【正文】 元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快 。 NandFlash和NorFlash的比較 接口對比NorFlash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對CPU的接口要求低。NorFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)(XIP,eXecuteInPlace)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上運(yùn)行，只需要把rw和zi段拷貝到RAM中運(yùn)行即可。 NandFlash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。由于時序較為復(fù)雜，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NandFlash沒有掛接在地址總線上，所以如果想用NandFlash作為系統(tǒng)的啟動盤，就需要CPU具備特殊的功能，如s3c2410在被選擇為NandFlash啟動方式時會在上電時自動讀取NandFlash的4k數(shù)據(jù)到地址0的SRAM中。如果CPU不具備這種特殊功能，用戶不能直接運(yùn)行NandFlash上的代碼，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的開發(fā)板除了使用NandFlash以外，還用上了一塊小的NorFlash來運(yùn)行啟動代碼。 容量和成本對比相比起NandFlash來說，NorFlash的容量要小，一般在1~16MByte左右，一些新工藝采用了芯片疊加技術(shù)可以把NorFlash的容量做得大一些。在價格方面，NorFlash相比NandFlash來說較高，如目前市場上一片4Mbyte的AM29lv320NorFlash零售價在20元左右，而一片128MByte的k9f1g08NandFlash零售價在30元左右。 NandFlash生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，這樣也就相應(yīng)地降低了價格。 可靠性性對比NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價太高，根本不劃算。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項處理，將導(dǎo)致高故障率。而壞塊問題在NorFlash上是不存在的。 在Flash的位翻轉(zhuǎn)（一個bit位發(fā)生翻轉(zhuǎn)）現(xiàn)象上，NAND的出現(xiàn)幾率要比NorFlash大得多。這個問題在Flash存儲關(guān)鍵文件時是致命的，所以在使用NandFlash時建議同時使用EDC/ECC等校驗算法。 壽命對比在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。閃存的使用壽命同時和文件系統(tǒng)的機(jī)制也有關(guān)，要求文件系統(tǒng)具有損耗平衡功能。 升級對比NorFlash的升級較為麻煩，因為不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的NorFlash芯片時不方便。通常我們會通過在電路板的地址線上做一些跳接電阻來解決這樣的問題，針對不同容量的NorFlash。而不同容量的NandFlash的接口是固定的，所以升級簡單。 讀寫性能對比任何flash器件的寫入操作都只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個擦除/寫入操作的時間約為5s。擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個擦除/寫入操作最多只需要4ms。 讀操作：NOR的讀速度比NAND稍快一些。 文件系統(tǒng)比較Linux系統(tǒng)中采用MTD來管理不同類型的Flash芯片，包括NandFlash和NorFlash。支持在Flash上運(yùn)行的常用文件系統(tǒng)有cramfs、jffs、jffsyaffs、yaffs2等。cramfs文件系統(tǒng)是只讀文件系統(tǒng)。如果想在Flash上實現(xiàn)讀寫操作，通常在NorFlash上我們會選取jffs及jffs2文件系統(tǒng)，在NandFlash上選用yaffs或yaffs2文件系統(tǒng)。Yaffs2文件系統(tǒng)支持大頁（大于512字節(jié)/頁）的NandFlash存儲器。 5 NandFlash、NorFlash和ARM9的連接和配置 NandFlash在ARM9中的連接NandFlash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。由于時序較為復(fù)雜，所以Nand控制器一般最好集成到CPU中。另外由于NandFlash沒有掛接在地址總線上，所以如果想用NandFlash作為系統(tǒng)的啟動盤，就需要CPU具備特殊的功能，如S3C2440在被選擇為NandFlash啟動方式時會在上電時自動讀取NandFlash的4k數(shù)據(jù)到地址0的SRAM中。如果CPU不具備這種特殊功能，用戶不能直接運(yùn)行NandFlash上的代碼，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的開發(fā)板除了使用NandFlash以外，還用上了一塊小的NorFlash來運(yùn)行啟動代碼。NandFlash控制器的模塊圖如圖51：圖51 NandFlash 控制器模塊圖在重啟期間，NandFlash控制器通過引腳狀態(tài)得到連接NandFlash的信息(NCON(Adv flash), GPG13(頁大小), GPG14(地址周期), GPG15(總線寬度)參考引腳配置）。在上電或重啟以后，NandFlash控制器自動的裝載4KB的boot loader代碼。在裝載boot loader代碼后，其在steppingstone中被執(zhí)行。注：在自動重啟期間，ECC沒有檢查，因為NandFlash的前4KB數(shù)據(jù)一般認(rèn)為沒有位錯誤（一般Nandflash廠家都確保）。 NandFlash的配置 NandFlash的引腳配置OM[1:0]=00：使能NAND Flash存儲器啟動NCON: NAND Flash存儲器選擇0：普通NAND Flash（256字/512字節(jié)頁大小，3/4地址周期）1：先進(jìn)NAND Flash（1K字/2K字節(jié)頁大小，4/5地址周期）GPG13: NAND Flash存儲器頁容量選擇0：頁=256字（NCON=0）或頁=1K字（NCON=1）1：頁=512字節(jié)（NCON=0）或頁=2K字節(jié)(NCON=1)GPG14: NAND Flash存儲器地址周期選擇0：3 個地址周期（NCON=0）或 4個地址周期（NCON=1）1：4 個地址周期（NCON=0）或 5個地址周期（NCON=1）GPG15 NAND Flash存儲器總線寬度選擇0：8 位總線寬度1：16位總線寬度注：NCON,GPG[15:13]引腳配置在重啟期間被？在通常狀態(tài)下，這些引腳必須被設(shè)置為輸入以至于當(dāng)通過軟件方式進(jìn)入睡眠模式或異常狀態(tài)時，引腳狀態(tài)不會被改變。NandFlash 存儲器配置如表51：表51 NandFlash 存儲器配置 NCON0GPG13GPG14GPG150: Normal NAND0: 256Words0: 3Addr0:8bit bus width1: 512Bytes1: 4Addr1:Advance NAND0: 1Kwords0: 4Addr1: 16bit bus width1: 2Kbytes1: 5Addr例：NandFlash配置設(shè)置如表52表52 NandFlash配置部件頁大小/總大小NCON0GPG13GPG14GPG15K9S1208V0Mxxxx512Byte/512Mbit0110K9K2G16U0Mxxxx1KW / 2Gbit1011 相關(guān)寄存器配置S3c2440的NandFlash中包含的寄存器有：(1) NADN Flash 配置寄存器（NFCONF），(2) NADN Flash控制寄存器（NFCONT），(3) NADN Flash命令寄存器（NFCMMD）， (4) NADN Flash地址寄存器(NFADDR)， (5) NADN Flash數(shù)據(jù)寄存器（NFDATA）， (6) NADN Flash主數(shù)據(jù)區(qū)域 ECC寄存器（NFMECCD0/1）， (7) NADN Flash空閑區(qū)域 ECC寄存器（NFSECCD）， (8) NADN Flash操作狀態(tài)寄存器(NFSTAT)(9) NADN Flash ECC0/1 狀態(tài)寄存器（NFESTAT0/1）(10) NADN Flash 主數(shù)據(jù)區(qū)域ECC狀態(tài)寄存器（NFMECC)(11) NADN Flash 空閑區(qū)域ECC狀態(tài)寄存器（NFSECC)(12) NADN Flash 塊地址寄存器(NFSBLK amp。NFEBLK)NandFlashECC寄存器：重要寄存器的配置：(1) 配置寄存器（NFCONF）（地址：0x4E000000）配置如表53：表53 配置寄存器（NFCONF）的配置(2) 控制寄存器配置如表54：表54 控制寄存器的配置(3) 數(shù)據(jù)寄存器(大小端)配置如下： 注：大端是指：字?jǐn)?shù)據(jù)的高字節(jié)存儲在低地址中，而字?jǐn)?shù)據(jù)的低字節(jié)則存放在高地址中。小端是指：低地址中存放的是字?jǐn)?shù)據(jù)的低字節(jié)，高地址存放的是字?jǐn)?shù)據(jù)的高字節(jié)1）16 位NandFlash存儲器接口A 字訪問表55 16位NandFlash接口字訪問的大小端配置寄存器大小端位[31:24]位[23:16]位[15:8]位[7:0]NFDATA小端2ndI/O[15:8]2ndI/O[7:0]1stI/O[15:8]1stI/O[7:0]NFDATA大端1st I/O[15:8]1stI/O[7:0]2ndI/O[15:8]2ndI/O[7:0]表56 16位NandFlash接口半字訪問的大小端配置寄存器大小端位[31:24]位[23:16]位[15:8]位[7:0]NFDATA大/小端無效值無效值1st I/O[15:8]1stI/O[7:0]2）8 位NandFlash 存儲器接口A. 字訪問表57 8位NandFlash接口字訪問的大小端配置寄存器大小端位[31:24]位[23:16]位[15:8]位[7:0]NFDATA小端4th I/O[7:0]3rd I/O[7:0]2ndI/O[7:0]1st I/O[7:0]NFDATA大端1st I/O[7:0]2ndI/O[7:0]3rd I/O[7:0]4th I/O[7:0]表58 8位NandFlash接口半字訪問的大小端配置寄存器大小端位[31:24]位[23:16]位[15:8]位[7:0]NFDATA小端無效值無效值2ndI/O[7:0]1stI/O[7:0]NFDATA大端無效值無效值1stI/O[7:0]2ndI/O[7:0]表59 8位NandFlash接口字節(jié)訪問的大小端配置寄存器大小端位[31:24]位[23:16]位[15:8]位[7:0]NFDATA大/小端無效值無效值無效值1st I/O[7:0](4) ECC 寄存器配置（大小端），如表58，59：表510 16位 NAND Flash存儲器接口表511 8位NAND Flash存儲器接口 軟件模式S3C2440A僅支持軟件模式訪問。使用此模式，你可以完整的訪問NandFlash。NAND Flash控制器支持NandFlash存儲器的直接訪問接口。（1）寫命令寄存器=NandFlash存儲器命令周期（2）寫地址寄存器=NandFlash存儲器地址周期（3）寫數(shù)據(jù)寄存器=寫數(shù)據(jù)到NandFlash（寫周期）（4）讀數(shù)據(jù)寄存器=從NandFlash讀數(shù)據(jù)（讀周期）（5）讀主ECC寄存器和空閑ECC寄存器=從NandFlash存儲器讀數(shù)據(jù)注：在軟件模式中，你必須用查詢或中斷來檢測RnB狀態(tài)輸入引腳。 NorFlash在ARM9中的連接NorFlash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對CPU的接口要求低。NorFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上運(yùn)行，只需要把rw和zi段拷貝到RAM中運(yùn)行即可。 NorFlas