【正文】 姆 山脊的若干斷層 被詳細(xì)的標(biāo)繪， 面向樣本在實(shí)驗(yàn)室被研究。 苔楓葉 斷層是 5個斷層中的 1個 ，它被用于 研究 弗米利耶和肖爾茨 （ 1998）斷層過程區(qū)模型。這個斷層被選中 是為了更詳細(xì) 的分析，由于斷層前緣 簡單的 幾何形態(tài) 和前期微裂隙 的方位顯示模式 II的顯著特征 ，這些暗示斷層前緣的延伸方向。當(dāng)?shù)卮笮蜆?gòu)造數(shù)據(jù) 進(jìn)行了記錄， 并額外收集了很多樣品，以調(diào)查與斷層各段有關(guān)的延伸方向。 我們從四個樣品中制作了 三個互相垂直的薄 片 ，三個橫切面其中一個垂直于斷層面 并平行于滑移方向。這個方位最佳的 顯示了斷層相關(guān)微裂隙（ 恩格爾德， 1974）。觀察表明， 測量只有這個方位 的 滑塊 上，才能 產(chǎn)生具有良好代表性結(jié)合來自三個方向數(shù)據(jù)的測量（ 弗米利耶和肖爾茨， 1998）。 簡化觀察數(shù)據(jù)到每個位置一個薄剖面 允許檢查沿著斷層更多的地方。 微裂隙密度 是通過計(jì)算裂隙 在相交石英顆粒沒 。密度是按 每毫米微裂隙的數(shù)量來計(jì)量的 。兩個 垂直斷面 適宜于每個顆粒，以便消除橫切面 方位帶來的偏差。雖然 顆粒是隨機(jī)選擇的，直徑比橫斷面長度 小的會被舍棄。 密度計(jì)數(shù) 是在 至少 有 10個顆粒的薄剖面 ，平均密度的計(jì)算是為了得到位置。 ， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 圖 2. 紐約，阿爾斯特縣， 雄格姆沿山脊野外路線和斷層 位置圖。 MM 代表苔楓葉斷層的位置（弗米利耶和肖爾茨及后， 1998）。 微裂隙的方位是用普及階段顯微鏡測量的。 我們 試圖 通過使用最高角度掃描來觀察，并在觀察方向 用高角度尋找特點(diǎn)，以此減少偏差 。為確保 具有 顯著統(tǒng)計(jì)意義的數(shù)量，如果可能的話， 每個薄片 至少 要在 100個微裂隙的方位上測量。 由此產(chǎn)生的數(shù)據(jù)是從薄片坐標(biāo)系轉(zhuǎn)為地理坐標(biāo) 。 測量 是在 相同面積的立體圖上標(biāo)繪的 ，并用 坎 姆布 方法 標(biāo)繪輪廓（坎姆布， 1959）。 阿賓厄 姆軸向分布分析 被用以確定每個位置微裂隙最大密度的方向（ Cheeney， 1983） 。 斷層核心厚度有三種測定方法。 在每個薄片，核心的厚度至少在四個地點(diǎn)測量，平均厚度為沿?cái)鄬?痕跡取樣位置計(jì)算。 肉眼觀察到的礦化區(qū)厚度 也是由帶表卡尺在 巖芯 測量的。 對于一個位置（巖芯 110） 礦化區(qū)是在野外測量的。由于沒有樣本是從 這個位置測量的 ，核心區(qū)的計(jì)算用到了 核心區(qū)的厚度和礦化區(qū)厚度的觀察比例（ 1： 2）。 苔楓葉 斷層位于 紐約 ， 加德納，明尼沃斯卡山國家公園， 米爾布魯克山 （圖 2） 。這種走滑斷層相交的懸崖位于爾布魯克 南部 40米。 斷層痕跡暴露在 垂直懸崖面附近， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 沿著傾斜 懸崖 頂 層面。 兩處都暴露了斷層前緣。從懸崖邊緣 ，斷層前端位于 沿走向 米， 沿傾向向下 。斷層主體走向的方位角 為 294176。在北部 前端轉(zhuǎn)變?yōu)?333176。（圖 3）。傾向近于垂直 ，但在各段終端 臨近前端傾向相互垂直，暗示 著在露頭下它們相交。暴露的光滑線 顯示平行層理滑塊， 及次級斷層方位（ 佩蒂特， 1987）壓溶解理 方位指示右旋滑移。 從卵石偏移測量的位移 在 。 在缺乏豐富的預(yù)先存在的標(biāo)志妨礙了 更詳細(xì)的 位移評估。 這項(xiàng)研究是在 NW斷層前端水平延伸 。這部 分是由三個不同的緊密 排列的各段組成的。 這三個段 走向的大致方位角為 294176。，在北部終端改變?yōu)?333176。 除了兩個面向手標(biāo)本 ，沿著斷層 跡和 斷層附近 鉆了 14 個巖芯 ，包括 遠(yuǎn)離斷層的 兩個控制樣本。 圖 3 顯示了斷層跡和 取樣地點(diǎn) 的地圖視圖 。 兩個不同部位的巖芯被斷層切割， 與 E 或 W 不同增加了樣本的數(shù)量，表明 斷層?xùn)|側(cè)或西側(cè)的位置。 ， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 圖 。 沿?cái)鄬拥陌爰^表示滑動方向。 帶樣本編號的圓代表樣本的位置。 這些 立體圖 相同 投影區(qū)域 在地理坐標(biāo)上是水平的。 微裂隙的極點(diǎn)使用坎姆布方法 （ 1959）畫輪廓。 三個標(biāo)準(zhǔn)差被 認(rèn)為是均勻分布，等高線間隔為兩個標(biāo)準(zhǔn)差。 沿?cái)鄬拥奶摼€大圓代表最高濃度方向。 樣品 MM14 和 MMS1 背景微裂隙最高濃度方向被 繪制成 虛線大圓 ，并 在其它立體圖 作為參， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 考標(biāo)繪。 固體大圓代表 每個樣本采集位置當(dāng)?shù)財(cái)鄬拥姆轿弧?高于或低于立體點(diǎn)是采樣號， fault=當(dāng)?shù)財(cái)鄬拥姆轿唬?mfc=平均微裂隙方位， angle=當(dāng)?shù)財(cái)鄬臃轿慌c平均微裂隙的夾角 ， N=微裂隙測量的數(shù)量。 ， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 圖 4. 實(shí)地測量 米爾布魯克 山 的構(gòu)造數(shù)據(jù)。 （ a）兩極輪廓： 壓性溶解面，右滑斷層 ，外延紋理，逆沖斷層， 每個構(gòu)造 最佳適配面 。最佳適 配面的方位和 構(gòu)造的數(shù)量（ N） 顯示在每個點(diǎn)的下方。 同時(shí)顯示了 單個左側(cè)斷層 和苔楓葉斷層方位。（ b） 每個構(gòu)造最佳適配面 和苔楓葉斷層方位 采用（ a）圖獨(dú)特的線性繪制（ 見標(biāo)題為程序的描述的輪廓圖 3） 。 大型構(gòu)造的數(shù)據(jù)是在苔 楓葉 露頭和 鄰近巖層露頭，以便更好地了解當(dāng)?shù)氐臉?gòu)造背景。 沿著壓溶解理面和 石英填充擴(kuò)展 脈， 逆斷層的方位，右旋和左旋斷層在圖 4 顯示 。每個數(shù)據(jù)集 最適合 點(diǎn)已計(jì)算 和相應(yīng) 面 繪制 在 圖 4（ b） 。 苔楓葉 斷層方位和 NW 斷層前端的方位 為了對比分別在圖 4（ a）和（ b） 顯示。 斷層痕跡長度從幾米到幾十米 ，而礦脈痕跡長度是一個較小 數(shù)量級。 本地礦脈成群出現(xiàn)，而斷層更 均勻分布 。交叉關(guān)系意味著構(gòu)造是同時(shí)代的。 巖芯的觀察 分離斷層滑移磨光的層面 ，除了兩個樣本所有的都發(fā)育很好（巖芯MM4 和 MM12）。 包含在斷層前端，巖芯 MM4 中破裂面 粗糙帶交織顆粒 ，并顯示沒有 擦痕。巖芯 MM12 表面 有擦痕 顯示剪切位移 ，但在其他巖芯中缺乏 磨光面和發(fā)育很好的細(xì)溝。 在所有巖芯 斷層表面 包含在一個顏色較淺的礦化帶 中，礦化帶 延伸到圍巖只有幾毫米 。 斷層面是沒有正好位于斷層巖芯 。 它與斷層一側(cè)很近，但不是一直在同一側(cè)。 33個薄剖面用于顯微構(gòu)造研究。 檢查表明 含有 豐富的愈合微裂隙 ， 并被成線狀的流體包裹體和微礦脈 限定。微礦脈被石英充填，比微裂隙寬兩個數(shù)量級 ，裂隙同為 毫米的數(shù)量級。 變形片層和壓溶構(gòu)造 也觀察到 了 。 愈合的微裂縫是最主要的 顯微變形構(gòu)造。 取 375 毫米（ 樣本 MMS1）和 米位于東北斷層（ MM14） ，測得微裂隙的密度分別為 14 和 15mf/mm。這與 雄格姆 組 微裂隙的密度 13， 14， 17mf/mm（ 弗米利耶和肖爾茨， 1998）相一致。 背景微裂隙方位表明最大壓應(yīng)力 的兩個位置在與斷層成 26176。，并與肉眼可觀察到的右旋 滑移感一致。 這個方向?qū)τ趨^(qū)域褶皺 和逆沖斷層走向是正常的， 并與實(shí)地 觀察相一致，走滑斷層與該地區(qū)的主要 收縮構(gòu)造是 同時(shí)代。 隱含的最大壓應(yīng)力也符合 圖 4 所示的宏觀構(gòu)造 。 鄰近斷層面上 微裂隙密度成對數(shù)增加 （圖 5b f） 。在密度上的 增加類似于觀察 到的其他幾個雄格姆斷層的 對數(shù)增加 （ 弗米利耶和肖爾茨， 1998）。 MM5 樣本（圖 5a）， 表明西部斷層跡密度從 10 增加 至 30 毫米，與 總的斷層 方向 是共線 的， 都 沿西北斷層 樣品MM7 的走向 （圖 3）。 ， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 圖 5. 苔楓葉斷層微裂隙密度距離。 密度是用每毫米裂紋數(shù)（ mf/mm），并繪制在距斷層面一定距離 上 ，為雙方的過錯，斷層兩側(cè)為 （ a 和 b）及 （ c 和 d），斷 層一側(cè)為（ e）。 在圖（ f）的正方形代表擴(kuò)張象限 斷層沿線微裂隙密度，十字 代表的擠壓象限 的 密度。 密度的增加伴隨著微裂隙 方向的變化。 對于大多數(shù)巖芯 在穿過斷層面的方位中 有一個取向明顯不對稱。 樣品 MM1W， MM7E， MM8W， MM10E 和 MM11W 包含的微裂隙與斷層夾角比背景微裂隙 要大， 樣品 MM1E， MM7W， MM10W 和 MM11E 中微裂隙 則 夾角較小 。 斷層面上的不對稱是 模式 II 斷層延伸的顯著特征 ， 表明擴(kuò)張和 擠壓象限，和經(jīng)過 觀察點(diǎn) 斷層延伸的方向 。 不對稱的感覺沿著斷層跡 是變化的， 這意味著在 斷層 傳播方向的變化。 擴(kuò)張象限 和擠壓象限微 裂隙 密度分別繪制 在 圖 5（ f） ， 正方形代表擴(kuò)張象限，十字代表擠壓象限。 線上 7 分之 6 的 擴(kuò)張象限 點(diǎn)的密度 代表最合適的對數(shù)函數(shù) 。 線下 7 分之 5的壓縮象限點(diǎn) 表明 擴(kuò)張象限密度 通常較 高。這一觀察類似于以前實(shí)地和實(shí)驗(yàn)室結(jié)果（里奇斯舒和洛克納， 1994； 摩爾和洛克納， 1995； 弗米利， /構(gòu)造地質(zhì)學(xué)雜志 21（ 1999） 1623 — 1636 耶和肖爾茨， 1998）。 巖芯 MM4 和 MM12 有微裂隙群 ， 在整個斷層中對稱，并與 當(dāng)?shù)?斷層面的夾角比背景樣品 中的微裂隙 紋 與當(dāng)?shù)財(cái)鄬用鎶A角要小 。 巖芯 MM4 最大微裂隙 聚集地 從斷層西側(cè)成 8 度 夾角從 斷層西側(cè) 成 13 度夾角。 巖芯 MM12 微裂隙聚集地 從 斷層西南側(cè)成14 度 夾角從斷層?xùn)|北