片機結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)擴展(已改無錯字)
2023-06-22 04:39:33 本頁面
【正文】 院 8031對程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器的尋址原理 電氣工程學(xué)院 8031外部存儲器總線時序 舉例：讀外部數(shù)據(jù)存儲器 MOVX A， @DPTR ；機器碼 E0H，存儲地址為 2021H 其中 DPTR里內(nèi)容為 4000H，4000H內(nèi)容為 0AAH T1： ALE的下降沿鎖存程序代碼地址 P2~P0（ 2021H） T2：讀程序代碼內(nèi)容 P0（ 0E0H） T3：鎖存程序代碼制定外部存儲器的地址 P15~P0（ 4000H） T4：讀外部存儲器內(nèi)容 P0（ 0AAH） P 1 P 2 P 1 P 2 P 1 P 2 P 1 P 1P 2 P 1S 1S 2 S 3 S 4 S 5 S 6第 1 個 機 器 周 期 （ 1 2 個 時 鐘 周 期 ）時 鐘A L EP 2 P 1P 2 P 2 P 1 P 2 P 1 P 2 P 1 P 2 P 1 P 2S 1 S 2 S 3S 4S 5 S 6第 2 個 機 器 周 期 （ 1 2 個 時 鐘 周 期 ）P S E NR DP 2P 0P 1P 2A 7 ~ A 0指 令代 碼A 0 ~ A 7數(shù) 據(jù)A 0 ~ A 7無 效A 1 5 ~ A 8 A 1 5 ~ A 8 A 1 5 ~ A 8T 1 T 2 T 3T 4電氣工程學(xué)院 譯碼器 74LS138 /139框圖 38 24 電氣工程學(xué)院 譯碼器 74LS138 /139功能表 電氣工程學(xué)院 四 十六譯碼器 譯碼器 74LS154 框圖和功能表 電氣工程學(xué)院 (1)對于不同的外部存儲器芯片，不能有相同的地址范圍 (2)對于每一個芯片，所分配的地址范圍大于等于芯片的存儲容量 (3)由高位地址線通過地址譯碼電路按照外圍存儲器的數(shù)量將整個存儲空間劃分成不同的區(qū)域 (4)按照每個存儲器的需要將 CPU的低位地址線連接到存儲器的地址線上，用來尋址存儲器的每個存儲單元 地址譯碼器 存儲器 1 存儲器 2 存儲器 2n CE1 CE2 CE2n 高位地址線 （ n條 ） A0 A15 A0 ～ Am A0 ～ Ap A0 ～ Aq 擴展外部存儲器的步驟 ? 利用鎖存器分離低位地址線和數(shù)據(jù)線 ? 數(shù)據(jù)線的連接 ? 地址線的連接 ? 讀寫信號線的連接 ? 根據(jù)需要設(shè)計地址譯碼電路 8031外部存儲器擴展 1 電氣工程學(xué)院 ? 74LS138，其中 A、 B、 C分別是三條輸入線， Y0~Y7是八條輸出線。 E E E3分別是三個使能端。 8031外部存儲器擴展 2 電氣工程學(xué)院 非均勻譯碼 8031外部存儲器擴展 3 電氣工程學(xué)院 8031外部存儲器擴展 例 1 X T A L 1X T A L 2+ 5 VR E S E TV C CV S S+ 5 VC 1Z 1C 2C 3R 1P 0 . 0~P 0 . 7P 2 . 0~P 2 . 47 4 L S 5 7 3A L E L EO ED 0~D 7Q 0~Q 76 2 6 4 2 7 6 47 4 L S 1 3 8P 2 . 5P 2 . 6P 2 . 7A 0 ~ A 7A 8 ~ A 1 2D 0 ~ D 7ABCY 4A 0~A 1 2D 0 ~ D 7 D 0 ~ D 7A 0~A 1 2O E W ER DW RP S E NE AC S 2+ 5 VC S 1 C EO EY 0E 1E 2E 3+ 5 VP G MV P PA 0 ~ A 7A 8 ~ A 1 2D 0 ~ D 7擴展一片 6264（ 8000H~9FFFH）和一片2764（ 0000H~1FFFH） 程序存儲器的地址范圍必須包含 0000H到 0030H，因為程序上電復(fù)位后要從 0000H單元開始運行，同時中斷向量要占據(jù) 0003H~0030H地址 電氣工程學(xué)院 日歷 /時鐘顯示調(diào)整系統(tǒng) 8031應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計實例 電氣工程學(xué)院 4個并行 I/O 口 P0、 P P P3 P0:數(shù)據(jù)總線 /低 8位地址線或者通用 I/O口 P2:高 8位地址線或者通用 I/O口 P3:多功能口，例如：串口、定時器、外中斷輸入等 P1:通用 I/O口 MCS51內(nèi)部并行 I/O口 1 電氣工程學(xué)院 輸出： 輸入 (讀引腳 ) ： 輸入（讀鎖存器） MOV P1， A MOV P1， 0FFH MOV A， P1 MOV A， P1 DC P內(nèi) 部總 線寫 入讀 引 腳讀 鎖 存 器V C CP 1 . X MCS51內(nèi)部并行 I/O口 2 電氣工程學(xué)院 并行 I/O口擴展 1 MCS51單片機系統(tǒng)中 ,擴展 I/O是與外部數(shù)據(jù)存儲器統(tǒng)一編址的 ,占用外部數(shù)據(jù)存儲器的單元地址 ,使用 MOVX指令進(jìn)行讀寫 (RD、 WR控制信號） . 擴展 I/O有以下三種基本方法： 0000 FFFF 外部數(shù)據(jù)存儲器 RAM I/O （ 1）專用 I/O口擴展芯片 （ 2）串行口擴展并行口 （ 3） 利用鎖存器進(jìn)行簡單 I/O擴展（ P247 圖 710） 電氣工程學(xué)院 Intel 8155可編程并行 I/O 接口芯片 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳功能 并行 I/O口擴展 2 電氣工程學(xué)院 并行 I/O口擴展 3 電氣工程學(xué)院 (2)8155命令寄存器 0 0 0 0 并行 I/O口擴展 4 電氣工程學(xué)院 采用 8155 擴展 I/O 口舉例 并行 I/O口擴展 5 電氣工程學(xué)院 (1)RAM地址 : 7E00H~7EFFH (2)I/O地址 : 命令寄存器 : 7FF8H A口 :7FF9H B口 :7FFAH C口 :7FFBH 地址范圍分析 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6 A5A4 A3A2A1A0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
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