鋰電池保護(hù)板基本知識(shí)-在線瀏覽
2025-07-13 12:28本頁(yè)面
【正文】 。 關(guān)于 IC幾種狀態(tài)的概念（通常狀態(tài)下 CO、 DO為高電平，電池能充放電） 過(guò)充電檢出電壓：在通常狀態(tài)下， Vdd逐漸提升至 CO端由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VDDVSS間電壓。 過(guò)放電檢出電壓：通常狀態(tài)下， Vdd逐漸降低至 D O端由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VDD VSS間電壓。 過(guò)電流 1檢出電壓：在通常狀態(tài)下， VM逐漸升至 DO由高電平 變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 負(fù)載短路檢出電壓：在通常狀態(tài)下， VM以 OV起以 1μS以上50μS以下的速度升至 DO端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí) VMVSS間電壓。 通常工作時(shí)消耗電流：在通常狀態(tài)下，流以 VDD端子的電流（ IDD）即為通常工作時(shí)消耗電流。 記號(hào) 部件 推薦值 min max R1 阻抗 470Ω 300Ω C1 電容 R2 阻抗 1KΩ 300Ω 保護(hù)板 IC外置部件要求 (以 S81241為例 )： 在 R1處加載比 R2小的阻抗的場(chǎng)合，由于充電器連接電流從充電器流向 IC， VDDVSS間電壓有超過(guò)最大額定值的情況，故 R1一般小于 R2。 若 R2設(shè)定電阻小于 300Ω，則在充電時(shí)，充電電流有可能超過(guò) IC容許功耗而 損壞 IC，如果 R2超過(guò) ，則高電壓充電器充電時(shí)，有不能切斷 充電電源的情況。 IC、 MOS管管腳的命名規(guī)則 2 1 4 3 8 7 6 5 一般來(lái)說(shuō)，雙列式電子元器件的管腳命名都遵從逆時(shí)針命名規(guī)則， IC、 MOS 管也不例外。 G2N 圖一 圖二 導(dǎo)通電阻： 定義：當(dāng)充電電流為 500mA時(shí)， MOS管的導(dǎo)通阻抗。 自耗電流 定義： IC工作電壓為 ，空載狀態(tài)下，流經(jīng)保護(hù) IC的工 作電流，一般極小 . 保護(hù)板的自耗電流直接影響電池的待機(jī)時(shí)間，通常規(guī)定保護(hù)板的自耗電流小于 10微安 . 電流能力 保護(hù)板作為鋰電芯的安全保護(hù)器件 ,既要在設(shè)備的正常工作電流范圍內(nèi) ,能可靠工作 ,又要在當(dāng)電池被意外短路或過(guò)流時(shí)能迅速動(dòng)作 ,使電芯得到保護(hù) . 機(jī)械性能、溫度適應(yīng)能力、抗靜電能力 保護(hù)板必須能通過(guò)國(guó)標(biāo)規(guī)定的震動(dòng)，沖擊試驗(yàn)；保護(hù)板在 40到 85℃ 能安全工作 ,能經(jīng)受177。 通常狀態(tài)：電池電壓在過(guò)放電檢出電壓以上（ ），過(guò)充電檢出電壓以下（ ），VM端子的電壓在充電器檢出電壓以上，在過(guò)電流 /檢出電壓以下（ OV）的情況下， IC通過(guò)監(jiān)視連接在VDDVSS間的電壓差及 VMVSS間的電壓差而控制MOS管， DO、 CO端都為高電平， MOS管處導(dǎo)通狀態(tài)，這時(shí)可以自由的充電和放電； 當(dāng)電池被充電使電壓超過(guò)設(shè)定值 VC()后， VD1翻轉(zhuǎn)使 Cout變?yōu)榈碗娖剑?T1截止，充電停止，當(dāng)電池電壓回落至 VCR()時(shí)， Cout變?yōu)楦唠娖剑?T1導(dǎo)通充電繼續(xù)， VCR小于 VC一個(gè)定值，以防止電流頻繁跳變。 過(guò)放保護(hù) 電 量 過(guò)放控制 IC + 放電 LOAD 電 量 放電 IC + LOAD 電 壓 放電 IC + LOAD 過(guò)流、短路保護(hù) 當(dāng)電路放電電流超過(guò)設(shè)定值或輸出被短路時(shí)
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1