畢業(yè)論文——調(diào)頻發(fā)射機設計(已改無錯字)
2023-07-20 18:40:15 本頁面
【正文】 取標稱值R9=10kΩ。取標稱值R8=。 (4)輸入電阻Ri 若忽略晶體管基取體電阻的影響，有 （RL=325Ω） (5)輸入電壓Uim (6)耦合電容CC9 為了減小射極跟隨器對前一級電路的影響，C8的值不能過大，一般為數(shù)十pF，這里取C8=20pF，C9=。元件清單C8=20pF C9= R10=1kΩ Rw2為1kΩ的電位器 晶體管為3DG100【三】、調(diào)頻振蕩器設計調(diào)頻振蕩電路的作用是產(chǎn)生頻率的高頻振蕩信號。變?nèi)荻O管為線性調(diào)頻，最大頻偏。發(fā)射機的頻率穩(wěn)定度由該級決定。調(diào)頻振蕩器電路如圖43所示。圖43 調(diào)頻振蕩器電路 LC調(diào)頻振蕩器是直接調(diào)頻電路，是利用調(diào)制信號直接線性地改變載波瞬時頻率。 如果為LC振蕩器，則振蕩頻率主要取決于諧振回路電感和電容。將受到調(diào)制信號控制的可變電抗與諧振回路連接，就可以使振蕩頻率按調(diào)制信號規(guī)律變化，實現(xiàn)直接調(diào)頻。 LC 振蕩器主要技術指標：工作中心頻率：f0=5MHz；最大頻偏：；頻率穩(wěn)定度：(1)確定電路形式，設置靜態(tài)工作點本題對頻率穩(wěn)定度要求不是很高，故選用圖17所示的改進型電容三點式振蕩器與變?nèi)荻O管調(diào)頻電路。(2)三點式振蕩器設計：基極偏置電路元件RRRRC1的計算圖中，晶體管V1與CCCCCj、L1組成改進型電容三點式振蕩器，V1為共基組態(tài)，C1為基級耦合電容。 其靜態(tài)工作點由RRRR4共同決定。晶體管V1選擇3DG100，其參數(shù)見表14所示。小功率振蕩器的集電極靜態(tài)工作電流ICQ一般為(1~4)mA。ICQ偏大，振蕩幅度增加，但波形失真嚴重，頻率穩(wěn)定性降低。ICQ偏小對應放大倍數(shù)減小，起振困難。為了使電路工作穩(wěn)定，振蕩器的靜態(tài)工作點取,測得三極管的。 由(13)可得R3+R4=3kΩ，為了提高電路的穩(wěn)定性，R4的值可適當增大，取R4=1kΩ，則R3=2kΩ。 為了提高電路的穩(wěn)定性，取流過電阻R2上的電流 取標稱值R2=。 根據(jù)公式 得R1= 實際運用時R1取20kΩ電阻與47kΩ電位器串聯(lián)，以便調(diào)整靜態(tài)工作點。 C1為基極旁路電容，可取C1=。C8=,輸出耦合電容。調(diào)頻電路設計調(diào)頻電路由變?nèi)荻O管Cj和耦合電容C5組成，R6和R7 為變?nèi)荻O管提供靜態(tài)時的反向偏置電壓VQ。R5為隔離電阻，為了減小調(diào)制信號Ui對VQ的影響，一般要求R5遠遠大于R6和R7。C6和高頻扼流圈ZL1對Ui相當于短路，C7為濾波電容。變?nèi)荻O管Cj通過C5部分接入振蕩回路，有利于提高主振頻率的穩(wěn)定性，減小調(diào)制失真。變?nèi)荻O管的接入系數(shù)，式中，Cj為變?nèi)荻O管的結電容，它與外加電壓的關系為 ( Cj0 為變?nèi)莨?偏時結電容,UD 為其PN結內(nèi)建電位差,γ 為變?nèi)葜笖?shù)) ①變?nèi)荻O管參數(shù)選擇測變?nèi)荻O管的特性曲線，設置合適的靜態(tài)工作點。本題給定變?nèi)荻O管為2CC1C，并取變?nèi)莨莒o態(tài)反向偏壓，由特性曲線可得變?nèi)莨艿撵o態(tài)電容。②計算主振回路元件值：CCCCL1CCCCCj、L1組成并聯(lián)諧振回路，其中C3兩端的電壓構成振蕩器的反饋電壓，滿足相位平衡條件。比值C2/ C3=F，決定反饋系數(shù)的大小，~。為了減小晶體管極間電容對振蕩器振蕩頻率的影響，C
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