vasp經(jīng)驗總結(jié)(已改無錯字)
2022-09-01 18:45:28 本頁面
【正文】 個例 子中 Al處于 (0,0,0)， As處于 (, , )位置，而將 DIPOL設置為 ( , , )和 (, , )都是可以的，但是在考慮移動 Al原子時，不要將原子移動原胞之外即偏移量為負數(shù)；另外也不要將 DIPOL設置在所要移動的原子上，如果是這樣 的話，則會導致移動該原子后，該原子不在 DIPOL的同一側(cè)，使得原子移動之后的極化的 Berryphase項要比平衡態(tài)時的大很多。） 要注意的就是 DIPOL 的設置，以及原子移動的選取：不要將 DIPOL設置在某個原子位置上，原子移動的選取要保證原子在移動前后都是 DIPOL的同一側(cè) BP計算極化過程中， Dipole設置問題 此段從別處復制的，侵刪 加真空 用 MS surface ? (0 0 1)指沿 c方向加真空層，要是在其他方向上加對應修改一下就可 ? 點擊 Cleave就行 Vacuum Slab Vacuum thickness就是真空層的厚度 點擊 Build 即可 最后可以將 .cif的文件放到 vesta里面。導出 .vasp的文件，就能放到 vasp中運算了 Partial charge density（ PCD）計算 VASP 定義： Partial charge density計算或稱為 Band deposed charge density計算，即計算特定的某個 (或某些 )k點和本征值 (這些 k點和本征值是相互對應的 )所對應的本征波函數(shù)的平方 (也就是電荷密度 )。 默認值是 .FALSE.，當為 .，表示讀入自洽收斂的 CHGCAR和 WAVECAR 對應第幾條能帶，它 和 EINT不能一起用。 指定所要計算的 k點 按每個帶分開寫 按每個 K點分開寫 第一種 Partial Charge分析的 INCAR ISTART = 1 ICHARG = 1 LPARD=.TRUE. IBAND= 20 21 22 23 KPUSE= 1 2 3 4 LSEPB=.TRUE. LSEPK=.TRUE. 這樣的 INCAR給出的是指定能帶，指定 K點所對應的 Partial Charge。分析導帶、價帶等的 Partial Charge特性，通常采用的都是這種模式。 第二種 Partial Charge分析的 INCAR 這樣的 INCAR給出的是在 [ ]能量之間的 Partial Charge。這種模式適合于分析某個能量區(qū)間內(nèi)的波函數(shù)的性質(zhì)。 ISTART = 1 ICHARG = 1 LPARD=.TRUE. NBMOD=2 EINT = LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 0表示計算全部， 2表示計算某一能量區(qū)間 能量區(qū)間 Partial charge density（ PCD）計算 VASP 第三種 Partial Charge分析的 INCAR 這樣的 INCAR給出的是從 [ Ef]能量之間的 Partial Charge。這種模式最利于分析費米面附近的波函數(shù)的性質(zhì) ISTART = 1 ICHARG = 1 LPARD=.TRUE.
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