基于雙ram技術的led顯示屏控制系統(tǒng)設計(已改無錯字)
2023-02-16 13:46:35 本頁面
【正文】 出。 16位數(shù)據(jù)輸出完畢后，將移位寄存器74LS164中的數(shù)據(jù)輸出移入到單元板的74HC595串行移位寄存器中。 重復第至步，直到一行數(shù)據(jù)全部輸出完畢后， 產(chǎn)生一個RCK脈沖，讀取的一行數(shù)據(jù)將輸出顯示，然后掃描線下移一行。 重復第至步。此電路有這樣幾個特點：顯示數(shù)據(jù)從串行FLASH輸出后，不經(jīng)單片機的處理，直接以“DMA”方式輸出到移位寄存器74LS164，同時實現(xiàn)串并轉換，節(jié)省數(shù)據(jù)處理時間，提高顯示效率；在每場數(shù)據(jù)輸出之前，通過信息在顯示區(qū)域中的地址計算數(shù)據(jù)選擇位數(shù)， 端口模擬個脈沖輸出到串行FLASH，移出位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)產(chǎn)生錯位，使輸出顯示的數(shù)據(jù)在16位輸出數(shù)據(jù)的高8位，可以直接存放在移位寄存器中，輸出到顯示屏，以后同行各列的顯示數(shù)據(jù)輸出時，無需再進行數(shù)據(jù)選擇位的判斷，直接將顯示數(shù)據(jù)從存儲器中輸出到顯示屏。存儲器效率分析: 表1 存儲器效率存儲器效率η靜態(tài)顯示一般垂直移動顯示雙RAM技術輸出顯示η計算公式效率100%16%100%觀察表1可知，在垂直移動顯示使用雙RAM技術組織，大大提高了存儲器效率，降低了顯示數(shù)據(jù)存儲器的占用。當顯示信息比較大時，動態(tài)數(shù)據(jù)組織使用的存儲器比較大，利用率低，而采用雙RAM技術正好解決這個問題。一塊RAM的效率是100%，雙RAM是50%，當有N塊RAM時，效率為。3 程序設計針對圖3所示控制電路，按照數(shù)據(jù)輸出控制流程，編寫了一段程序，隨機顯示一屏信息，顯示數(shù)據(jù)已按順序存儲在串行FLASH中。void display(unsigned int YL) { unsigned int i,j,p。 unsigned char line, unit_board_num, board_i。 unsigned char code *ram_point, *block_addr,* region_addr,* ram_begin_addr。block_addr=YL/(Bw*Sw) * (Sw*Dw)。 //所在塊的起始地址 region_addr=(YL%Sw)*Dw。 /所在區(qū)的相對塊的相對地址 i=YL/Sw。region_recod=YL%Sw。 //此變量記錄顯示數(shù)據(jù)已進入哪一區(qū)ram_point=ram_begin_addr+block_addr+region_addr1。 // ram_begin_addr為數(shù)據(jù)起始地址 SPI_write_read(0x03)。 //向串行FLASH發(fā)讀命令，0x03為讀控制字 SPI_write_read(((ram_point amp。 0xffffff)16))。 //3字節(jié)24位地址 SPI_write_read(((ram_point amp。 0xffff)8))。 SPI_write_read (ram_point amp。 0xff)。unit_board_num=Dw/64。 //計算單元板的數(shù)量for(p=0。pi。p++) //產(chǎn)生錯位的模擬脈沖 { SCK=0。 SCK=1。 }SCK=0。 for(line=0。lineSw。line++){ SPISIZE=0x0f。 //設置2字節(jié)16位傳輸方式for( board_i=0。board_iunit_board_num。board_i++ ) //按單元板數(shù)循環(huán)送顯示數(shù)據(jù) { for(j=0。j64。j++)
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