研發(fā)部工作總結(jié)(已改無錯字)
2022-12-11 05:15:43 本頁面
【正文】 進行調(diào)整，并 將 于 12 月 對項目 進行 驗收。 2020 年技術(shù)項目明細及進展情況如下表： 2020 年環(huán)歐公司技術(shù)項目明細及進展 編寫上報專利 一種制備 110區(qū)熔硅單晶的方法 一種硅多晶原料的清洗方法 一種氣相重摻磷區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)方法 一種氣相重摻硼區(qū)熔硅單晶的制備方法 No. 項目名 立項 現(xiàn)狀 目標 1 8 寸區(qū)熔單晶生長技術(shù) 7 英寸單晶 設(shè)備改造中 8 英寸單晶 2 區(qū)熔 6 寸氣摻單晶 成晶困難 5 寸試驗中， 6 寸未做 RRV＜ 30% 3 5 寸 FZGD單晶產(chǎn)業(yè)化（三極管 ） RRV＜ 30% RRV＜ 25% RRV ＜ 20% 4 氣摻單晶電阻率均勻性改善 （ 4 寸） ＜ 30% RRV＜ 25% 合格率 60% ＜ 15% 5 區(qū)熔重摻單晶的產(chǎn)業(yè)化 （ TVS 二極管） 成晶率 40% 成晶率 40% 成晶率 65% 6 熱處理工藝對 NTD 單晶電阻率及壽命的影響 電阻率出現(xiàn)低環(huán)，壽 命偏低 試驗中 降低電阻率漂移率，提高壽命 7 直拉重摻襯底單晶的產(chǎn)業(yè)化 成晶率 % 成晶率 40% 合格率 36% 成晶率 60% 合格率 50% 8 8 英寸直拉 110單晶的產(chǎn)業(yè)化 合格率 24%，氧 含量影響 成晶率 50% 合格率 24% 合格率 55% 9 直拉半導(dǎo)體電阻率軸向入檔率改善 入檔率 35% 入檔率 40% 入檔率 57% 10 線切硅片表面質(zhì)量的提高 硅片崩邊、裂片率高，因 TTV、 Warp等因素引起的不良率高 調(diào)整線張力， warp 不良率由 %降低至%。 WARP ： 4”≦ 25 ；5”≦ 30； 6”≦ 35 11 切磨片清洗質(zhì)量改進 清洗不良率高 已對金星十工位、五工位進行了改造，效果明顯。 優(yōu)化工藝，改進設(shè)備 12 磨片工藝砂漿的循環(huán)使用 元 /片 元 /片 元 /片 在質(zhì)量計劃方面， 做到 嚴格把關(guān)， 15 月份已 完成《 PWA15 金剛砂磨片》《 半導(dǎo)體切片提速試驗》等 23 項質(zhì)量計劃的工藝路線及實驗方案的審批工作。 六 、工藝文件 、 理論產(chǎn)能的修改、修訂工作 通過現(xiàn)場寫實，配合事業(yè)部完成了《 滾磨工藝文件 》、《線切割工藝操作規(guī)程》 、 等工藝文件的修改和修訂工作 ； 配合事業(yè)部進行了 《線 切工序理論產(chǎn)能》、《直拉理論產(chǎn)能和工時利用》 等文件 的修訂工作 ；編寫了《 QB20 外購太陽能電池用硅單晶及硅片檢驗標準 》、《太陽能單晶尾部處理規(guī)定 》 等 管理文件 及規(guī)定 。 對制造部上報的 理論產(chǎn)能 表 進行審 核及更新，對于理論產(chǎn)能的更改進行現(xiàn)場寫實考核，發(fā)現(xiàn)問題及時進行糾正，并對現(xiàn)場寫實工作進行了總結(jié)及通報。 七 .中環(huán)領(lǐng)先、中環(huán)光伏 的建設(shè) 、溝通 工作 工藝研發(fā)部協(xié)助子公司 ——中環(huán)領(lǐng)先、中環(huán)光伏的建設(shè)及技術(shù)溝通工作。 因與領(lǐng)先公司毗鄰，在雙方交接程序上因走捷徑，經(jīng)常出現(xiàn)雙方溝通不暢、 責(zé)任不明的情況，工藝研發(fā)部協(xié)助做好雙方交接的文件，做到有理 、 有據(jù)； 中環(huán)光伏前期建設(shè)人手少，工藝研發(fā)部 加班加點，在工作之余 為中環(huán)光伏申請內(nèi)蒙古科技廳的創(chuàng)新項目撰寫 全套 項目申請， 并 協(xié)助中環(huán)光伏擬 定技術(shù)標準 。 八 、 其他工作 除此之外， 工藝
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