【正文】 . 帶 補(bǔ) 償 網(wǎng) 絡(luò) 的 高 精 度 LED 恒 流 驅(qū) 動(dòng) 電 路 的 設(shè) 計(jì) [J]. 電 子 器件 ,20xx,36(4):465468. [3]周前能 ,段曉忠 ,李紅娟 .一種高電源抑制比的 CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源 [J].哈爾濱商業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)：自然科學(xué)版 ,20xx,(4):443447. [4]張慶嶺 ,張其營(yíng) ,崔佳男 .一種帶有曲率補(bǔ)償?shù)膶捿斎霂痘鶞?zhǔn)源設(shè)計(jì) [J].電子技術(shù)應(yīng)用 ,20xx,39(9):5760. [5] 肖本 ,馮寧 ,肖明 . 一種 低壓 新型 曲率 補(bǔ)償 基準(zhǔn) 電壓 源設(shè)計(jì) [J]. 電子 科技 ,20xx,26(9):6568. [6]彭飛 ,孫玲 .帶隙基準(zhǔn) 電路的理論分 析與設(shè)計(jì)仿 真 [J].電 氣電子教學(xué) 學(xué)報(bào) ,20xx,35(3):8789. （三）學(xué)位論文 （ 請(qǐng)將檢索界面截屏在下，并以參考文獻(xiàn)格式列出 最新文獻(xiàn) ） 數(shù)據(jù)庫(kù)一： 中國(guó)知網(wǎng) 檢索年限： 20xx20xx 檢索詞： 帯隙基準(zhǔn)源 邏輯檢索表達(dá)式： （主題 =帯隙基準(zhǔn)源 ） 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 196 檢出文獻(xiàn)舉例 （ 至少 5條記錄，不足條數(shù)請(qǐng)說(shuō)明原因 ） [1]李帥人 . 基于 40nm工藝的 CMOS帶隙基準(zhǔn)源研究與設(shè)計(jì) [D].華南理工大學(xué) ,20xx. [2]李正大 . 集成帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì) [D].湖南大學(xué) ,20xx. [3]林少波 . 高精度高電源電壓抑制比 CMOS帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì) [D].西安電子科技大學(xué) ,20xx. [4]江志偉 . 低壓二次溫度補(bǔ)償高精度帶隙基 準(zhǔn)源設(shè)計(jì) [D].上海交通大學(xué) ,20xx. [5]崔磊 . CMOS帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計(jì) [D].合肥工業(yè)大學(xué) ,20xx. 數(shù)據(jù)庫(kù)二： 萬(wàn)方數(shù)據(jù) 檢索年限： 20xx20xx 檢索詞： 帶隙基準(zhǔn) 邏輯檢索表達(dá)式： （全部 =帯隙基準(zhǔn)） 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 542 檢出文獻(xiàn)舉例 （ 至少 5條記錄，不足條數(shù)請(qǐng)說(shuō)明原因 ） [1] 基于襯底驅(qū)動(dòng)的 CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源的分析與設(shè)計(jì) [學(xué)位論文 ] 李沁蓮， 20xx 西南交通大學(xué)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) [2]1V帶溫度曲率補(bǔ)償?shù)?CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的 研究與設(shè)計(jì) [學(xué)位論文 ] 趙宣， 20xx 合肥工業(yè)大學(xué)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) [3]一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì) [學(xué)位論文 ] 劉軍儒， 20xx 天津工業(yè)大學(xué)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) [4]高性能 BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì) [學(xué)位論文 ] 周洋， 20xx 江蘇大學(xué)：檢測(cè)技術(shù)與自動(dòng)化裝置 [5] 輸出可控低溫漂低功耗帶隙基準(zhǔn)參考源設(shè)計(jì) [學(xué)位論文 ] 李濤濤， 20xx 西安電子科技大學(xué)：集成電路系統(tǒng)設(shè)計(jì) （四）會(huì)議論文 （ 請(qǐng)將檢索界面截屏在下，并以參考文獻(xiàn)格式列出最新文獻(xiàn) ） 數(shù)據(jù)庫(kù)一 ： 中國(guó)知網(wǎng) 檢索年限： 20xx—— 20xx 檢索詞： 帯隙基準(zhǔn) 邏輯檢索表達(dá)式： （主題 =帯隙基準(zhǔn)源） 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 10 檢出文獻(xiàn)舉例 （ 至少 5條記錄，不足條數(shù)請(qǐng)說(shuō)明原因 ） [1]汪洲 ,劉泰源 ,廖永波 ,李平 . 一種無(wú)需常規(guī)偏置電流源的高精度 CMOS 帶隙基準(zhǔn)源 [A]. 四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)、國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)成都產(chǎn)業(yè)化基地、電子科技大學(xué)國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)人才培養(yǎng)基地 .四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì) 20xx 年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集 [C].四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)、國(guó)家集成電路設(shè) 計(jì)成都產(chǎn)業(yè)化基地、電子科技大學(xué)國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)人才培養(yǎng)基地 :,20xx:4. [2]孟少鵬 ,柯導(dǎo)明 ,陳軍寧 . 帶隙基準(zhǔn)電壓源原理分析與應(yīng)用 [A]. 中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)（ CIS）、中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)微型計(jì)算機(jī)應(yīng)用學(xué)會(huì)（ CACIS）、中國(guó)系統(tǒng)仿真學(xué)會(huì)復(fù)雜系統(tǒng)建模與仿真計(jì)算專(zhuān)業(yè)委員會(huì)籌備處（ CSSC） .計(jì)算機(jī)技術(shù)與應(yīng)用進(jìn)展 —— 全國(guó)第 17屆計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)應(yīng)用（ CACIS）學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（下冊(cè)） [C].中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)（ CIS）、中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)微型計(jì)算機(jī)應(yīng)用學(xué)會(huì)（ CACIS）、中國(guó)系統(tǒng)仿真學(xué)會(huì)復(fù)雜系統(tǒng)建模與仿真計(jì)算 專(zhuān)業(yè)委員會(huì)籌備處（ CSSC） :,20xx:4. [3]閆肅 ,姜巖峰 . 開(kāi)關(guān)電源中帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì) [A]. 中國(guó)通信學(xué)會(huì)青年工作委員會(huì)、北方工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院 .20xx 通信理論與技術(shù)新發(fā)展 —— 第十二屆全國(guó)青年通信學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（上冊(cè)） [C].中國(guó)通信學(xué)會(huì)青年工作委員會(huì)、北方工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院 :,20xx:6. [4]韓健 ,孫玲玲 ,洪慧 . 一種二階補(bǔ)償?shù)母呔葞痘鶞?zhǔn)電壓源設(shè)計(jì) [A]. 浙江省電子學(xué)會(huì) .浙江省電子學(xué)會(huì) 20xx年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集 [C].浙江省電子學(xué)會(huì) :,20xx:4. [5]郭美洋 ,姚建軍 ,孫克 . 一種曲率補(bǔ)償 CMOS 帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì) [A]. 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) .20xx’全國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會(huì)論文集 [C].中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) :,20xx:4. 數(shù)據(jù)庫(kù)二： 萬(wàn)方數(shù)據(jù) 檢索年限： 20xx— 20xx 檢索詞： 帯隙基準(zhǔn) 邏輯檢索表達(dá)式： （全部 =帯隙基準(zhǔn) ） 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 54 檢出文獻(xiàn)舉例 （ 至少 5條記錄，不足條數(shù)請(qǐng)說(shuō)明原因 ） [1]基于帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化的上電復(fù)位電路 [會(huì)議論文 ] 喻尊，陳悅 20xx 20xx四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì) [2]一種高 精度帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì) [會(huì)議論文 ] 王力魄，阮?lèi)?ài)武，廉禮 20xx 20xx四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì) [3]一種可變、超高精度帶隙基準(zhǔn)電壓電路的設(shè)計(jì) [會(huì)議論文 ] 陳領(lǐng)，胡濱，張?chǎng)?20xx 20xx四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì) [4]一種電流補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電路 [會(huì)議論文 ] 劉賀，李文昌，石廣源，李威 20xx 四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)第二屆學(xué)術(shù)年會(huì) [5]一種簡(jiǎn)單的高階補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源 [會(huì)議論文 ] 范偉力，李伊珂，羅和平 20xx 四川省電子 學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專(zhuān)委會(huì)第二屆學(xué)術(shù)年會(huì) （五）國(guó)內(nèi)專(zhuān)利文獻(xiàn)（ 請(qǐng)將檢索界面截屏在下，并以參考文獻(xiàn)格式列出最新文獻(xiàn) ） 數(shù)據(jù)庫(kù)一：中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)網(wǎng) 檢索年限： 20xx— 20xx 檢索詞：基準(zhǔn)電壓源 邏輯檢索表達(dá)式：標(biāo)題 =基準(zhǔn)電壓源 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 254 檢出文獻(xiàn)舉例 （ 至少 5條記錄，不足條數(shù)請(qǐng)說(shuō)明原因 ） [1] 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司 .. 帶隙基準(zhǔn)源 : 中國(guó) , [P]. 20xx0528 [2] 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 . 帶隙基準(zhǔn)電路 : 中國(guó) , [P]. 20xx1006. [3] 天利半導(dǎo)體（深圳）有限公司 帶隙基準(zhǔn)啟動(dòng)電路 . 中國(guó) , [P]. 20xx0221. [4] 蘇州思瑞浦微電子科技有限公司 . 一種帶隙基準(zhǔn)源 : 中國(guó) , [P]. 20xx0829. [5] 西安電子科技大學(xué) . CMOS帶隙基準(zhǔn)源 : 中國(guó) , [P]. 二、外文數(shù)據(jù)庫(kù)： （一）外文參考數(shù)據(jù)庫(kù)（ 請(qǐng)將檢索界面截屏在 下，并以參考文獻(xiàn)格式列出 20xx年文獻(xiàn)） 數(shù)據(jù)庫(kù)一： INSPIC 檢索年限： 20xx20xx 檢索詞： Band gap reference source 邏輯檢索表達(dá)式： Title= Bandgap Reference source 檢出文獻(xiàn)總篇數(shù)： 90 檢出文獻(xiàn)舉例（ 列出 5條密切相關(guān)文獻(xiàn) ） [1] ZeKun Zhou。 XueChun Ou。 Yue Shi。 et al. A bandgap reference with wide supply voltage range[J]. Microelectronics Journal Volume, 20xx. [2] Zekun Zhou。 Luping Feng。 Yingqian Ma。 et al. A resistorless CMOS bandgap reference with low temperature coefficient and high PSRR[J]. International Journal of Electronics Volume, 20xx. [3] Junmin Jiang。 Zhihua Ning。 Lenian He. A curvature pensated bandgap reference with low drift and low noise[J]. IEEE Singapore Sect, 20xx. [4] Qiao Ning。 Gao Jiantou。 Zhao Kai。 et al. A 14bit wide temperature range differential SAR ADC with an onchip multisegment BGR[J]. Journal of Semi