gsm手機(jī)的電路結(jié)構(gòu)(已改無(wú)錯(cuò)字)
2022-10-23 16:51:14 本頁(yè)面
【正文】 (2)GP： 15dB20dB， LNA一般由一級(jí)放大器來(lái)完成，其增益 不能太高，否則，整機(jī)抗阻塞和互調(diào)指標(biāo)難以達(dá)到。 (3)功耗： 4mA―8mA(FET 管 )， 1―2 mA(雙極型管 )。 (4)具有鍵控式 AGC控制功能 (通過(guò)偏置控制來(lái)實(shí)現(xiàn) )。 LNA的 NF、 CP和輸入、輸出阻抗匹配對(duì)于收機(jī)整機(jī)指標(biāo)將產(chǎn)生決定性 的影響。 第 1混頻器技術(shù)要求 (1)要采用 RF平衡輸入， IF平衡輸出的有源混頻器，以提供足夠的增 益，降低串話的干擾 。 (2)噪聲系數(shù)： 6dB8dB， GP： 8dB 2022416 AMAX TECHNOLOGY（CHINA）LTD 深圳中宇元一數(shù)碼科技有限公司 AMAX TECHNOLOGY（ CHINA） LTD GSM 手機(jī)的電路結(jié)構(gòu) (3)本振電平： 5dBm―0dBm ， 過(guò)高的本振電乎會(huì)產(chǎn)生手機(jī)功耗加 大， EMC性能變差的問(wèn)題。 第 1中頻頻點(diǎn)和 IF SAW濾波器選擇時(shí)應(yīng)考慮的因素 (1)高階組合干擾頻率點(diǎn)數(shù)越少越好，有利于抑制鏡像干擾頻率 (選高 本振、高中頻 )； (2)同時(shí)兼顧 GSM900和 DCSl800頻段的要求； (3)IF頻率點(diǎn)選得過(guò)低時(shí)，易產(chǎn)生本振干擾有用信號(hào)； IF頻率點(diǎn)選得 過(guò)高時(shí)，中放增益難以保證，易自激、不穩(wěn)定； (4)IF SAW濾波器的技術(shù)指標(biāo)，一般 IF頻點(diǎn)在 200MHz―400MHz 之間選 ??； (5)IF SAW濾波器插損小于 8dB、 帶寬 200kHz (1)功率增益：約 70dB； 2022416 AMAX TECHNOLOGY（CHINA）LTD 深圳中宇元一數(shù)碼科技有限公司 AMAX TECHNOLOGY（ CHINA） LTD GSM 手機(jī)的電路結(jié)構(gòu) (2)AGC可控范圍：約 70dB、 步進(jìn)間隔 2dB， AGC的控制范圍和控制 斜率會(huì)影響手機(jī)的越區(qū)切換； (3)雙端輸入阻抗能與 IF SAW濾波器的輸出阻抗相匹配。 I/Q正交解調(diào)器設(shè)計(jì)要求 (1)平衡輸入、輸出； (2)輸出直流偏置電平： 1V， 交流電平： 1Vpp； (3)I/Q路輸出幅度乎衡：土 1． 5dB， I／ Q路輸出相位平衡：小于 4。 (4)具有差分直流偏置校正功能。 五 發(fā)射單元方案設(shè)計(jì) 發(fā)射單元可以采用幾種不同的電路方案： (1)采用雙中頻：該方案的優(yōu)點(diǎn)是選擇性指標(biāo)容易保證，帶外抑制指標(biāo) 比較高，頻差 Fe和相差 Pe指標(biāo)比較好，缺點(diǎn)是 PLL要復(fù)雜一些，易產(chǎn) 生互調(diào)干擾。 2022416 AMAX TECHNOLOGY（CHINA）LTD 深圳中宇元一數(shù)碼科技有限公司 AMAX TECHNOLOGY（ CHINA） LTD GSM 手機(jī)的電路結(jié)構(gòu) (2)采用單中頻：這種方案的優(yōu)點(diǎn)是 PLL電路簡(jiǎn)單，不易產(chǎn)生互調(diào)干擾， Fe 和 Pe指標(biāo)比較好， 缺點(diǎn)是選擇性指標(biāo)比采用雙中頻的方案要差一些。 (3)采用直接調(diào)制到 RF的方案 (即無(wú)中頻 )：該方案的優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單， 缺點(diǎn)是選擇性指標(biāo)比較差， Fe和 Pe指標(biāo)難以保證。 (4)末級(jí) Tx―VCO 采用上變頻：其優(yōu)點(diǎn)是電路相對(duì)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是 Fe和 Pe指標(biāo) 稍差。 (5)末級(jí) Tx―VCO 采用 PLL―VC0 ： 其優(yōu)點(diǎn)是 Fe和 Pe指標(biāo)容易保證， 缺點(diǎn)是電路要相對(duì)復(fù)雜一些。 (6)采用開(kāi)環(huán)控制的 PA： 此方案的優(yōu)點(diǎn)是可以省去定向耦合器、 功率檢測(cè) 和比較電路，外圍電路相對(duì)簡(jiǎn)單一些。 該方法的缺點(diǎn)是要在 PA的供電回路中采用一個(gè)大電流 (1dmax＞ 6A)的 MOS開(kāi)關(guān)管 (其作用是相當(dāng)于一個(gè)有源降壓電阻 )，而該管在使用中的故 障率比較高，從而造成手機(jī)無(wú)法開(kāi)機(jī)的故障。 2022416 AMAX TECHNOLOGY（CHINA）LTD 深圳中宇元一數(shù)碼科技有限公司 AMAX TECHNOLOGY（ CHINA） LTD GSM 手機(jī)的電路結(jié)構(gòu) (7)采用閉環(huán)控制的 PA： 優(yōu)點(diǎn)是 PA直接和電池連接，而不用 MOS管， 故穩(wěn)定性、可靠性比較高，缺點(diǎn)是需要用定向耦合器、功率檢測(cè)和比較 電路，電路要復(fù)雜一點(diǎn)。 采用發(fā)射單中頻，末級(jí) TX―VC0 采用 PLL―VC0 ， PA閉環(huán)控制的方案較 為理想。 中頻正交 I／ Q調(diào)制器技術(shù)要求 (1)中頻頻點(diǎn)選擇 200MHz―400MHz 之間； (2)I/Q輸入直流偏置電平： 1V―1 ． 5V， I／ Q輸入交流電平： 1Vpp(平衡輸入 )； (3)調(diào)制后， I、 Q路的幅度平衡度小于土 0． 3dB， 相位平衡度小于 4。； (4)IF輸出電平： 0dBm―5dBm 。 RF變頻器和 PA設(shè)計(jì)技術(shù)要求 (1)供電電壓： DC： 3． 1V4． 5V(標(biāo)稱工作電壓： DC3． 6V)； (2)RF變頻器本振電平： ―3 dBm十 3dBm； 2022416 AMAX TECHNOLOGY
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