[政史地]2009數(shù)電期末復(fù)習(xí)-文庫吧
2024-12-20 14:29 本頁面
【正文】 A12為地址輸入， DQ0～ DQ7為數(shù)據(jù)輸入 /輸出， W為寫允許， E E2為片選， NC為空引腳。 ? 試用 MCM6264 SRAM芯片設(shè)計(jì)一個(gè)16k 16位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，畫出其邏輯圖。 1234567891011121314 1516171819202122232425262728NCAAAAAAAAAAAADQDQDQDQDQDQDQDQAEEWVVG12012345670123456711011982CCSSM C M 6 2 6 4S R A ME E G WH L L H H HL H L HL H L方式無選擇無選擇輸出禁止讀寫I / O高阻態(tài)高阻態(tài)高阻態(tài)DD周期讀寫OI? 解：一片 MCM6264的存儲(chǔ)容量是 8k 8位，要求擴(kuò)展為 16k 16位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)?？梢姡粩?shù)需擴(kuò)大兩倍，字?jǐn)?shù)也需擴(kuò)大兩倍。 ? 首先，將兩片 6264相并（ A0～ A1 W、 G、 EE2分別相并），每片 6264有 8個(gè)數(shù)據(jù)輸入 /輸出端DQ0～ DQ7，兩片合并則有 16個(gè)端： DQ0～DQ15。這樣，由兩片 6264擴(kuò)展得到 8k 16位的存儲(chǔ)器。 ? 若要使字?jǐn)?shù)擴(kuò)大兩倍，可以對(duì)兩組 8k 16位存儲(chǔ)器的 E E2加適當(dāng)?shù)目刂?，并將其它端分別相并，即可擴(kuò)展為 16k 16位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。其中，DQ0～ DQ15是它的 16條數(shù)據(jù)輸入 /輸出線， A0～A13為 14條地址輸入線， W為寫允許， G為讀允許。擴(kuò)展的存儲(chǔ)器系統(tǒng)如圖所示。 12A A0~( 6 2 6 4 )Q7D~DQ0GWEE12AD0~GEW~121EQ7( 6 2 6 4 )2DAQ0A~AED21EWGDQ0Q70( 6 2 6 4 )~12~WQ0( 6 2 6 4 )02Q7AEED1DA12G~8888121212 12012A~A13AW GD ~7D0815 DD~? 電路如圖所示，已知CP和 A、 B的波形，試畫出 Q1和 Q2的波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為 0。 ∧1DC1amp。ACP11JC11K∧=1CPAB1Q2Q（b ）（a ）CPABCPABQ12Q? 電路如圖所示，已知CP和 A、 B的波形，試畫出 Q1和 Q2的波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為 0。 ∧1DC1amp。ACP11JC11K∧=1CPAB1Q2Q（b ）（a ）CPABCPABQ12Q? 試分析圖所示時(shí)序邏輯電路，列出狀態(tài)表，畫出狀態(tài)圖和波形圖。 1J1KC1┌┌1J1KC1┌┌1Q0QCPZamp。1=1FF01FFX? 解：圖所示電路屬于同步時(shí)序邏輯電路，其中 Q1 Q0是觸發(fā)器的輸出狀態(tài)， X、 Y分別是電路的輸入和輸出信號(hào)。分析過程如下： ? ： ? 驅(qū)動(dòng)方程： J0=K0=1 J1=K1= 將驅(qū)動(dòng)方程代入 JK觸發(fā)器的特性方程， 得： ? 次態(tài)
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