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單相橋式全控整流電路仿真建模分析實(shí)驗(yàn)報(bào)告-文庫吧

2025-09-03 07:48 本頁面


【正文】 , MATLAB 仿真波形如下: 圖 9 α =30176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (阻 感性負(fù)載 ) b. 觸發(fā)角α =50176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 10 α =50176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (阻 感性負(fù)載 ) c. 觸發(fā)角α =90176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 11 α =90176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (阻 感性負(fù)載 ) d. 觸發(fā)角α =150176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 12 α =150176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (阻感性負(fù)載 ) 4 小結(jié) 通過仿真可知,由于電感的作用,輸出電壓出現(xiàn)負(fù)波形,當(dāng)電感無限增大時(shí),控制角 a在 0~90176。之間變化時(shí),晶閘管導(dǎo)通角θ =180176。,導(dǎo)通角 θ與控制角 a 無關(guān)。 經(jīng)過自己仿真,在設(shè)置脈沖時(shí),不同信號對的晶閘管要給予的脈沖相差 180176。,無論控制角α多大,輸出電流波形因電感很大而呈一水平線,在電源輸出反向電壓時(shí),晶閘管組還沒有脈沖,由于有電感的存在,電感性負(fù)載仍有電流通過,所以通過電阻的電流不變。 三、單相橋式全控整流電路 (反電勢負(fù)載 ) 電路結(jié)構(gòu) U 1U 2U dI d+TV T 3V T 1V T 2V T 4abRE 圖 13 單相橋式全控整流電路 (反電勢負(fù)載 )的電路原理圖 工作原理 當(dāng)整流電壓的瞬時(shí)值 ud 小于反電勢 E 時(shí),晶閘管承受反壓而關(guān)斷,這使得晶閘管導(dǎo)通角減小。晶閘管導(dǎo)通時(shí), ud=u2,晶閘管關(guān)斷時(shí), ud=E。與電阻負(fù)載相比晶閘管提前了電角度 δ 停止導(dǎo)電, δ 稱作停止導(dǎo)電角。 若 α δ 時(shí),觸發(fā)脈沖到來時(shí),晶閘管承受負(fù)電壓,不可能導(dǎo)通。為了使晶閘管可靠導(dǎo)通,要求觸發(fā)脈沖有足夠的寬度,保證當(dāng)晶閘管開始承受正電壓時(shí),觸發(fā)脈沖仍然存在。這樣,相當(dāng)于觸發(fā)角被推遲,即 α =δ。 在 MATLAB 新建一個(gè) Model,命名為 quankong3,同時(shí)模型建立如下圖所示: 圖 14 單相橋式全控整流電路 (反電勢負(fù)載 )的 MATLAB 仿真模型 模型參數(shù)設(shè)置 在此電路中,輸入電壓的電壓設(shè)置為 220V,頻率設(shè)置為 50Hz,電阻阻值設(shè)置為 1 歐姆,電感設(shè)置為 1e3H,脈沖輸入的電壓設(shè)置為 3V,周期設(shè)置為 (與輸入電壓一致周期),占空比設(shè)置為 10%,觸發(fā)角分別設(shè)置為 30176。, 50176。, 90176。, 150176。因?yàn)閮蓚€(gè)晶閘管在對應(yīng)時(shí)刻不斷地周期性交替導(dǎo)通,關(guān)斷,所以脈沖出發(fā)周琴應(yīng)相差 180176。 示波器五個(gè)通道信號從上到下依次是: ; ; .; Id; Ud。 3 仿真 結(jié)果 與 分析 a. 觸發(fā)角 α =30176。 , MATLAB 仿真波形如下: 圖 15 α =30176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (反電勢負(fù)載 ) b. 觸發(fā)角α =50176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 16 α =50176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (反電勢負(fù)載 ) c. 觸發(fā)角α =90176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 17 α =90176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (反電勢負(fù)載 ) d. 觸發(fā)角α =150176。, MATLAB 仿真波形如下 圖 18 α =150176。單相橋式全控整流電路仿真結(jié)果 (反電勢負(fù)載 ) 4 小結(jié) 此電路中當(dāng)電樞電感不足夠大時(shí),輸出電流波形斷續(xù),使晶閘管 電動(dòng)勢系統(tǒng)的機(jī)械性變軟,為此通常在負(fù)載回路串接平波電抗器以減小電流脈動(dòng),延長晶閘管導(dǎo)通時(shí)間,如果電感足夠大,電流就能連續(xù)。 單相全控橋式整流電路主要適用于 4KW 左右的整流電路,與單相半波可控整流電路相比,整流電壓脈動(dòng)減小,美周期脈動(dòng)倆次。變壓器二次側(cè)流過正反倆個(gè)方向的電流,不存在直流磁化,利用率高。 (電阻性負(fù)載) 電路結(jié)構(gòu) 為了得到零線變壓器二次側(cè)接成星形得到零線,為了給三次諧波電流提供通路,減少高次諧波的影響,變壓器一次繞組接成三角形,為△ /Y 接法。 三個(gè)晶閘管分別接入 a、 b、 c三相電源,其陰極連接在一起為共陰極接法 。 如圖 11 duR1V T3V Tdi2V TrT 圖 11 .三相半波可控整流電路原理圖(電阻性負(fù)載) 工作原理: 1)在ω t1ω t2 區(qū)間,有 Uu> Uv, Uu> Uw, U 相電壓最高, VT1 承受正向電壓, 在ω t1 時(shí)刻觸發(fā) VT1 導(dǎo)通,導(dǎo)通角θ =120176。,輸出電壓 Ud=Uu。其他兩個(gè) 晶閘管承受反向電壓而不能導(dǎo)通。 VT1 通過的電流 It1 與變壓器二次側(cè) u 相 電流波形相同,大小相等,可在負(fù)載電阻 R 兩端測試。 2)在ω t2ω t3 區(qū)間,有 Uv> Uu, V 相電壓最高, VT2 承受正向電壓,在ω t2 時(shí) 刻觸發(fā)VT2 導(dǎo)通, Ud=Uv。 VT1 兩端電壓 Ut1=UuUv=Uuv< 0,晶閘管 VT1 承受反向電壓關(guān)斷。 3)在ω t3ω t4 區(qū)間,有 Uw> Uv, W 相電壓最高, VT3 承受正向電壓,在ω t3 時(shí)刻觸發(fā) VT3 導(dǎo)通, Ud=Uw。 VT2 兩端電壓 Ut2=UvUw=Uvw< 0,晶閘管 VT2 承受反向電壓關(guān)斷。 在 VT3 導(dǎo)通期間 VT1 兩端電壓 Ut1=UuUw=Uuw < 0。這樣在一個(gè)周期內(nèi), VT1 只導(dǎo)通 120176。,在其余 240176。時(shí)間承受反向電 壓而處于關(guān)斷狀態(tài)。 仿真建模及參數(shù)設(shè)置 根據(jù)原理圖用 matalb 軟件畫出正確的三相半波可控整流電路(電阻性負(fù)載)仿真電路圖如圖 12 所示: 圖 (電阻性負(fù)載) 脈沖參數(shù): 振幅 3V,周期 ,占空比 10%,時(shí)相延遲分別為( α+30) /360*,( α+120+30)/360*,( α+240+30) /360*。如圖 13 所示 圖 電源參數(shù): 頻率 50hz,電壓 100v,其相限角度分別為 0176。、 120176。、 120176。如圖 14 所示。 圖 14 電源參數(shù)設(shè)置 仿真波形測試 設(shè)置觸發(fā)脈沖 α分別為 0176。、 30176。、 60176。、 90176。與其產(chǎn)生的相應(yīng)波形分別如圖 1圖 1圖 1圖 18。在波形圖中第一列波為流過晶閘管電流波形,第二列波為流過晶閘管電壓波形,第三列波為負(fù)載電流波形,第四列波為負(fù)載電壓波形。 圖 15 α =0176。三相半波可控整流電路原理圖(電阻性負(fù)載)波形圖 圖 16 α =30176。三相半波可控整流電路原理圖(電阻性負(fù)載)波形圖 圖 17 α =60176。三相半波可控整流電路原理圖(電阻性負(fù)載)波形圖 圖 18 α =90176。三相半波可控整流電路原理圖(電阻性負(fù)載)波形圖 小結(jié) a =0?時(shí)的工作原理分析:晶閘管的電壓波形,由 3 段組成: 第 1 段, VT1 導(dǎo)通期間,為一管壓降, 可近似為 UT1=0 第 2 段,在 VT1 關(guān)斷后, VT2 導(dǎo)通期間, UT1=UUUV=Uuv,為一段線電壓。 第 3 段,在 VT3 導(dǎo)通期間, UT1=UuUw =Uuw ,為另一段線電壓。 a = 30 時(shí)
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