機(jī)配備軟 件系統(tǒng)界面友好，為用戶提供了完善的分析功能。 “ 一鍵式 ” 操作方式使得測(cè)量工作簡(jiǎn)單 易行。通過選配三維成像附件套裝還可以極 大地?cái)U(kuò)充儀器的功能。 （ 2）應(yīng)用范圍 探針式表面輪廓儀 (臺(tái)階儀 )，主要應(yīng)用于薄膜厚度測(cè)量、樣品表面形貌測(cè)量、薄膜 應(yīng)力測(cè)量、樣品表面粗糙度 /波紋度測(cè)量、以及樣品表面三維形貌測(cè)量等眾多領(lǐng)域。 （ 3）主要特點(diǎn) ? 臺(tái)階高度測(cè)量的高重復(fù)性 ? 基于精密加工光學(xué)參考平面的樣品臺(tái)，確保在長(zhǎng)距離掃描中基線的穩(wěn)定性 ? 出色的易用性、易維護(hù)性 ? 最好的樣品適用性 ? 高分辨率的粗糙度測(cè)量 ? 功能強(qiáng)大的軟件分析系統(tǒng) ? 三維表面形貌測(cè)量的功能可升級(jí)性 ? 廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域 （ 4）技術(shù)參數(shù) ? 測(cè)量重復(fù)性 6 ? 掃描長(zhǎng)度 50μ m55mm ? 單次掃描最大數(shù)據(jù)點(diǎn) 60,000個(gè) ? 允許樣品最大高度 100mm (根據(jù)配置不同會(huì)有所變化 ) ? 垂直范圍量程 524μ m (1mm 選配 ) ? 最高垂直分辨率 1 ? ( m 量程范圍下 ) ? 樣品臺(tái) 150mm， XYθ 手動(dòng)調(diào)節(jié) ? 探針壓力范圍 115mg ( 選配 ) ? 攝像頭顯微鏡視野范圍 ( 選配 ) 全自動(dòng)電化學(xué) CV測(cè)試儀 設(shè)備名稱： 全自動(dòng)電化學(xué) CV 測(cè) 試儀 設(shè)備編號(hào)： HIKSCT7 （ 1）系統(tǒng)簡(jiǎn)介 全自動(dòng)電化學(xué) CV 測(cè)試儀適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被 使用在多種不同的材料上，例如： Silicon, Germanium, IIIV including IIINitrides. 全自動(dòng)電化學(xué) CV 測(cè)試儀的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率， 準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布．選用合適的電解液與材料接觸， 腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動(dòng)控制。 （ 2）應(yīng)用范圍 適用材料 : CVP21 應(yīng)用范圍寬， 可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。 ? IV 族化合物半導(dǎo)體如：硅 (Si)、鍺 (Ge)、碳化硅 (SiC)等… ? IIIV 族化合物半導(dǎo)體如：砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP)、磷化鎵 (GaP)等… ? 三元 IIIV 族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵砷 (AlGaAs)、鎵銦磷 (GaInP)、鋁銦砷 (AlInAs) 等… ? 四元 IIIV 族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵銦磷 (AlGaInP)等… ? 氮化物如：氮化鎵 (GaN)、鋁鎵氮 (AlGaN)、銦鎵氮 (InGaN)、鋁銦氮 (AlInN)等… ? IIVI 族化合物半導(dǎo)體如：氧化鋅 (ZnO)、碲化鎘 (CdTe)、汞鎘碲 (HgCdTe)等… 樣品大?。?CVP21 可用于不同形態(tài)的樣品：多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制 (基底 導(dǎo)電或絕緣均可 ) （ 3）技術(shù)參數(shù) 載流子濃度測(cè)量范圍 : ?最大 1021/cm179。 ?最小 1011/cm179。 深度解析度 : ?最大無(wú)上限 ?最小可至 1 nm （或更低） 模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) : ?拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu) ?實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過程 ?適于微小樣品及大尺寸的晶圓 掃描探針顯微鏡 設(shè)備名稱： 掃描探針顯微鏡 SPM 設(shè)備編號(hào)： HIKSCT8 （ 1）系統(tǒng) 特點(diǎn) ? 在掃描器量程內(nèi)任意范圍、任意角度實(shí)現(xiàn)非線性校正及標(biāo)定，非線性度小于 1%， 正交性小于 1o，接近國(guó)際先進(jìn)水平，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先 ? 獨(dú)特的機(jī)械結(jié)構(gòu)和光路設(shè)計(jì)以及各種減噪措施的采用，使儀器在常規(guī)環(huán)境達(dá)到原子 分辨 ? 高性能納米步進(jìn)馬達(dá)，可自動(dòng)控制和手動(dòng)控制，為用戶提供完善的操作控制方案 ? 采用專利技術(shù)制造的掃描器具有不受環(huán)境影響、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn) ? 針尖保護(hù)技術(shù)有效的降低樣品對(duì)針尖的磨損，使針尖的使用壽命更長(zhǎng) ? 控制系統(tǒng)采用全數(shù)字化技術(shù)，集成數(shù)字鎖相放大技術(shù)和直接數(shù)字頻率合成技術(shù) ? DSP 芯片可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 的浮點(diǎn)運(yùn)算，充分滿足 SPM 對(duì)各種數(shù)據(jù)處理和控制需 求，使 SPM 表現(xiàn)更出色 ? 模塊化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，開放的結(jié)構(gòu)，用戶可基于儀器二次開發(fā) ? 采用 PC 機(jī)的通訊，提供高達(dá) 480Mb/s 數(shù)據(jù)傳輸，與 PC 機(jī)的連接更加方便快捷 ? 人性化設(shè)計(jì)的在線軟件功能強(qiáng)大且操作簡(jiǎn)便 （ 2）系統(tǒng)配置 控制箱 控制箱能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)前所有的 SPM 的功能，預(yù)留的采樣 A/D 和 D/A 輸出充分滿 足用戶對(duì)功能擴(kuò)充的需求，同時(shí)還留有硬件升級(jí)擴(kuò)展槽，提供更為強(qiáng)大的硬件 支 持。全數(shù)字化電子學(xué)控制箱，采用最新的 DSP 浮點(diǎn)芯片，運(yùn)算速度高達(dá) ，采用 18位 ADC 芯片，采樣速度高達(dá) 500K，有一個(gè) 16位高速 ADC， 采樣速度高達(dá) 5MHz。 24位 DA 芯片精確控制掃描器的 XYZ 三個(gè)方向移動(dòng)，達(dá) 到目前業(yè)界最高精度。 ，通用、方便、高速。 探頭 科研型 AFM 探頭，含激光器、四象限探測(cè)器、高靈敏度前置放大電路、反射 鏡等，改進(jìn)的機(jī)械結(jié)構(gòu)，使系統(tǒng)更穩(wěn)定，可通過 CCD 顯微鏡方便觀察樣品和 針尖。 基座 科研型 AFM 專用底座，支撐 AFM 探頭；包括，手動(dòng) /自動(dòng)進(jìn)針系統(tǒng)，數(shù)據(jù)采 集系統(tǒng)，與探頭和控制箱的接口等。獨(dú)特的防震設(shè)計(jì)，使 AFM 的分辨率可達(dá) 原子級(jí)。可容納樣品尺寸： Φ≤ 25mm，樣品厚度 ≤10mm。 掃描器 科研型 AFM 提供兩個(gè)范圍的掃描器，掃描范圍 1020μ m 和 30～ 50μ m，每個(gè)掃 描器都提供一組特定的矯正和標(biāo)定參數(shù)，用來(lái)校正標(biāo)定掃描器，經(jīng)校正標(biāo)定后 非線性度小于 1%，正交性小于 1o。該指標(biāo)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，接近國(guó)際水平。 科研型 AFM 在線 控制軟件 科研型 AFM 在線控制軟件，配合愛建納米科研型控制箱中的嵌入式實(shí)時(shí)控制 軟件，完成對(duì) AFM 的儀 器的各項(xiàng)功能，包括：接觸模式、輕敲模式、橫向力 模式、相位成像模式、靜 /動(dòng)態(tài)力曲線該操作軟件基于 WindowsXP/2020操作系 統(tǒng)，界面友好易學(xué)，操作簡(jiǎn)便。 科研型離線 軟件 愛建納米掃描探針顯微鏡圖像處理及分析軟件系統(tǒng)（簡(jiǎn)稱圖像分析軟件）是對(duì) 愛建納米掃描探針顯微鏡所產(chǎn)生的掃描圖像進(jìn)行離線處理和分析的工具。運(yùn)行 于 WindowsXP\2020操作系統(tǒng)下，參照美國(guó) ASME 和 ASTM 關(guān)于表面測(cè)量的 標(biāo)準(zhǔn)而開發(fā)，具有多種數(shù)據(jù)處理功能。 包括：頂視圖、三維視圖、剖面分析、階梯分析、 bearing 分析、功 率譜分析、 顆粒分析、粗糙度分析等。 防塵隔音罩防塵、隔音保護(hù)罩，使儀器免受外界干擾。 防震架體積： ，防塵、隔音保護(hù)罩，使儀器免受外界干擾。 選配 隔振平臺(tái) （選配） 手動(dòng)（或自動(dòng)）桌面式隔振平臺(tái)，日本進(jìn)口，固有頻率 。體積小，使 用方便，抗震效果好。 CCD 顯微 系統(tǒng) CCD 顯微系統(tǒng)可以用來(lái)觀察針尖樣品，輔助進(jìn)針，輔助調(diào)節(jié)光斑。它包括：同 軸光顯微鏡、冷光源、光纜、圖象采集卡、 CCD 攝像頭、萬(wàn)能支架。分辨率為 5μ m （ 3）技術(shù)參數(shù) 成像模式 大氣環(huán)境 接觸模式、輕敲模式、橫向力模式、相位成像模式、靜 /動(dòng) 態(tài)力曲線 液體環(huán)境（選 配） 接觸模式、輕敲模式、橫向力模式、相位成像模式、靜 /動(dòng) 態(tài)力曲線 分辨率 XY 方向 Z 方向 接觸模式：以云母晶格驗(yàn)證 輕敲模式：以 DNA 驗(yàn)證，國(guó)內(nèi)唯一能提供的最高分辨的驗(yàn) 證方法 樣品尺寸 Φ≤ 25mm，樣品厚度 ≤10mm 掃描控制 X， Y,Z 方向均采用 24位 DA 進(jìn)行控制，達(dá)到目前業(yè)界最高精度 掃描范圍 10 ~ 20μ m， 30～ 50μ m 數(shù)據(jù)采集 采用 18位 ADC，采樣速度高達(dá) 500K， 另有一個(gè) 16位高速 ADC，采樣速度高達(dá) 5MHz 可同時(shí)采集四種數(shù)據(jù)類型，分別對(duì)應(yīng)于四個(gè)圖像通道； DSP 芯片采用最新技術(shù)的 DSP 芯片，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 的浮點(diǎn)運(yùn)算； 通信接口 ，傳輸速度 480Mb/s 擴(kuò)展升級(jí)預(yù)留硬件升級(jí)擴(kuò)展槽和外部接口，可基于儀器進(jìn)行二次開發(fā) 在線操作軟 件 適用于 WindowsXP/2020以上系統(tǒng) 圖像處理 圖像離線處理軟件參照美國(guó) ASME 和 ASTM 關(guān)于表面測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)對(duì) 圖像數(shù)據(jù)處理和分析，擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 激光橢偏儀 設(shè)備名稱： 激光橢偏儀設(shè)備 編號(hào)： HIKSCT9 （ 1）系統(tǒng)簡(jiǎn)介 多角度激光橢偏儀使用 波長(zhǎng) HeNe 激光器，對(duì)測(cè)量薄膜厚度，折射率和吸 收系數(shù)有非常出色的精度。該系統(tǒng)能夠分析單層膜，多層膜和大塊材料（基底）。 ? 超高精度和穩(wěn)定性，來(lái)源于高穩(wěn)定激光光源、溫度穩(wěn)定補(bǔ)償器設(shè)置、起偏器跟蹤和 超低噪聲探測(cè)器 ? 高精度樣品校準(zhǔn)，使用光學(xué)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡和顯微鏡 ? 快速簡(jiǎn)易測(cè)量，可選擇不同的應(yīng)用模型和入射角度 ? 多角度測(cè)量，可完全支持復(fù)雜應(yīng)用和精確厚度 ? 全面的預(yù)設(shè)應(yīng)用，包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域 （ 2）系統(tǒng)特征 ? 預(yù)先定義應(yīng)用 ? 多角度測(cè)量 ? 廣泛的材料數(shù)據(jù)庫(kù) ? 擬合狀況的圖形反饋 ? 支持多種語(yǔ)言 （ 3）技術(shù)參數(shù) ? 激光波長(zhǎng) nm ? 150 mm (ztilt) 載物臺(tái) ? 入射角度可調(diào)，步進(jìn) 5186。 ? 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡 /顯微鏡，用于樣品校準(zhǔn) ? Small footprint ? 以太網(wǎng)接口連接到 PC ? 微細(xì)光斑選項(xiàng)，光斑直徑 30 微米 ? 手動(dòng) xy 方向移動(dòng)載物臺(tái)，行程 150 mm ? 地貌圖選項(xiàng) (xy 方向 , 最大行程 200 mm, 帶有真 空吸附 ) ? 攝象頭選項(xiàng)，用于取代目鏡進(jìn)行樣品對(duì)準(zhǔn) ? 液體膜測(cè)量單元 ? 自動(dòng)對(duì)焦選項(xiàng)，同地貌圖選項(xiàng)結(jié)合 ? 反射式膜厚儀 FTPadvanced，光斑直徑 80 微米 ? 雙波長(zhǎng)激光 (405 nm 或 1550 nm) ? SIMULATION 軟件 ? 針對(duì)粗糙表面硅太陽(yáng)能電池的測(cè)量裝置 原生多晶電阻率測(cè)試儀 設(shè)備名稱： 原生多晶電阻率測(cè)試 儀 設(shè)備編號(hào)： HIKSCT10 （ 1）系統(tǒng)簡(jiǎn)介 原生多晶電阻率測(cè)試儀，是一款高端電阻率測(cè)試儀器，具有電阻率大量程及超大量 程測(cè)量的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了電 阻率從 歐姆 .厘米到幾萬(wàn)歐姆 .厘米（可擴(kuò)展）的測(cè)試范 圍，具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。是西門子 法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)、物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)、半導(dǎo)體 材料廠、器件廠、科研部門、高等院校以及需要超大量程測(cè)試電阻率測(cè)試的企業(yè)的最佳 幫手。 （ 2）產(chǎn)品特點(diǎn) ? 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè) ? 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè) ? 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè) ? 適用于科研部門、高等院校及需要超大 量程測(cè)量電阻率的企業(yè) ? 測(cè)量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正