靜電場中的導(dǎo)體和電介質(zhì)(2)(已改無錯字)
2022-09-08 16:18:23 本頁面
【正文】 一、電介質(zhì)中的電場 EEE ??? ??? 0E? 電介質(zhì)中的場強 E?? 極化電荷產(chǎn)生的附加場強 0E? 自由電荷產(chǎn)生的場強 + + + + + + + + + + + + E??0E?0?? 0??+ + + + + + ??? ???r?d 1. 電場強度 167。 74 電介質(zhì)中的電場 有電介質(zhì)時的 高斯定理 電位移 充電介質(zhì)后的平板電容器的電場強度 r00???UUCCr0?UU ?0UU ?1r ??由于 對于平板電容器 dEUEdU 00 ??0r1 EE?? 0EE ?(被削弱 ) 真空電容器電容 充均勻電介質(zhì)后電容 000 UqC ?UqC 0?2. 與 的關(guān)系 ??0? 0000 ???? ???? EEEEE ??? 0rr 000?????? EE000???? ???000)11(r??????? ????? )( 0?? ??例題 72 平板電容器 260 ????000 ???E解 (1) 自由電荷在真空中產(chǎn)生的場強大小 6??? (2) 電介質(zhì)內(nèi)的場強大小 r0?EE ?????? 000r?? 5??0E? E? E????求： (1) ； (2) ； (3) ； (4) 。 )m( 2211 ??? ??電介質(zhì) ， (3) 電介質(zhì)表面上的極化電荷面密度 00 ????? ??? 26 ???(4) 極化電荷所產(chǎn)生的場強大小 0?? ???E 5??二、電介質(zhì)電場中的高斯定理 S 面內(nèi)有電介質(zhì)時 qqq ????0?? ?? qSES01d???真空中高斯定理 )(1d 00SSSES??????? ?????r?以平板電容器為例 ???S 內(nèi)一切電荷代數(shù)和 S 內(nèi)自由電荷代數(shù)和 S 內(nèi)極化電荷代數(shù)和 0???0??+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + S?扁盒形高斯面 S rr000 ????? qSSS ???????0r01d qSES ???????0d qSES ??????0d qSDS ?????電介質(zhì)中的高斯定理 ED ?? ??令 電位移矢量 等于該曲面所包圍的自由電荷的代數(shù)和 0r11 ??? ???????????已知 電場中，通過任意一個閉合曲面的電位移通量 各向同性電介質(zhì)中電位移矢量 ED ?? ??? 電位移線 用以描述 矢量場的一系列曲線 D?D?+ － E?－ － － + + + r?r?+ + + + + + + + + + + + + + + + 電位移線的密度等于該點電位移的大小 曲線上任一點的切向就是該點電位移的方向 DrSDS 2π4d ??? ??無限大電容率為 ? 的電介質(zhì)中，求 (1)球外任一點 P 解 (1) 過 P 作球形高斯面 S，則 02π4 qDr ?20π4 rqD ?P點的場強大小 20π4 rqDE????R r S P +q0 例題 73 金屬球半徑為 R，帶有電荷 q0，在均勻 的場強； (2)金屬球接觸的電介質(zhì)表面上的極化電荷。 (2) 設(shè)與金屬球接觸的電介質(zhì)表面的極化電荷為 q??)(1d 00qqSE
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