引進(jìn)部分滅磁裝置質(zhì)量隱患問題-文庫吧
2025-04-23 12:39 本頁面
【正文】 循環(huán) 1片外側(cè)溫度 直流 (錄波圖 ) 直流脈動 (錄波圖 ) 690V 每 次 加流 冷 卻30min 十次循環(huán) 每 次 加流時錄 波 環(huán)境溫度 23186。C 注 入 能 量 每 次770kJ SiC測點 最大 溫升 107 K145K 報告結(jié)論是： 在給定負(fù)載條件 下溫升低于限值 26 186。C 92 186。C 66 186。C 3片側(cè)邊溫度 25 186。C 106186。C 81 186。C 6片里側(cè)溫度 36 186。C 130186。C 94 186。C 溫升最 大片溫度 ？ 130186。C (2) 一次 沖擊 1片外側(cè)溫度 直流 (錄波圖 ) 直流脈動 (錄波圖 ) 1000V 一 次 加流 ， 加流時錄玻 環(huán)境溫度 24186。C 注 入 能 量 每 次600kJ SiC測點 最大溫升 96 K145K 報告結(jié)論是： 在給定負(fù)載條件 下溫升低于限值 25 186。C 90 186。C 65 186。C 3片側(cè)邊溫度 25 186。C 85 186。C 60 186。C 6片里側(cè)溫度 35 186。C 120186。C 85 186。C 溫升最 大片溫度 ？ 120186。C 一、引言 (我國標(biāo)準(zhǔn)與外國標(biāo)準(zhǔn)不同 )4/4 二、對部分引進(jìn)磁場斷路器結(jié)構(gòu)和斷流弧壓存在質(zhì)量隱患查處探討 1/6 這類有明顯質(zhì)量缺陷的磁場斷路器和配套 SiC滅磁電阻存在安全隱患竟然在我國眾多大型發(fā)電機十多年中長時間采用 , 多次發(fā)生事故，仍然沒有被及時查處改進(jìn)。 1991年沙嶺子 300MW火電機運行中 SiC滅磁電阻燒毀事故 1995年在張家囗 300MW火電機行中 SiC滅磁電阻燒毀事故 襄樊 300MW火電機行中 SiC滅磁電阻燒毀事故 2021年李家峽 400MW水電機行中 SiC滅磁電阻燒毀事故 2021年到李家峽水電廠調(diào)查時發(fā)現(xiàn) , 全廠 4臺 400MW水輪發(fā)電 機仍在繼續(xù)照常使用。 查處建議 : 把 SiC更換成 ZnO,并在斷路器常閉觸頭與 SiC串聯(lián)回路中增設(shè)直流電流變換 器和 SiC誤通電流報警信號裝置 。或 SiC或 ZnO在線監(jiān)測裝置 [7][8] 。 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! 法國 AMFCCNOR2021A型常閉觸頭間距太小導(dǎo)致運行嚴(yán)重事故 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! 加拿大 AMF1A型斷路器 ,美國 9RV6A251型 SiC滅磁電阻組件缺陷隱患 二灘水電廠 6臺 550MW水電機成套引進(jìn)加拿大 AMF1A型斷路器 ,美國9RV6A251型 SiC滅磁電阻組件 1998年 7月才全部投運。但在 1999年試驗中暴露 4大缺陷隱患。 2021年二灘電廠被迫決定重新招標(biāo)訂貨，逐年逐臺更換這 6臺發(fā)電機全套勵磁盤及其滅磁裝置。 (1)斷路器引弧觸頭頭部質(zhì)量缺陷在切合中容易斷裂脫落。 (2)SiC組件中混入個別質(zhì)量差片子 ,注入不大能量 ,出現(xiàn)局部溫升過高 , 飛弧擊穿事故。見圖 1 、 2 、 3。 [9][10] 圖 1 1個 SiC組件在能量沖擊試驗中發(fā)生飛弧短路錄波圖 圖 2 SiC組沖擊試驗中發(fā)生飛弧燒損后的現(xiàn)場彩色照片 (3)個別質(zhì)量差 SiC片在 VA測試中局部溫升過高穿孔擊穿短路。 圖 二、對部分引進(jìn)磁場斷路器結(jié)構(gòu)和斷流弧壓存在質(zhì)量隱患查處探討 2/6 內(nèi)部資料 ,請勿外泄 ! 3 、瑞士 HPB型直流斷路器的缺陷隱患 (1)2021年 1月 1日岱海火電機 600MW因 HPB81弧壓過低誤強勵滅磁失敗事故擴大燒毀更換全套 ABB勵磁盤。事故錄波圖和數(shù)據(jù)如下圖 4所示 :[11][12][13][14][15] 二、對部分引進(jìn)磁場斷路器結(jié)構(gòu)和斷流弧壓存在質(zhì)量隱患查處探討 3/6 (2)拉西瓦 5臺 700MW機 HPB45M82S型磁場斷路器斷流弧壓過低隱患 對 HPB45M82S型磁場斷路器斷流弧壓 : 2021年上海 ABB、廣科院向拉西瓦投標(biāo)書寫 4000V是錯的
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