鋰電池保護(hù)板基本知識(shí)-文庫(kù)吧
2025-04-20 12:28 本頁(yè)面
【正文】 ， Vss,VM為低電平， DO、 CO為高電平，當(dāng) Vdd,Vss,VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)， DO或 CO端的 電平將發(fā)生變化。 關(guān)于 IC幾種狀態(tài)的概念（通常狀態(tài)下 CO、 DO為高電平，電池能充放電） 過(guò)充電檢出電壓：在通常狀態(tài)下， Vdd逐漸提升至 CO端由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VDDVSS間電壓。 過(guò)充電解除電壓：在充電狀態(tài)下， Vdd逐漸降低至 CO端由低電平 變?yōu)楦唠娖綍r(shí) VDDVSS間電壓。 過(guò)放電檢出電壓：通常狀態(tài)下， Vdd逐漸降低至 D O端由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VDD VSS間電壓。 過(guò)放電解除電壓：在過(guò)放電狀態(tài)下， Vdd逐漸上升到 DO端由低電平 變?yōu)楦唠娖綍r(shí) VDDVSS間電壓 。 過(guò)電流 1檢出電壓：在通常狀態(tài)下， VM逐漸升至 DO由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 過(guò)電流 2檢出電壓：在通常狀態(tài)下， VM從 OV起以 1ms以上 4ms以下的 速度升到 DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 負(fù)載短路檢出電壓：在通常狀態(tài)下， VM以 OV起以 1μS以上50μS以下的速度升至 DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 充電器檢出電壓：在過(guò)放電狀態(tài)下， VM以 OV逐漸下降至 DO由低電平變?yōu)樽優(yōu)楦唠娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 通常工作時(shí)消耗電流：在通常狀態(tài)下，流以 VDD端子的電流（ IDD）即為通常工作時(shí)消耗電流。 過(guò)放電消耗電流：在放電狀態(tài)下，流經(jīng) VDD端子的電流（ IDD）即為過(guò)流放電消耗電流。 記號(hào) 部件 推薦值 min max R1 阻抗 470Ω 300Ω C1 電容 R2 阻抗 1KΩ 300Ω 保護(hù)板 IC外置部件要求 (以 S81241為例 )： 在 R1處加載比 R2小的阻抗的場(chǎng)合，由于充電器連接電流從充電器流向 IC， VDDVSS間電壓有超過(guò)最大額定值的情況，故 R1一般小于 R2。 如果 C1上加載少于 ，對(duì)負(fù)載短路檢出，充電器的連接，過(guò)電 流 1和過(guò)電流 2來(lái)說(shuō)， DO有可能發(fā)生振蕩。 若 R2設(shè)定電阻小于 300Ω，則在充電時(shí)，充電電流有可能超過(guò) IC容許功耗而 損壞 IC，如果 R2超過(guò) ，則高電壓充電器充電時(shí)，有不能切斷 充電電源的情況。 MOS管 2 1 4 3 8 7 6 5 8 7 6 5 4 3 2 1 1 MOS管外型結(jié)構(gòu) 2 3 4 5 6 7 8 圖一 圖二 圖三 在圖一中， MOS管腳 8通過(guò) MOS管內(nèi)部線路或保護(hù)板上線路 連在一起；腳 2和腳 3，腳 6 和腳 7 通過(guò)內(nèi)部連在一起； 在圖二中， MOS管腳 D D2通過(guò) MOS管內(nèi)部線路連在一起； 在圖三中， MOS管腳 3通過(guò)內(nèi)部線路連在一起， MOS管 腳 8通過(guò)內(nèi)部線路連在一起。 IC、 MOS管管腳的命名規(guī)則 2 1 4 3 8 7 6 5 一般來(lái)說(shuō)，雙列式電子元器件的管腳命名都遵從逆時(shí)針命名規(guī)則， IC、 MOS 管也不例外。這一般包含兩種類型： 如元器件上有小圓凹點(diǎn)則凹點(diǎn)所對(duì) 管腳為 1腳，其余的按逆時(shí)針排列（圖一）
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