20xx_20xx學(xué)年第2章電場(chǎng)與示波器章末分層突破學(xué)案滬科版選修(已改無(wú)錯(cuò)字)
2023-01-21 15:32:46 本頁(yè)面
【正文】 vavcvb 【解析】 a、 b、 c三點(diǎn)到固定的點(diǎn)電荷 P的距離 rbrcra，則三點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度由 E＝ kQr2可知 EbEcEa，故帶電粒子 Q 在這三點(diǎn)的加速度 abac Q 所受 P的電場(chǎng)力為斥力，從 a到 b 電場(chǎng)力做負(fù)功，由動(dòng)能定理 － |qUab|＝ 12mv2b－ 12mv2a0，則 vbva，從 b到 c電場(chǎng)力做正功，由動(dòng)能定理 |qUbc|＝ 12mv2c－ 12mv2b0， vcvb，又 |Uab||Ubc|，則 vavc，故 vavcvb，選項(xiàng) D正確． 【答案】 D 2． (多選 )兩個(gè)相同的負(fù)電荷和一個(gè)正電荷附近的電場(chǎng)線(xiàn)分布如圖 2173。5 所示． c 是兩負(fù)電荷連線(xiàn)的中點(diǎn)， d點(diǎn)在正電荷的正上方， c、 d到正電荷的距離相等，則 ( ) 圖 2173。5 A． a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比 b點(diǎn)的大 B． a點(diǎn)的電勢(shì)比 b點(diǎn)的高 C． c點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比 d點(diǎn)的大 D． c點(diǎn)的電勢(shì)比 d點(diǎn)的低 【解析】 根據(jù)電場(chǎng)線(xiàn)的分布圖， a、 b兩點(diǎn)中， a點(diǎn)的電場(chǎng)線(xiàn)較密，則 a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度較大，選項(xiàng) A正確．沿電場(chǎng)線(xiàn)的方向電勢(shì)降低， a點(diǎn)的電勢(shì)低于 b點(diǎn)的電勢(shì)，選項(xiàng) B錯(cuò)誤．由于 c、 d關(guān)于正電荷對(duì)稱(chēng)，正電荷在 c、 d兩點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等、方向相反；兩負(fù)電荷在 c 點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 0，在 d點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度方向向下，根據(jù)電場(chǎng)的疊加原理， c點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比 d點(diǎn)的大，選項(xiàng) C正確． c、 d兩點(diǎn)中 c點(diǎn)離負(fù)電荷的距離更小， c點(diǎn)電勢(shì)比d點(diǎn)低，選項(xiàng) D正確． 【答案】 ACD 3．如圖 2173。6，直線(xiàn) a、 b和 c、 d 是處于勻強(qiáng)電場(chǎng)中的兩組平行線(xiàn)， M、 N、 P、 Q 是它們的交點(diǎn)，四點(diǎn)處的電勢(shì)分別為 φ M、 φ N、 φ P、 φ M點(diǎn)分別運(yùn)動(dòng)到 N點(diǎn)和 P點(diǎn)的過(guò) 程中，電場(chǎng)力所做的負(fù)功相等，則 ( ) 圖 2173。6 A．直線(xiàn) a位于某一等勢(shì)面內(nèi)， φ Mφ Q B．直線(xiàn) c位于某一等勢(shì)面內(nèi)， φ Mφ N C．若電子由 M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到 Q點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功 D．若電子由 P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到 Q點(diǎn)，電場(chǎng)力做負(fù)功 【解析】 由電子從 M點(diǎn)分別運(yùn)動(dòng)到 N點(diǎn)和 P點(diǎn)的過(guò)程中電場(chǎng)力所做的負(fù)功相等可知，N、 P兩點(diǎn)在同一等勢(shì)面上，且電場(chǎng)線(xiàn)方向?yàn)?M N，故選項(xiàng) B正確，選項(xiàng) A錯(cuò)誤． M點(diǎn)與 Q點(diǎn)在同一等勢(shì)面上，電子由 M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到 Q點(diǎn)，電場(chǎng)力不做功，故選項(xiàng) C錯(cuò)誤．電子由 P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到 Q點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功，故選項(xiàng) D錯(cuò)誤． 【答案】 B
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