【正文】 級(jí)如射極輸出器，以減弱外接負(fù)載對(duì)振蕩器幅度、波形以及頻率穩(wěn)定度的影響。 射極輸出器的特點(diǎn)是輸入 阻抗高，輸出阻抗低，放大倍數(shù)接近于1。 電路形式 由于待傳輸信號(hào)是高頻調(diào)頻波，主要考慮的是輸入抗高，傳輸系數(shù)大且工作穩(wěn)定。選擇電路的固定分壓偏置與自給偏壓相結(jié)合，具有穩(wěn)定工作點(diǎn)特點(diǎn)的偏置電路。如圖 23 所示。射極加 RW2 可改變輸入阻抗。 電位器 ? ? ? ? k k R 2 0 . 1 11 ? ? 20 13 R 20 圖 23 射極輸出器電路 估算偏置電路元件 (1)已知條件： Vcc=+12V，負(fù)載電阻 RL=425Ω(寬帶放大器輸入電阻 )，輸出電壓振幅等于高頻寬帶放大器輸入電壓振幅，即 Uom=1V，晶體管為 3DG100（ 3DG6）。 3DG100 的參數(shù)如表 32 所示。 表 22 3DG100 參數(shù)表 PCM ICM VCES hfe fT AP 100mW 30mA 30~200 ≥150MHz β0=60。晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)位于交流負(fù)載線的中點(diǎn)，一般取UCEQ=7V， ICQ=(3~10)mA。 根據(jù)已知條件選取 ICQ=5mA,， VCEQ==7V，則 (2)R Rw2： 取 R10=500Ω， Rw2為 1kΩ的電位器。 ? ? ? ? ? ? ? ? k mA V Vc V R R EQ cc w 0 . 1 5 7 12 I I V CQ CQ EQ 2 10 已調(diào)波 輸入 經(jīng)緩沖隔離后已調(diào)波輸出 21 (3) R R9 VEQ= VBQ= VEQ+= IBQ=ICQ/β0 = 取標(biāo)稱值 R9=9kΩ 。 取標(biāo)稱值 R8= 。 (4)輸入電阻 Ri 若忽略晶體管基取體電阻的影響，有 （ RL=425Ω） (5)輸入電壓 Uim. (6)耦合電容 C C9 為了減小射極跟隨器對(duì)前一級(jí)電路的影響， C8 的值不能過大，一般為數(shù)十 pF，這里取 C8=20pF， C9=。 元件清單 C8=20pF C9= R10=500Ω Rw2為 1kΩ的電位器 晶體管為 3DG100 調(diào)頻振蕩器設(shè)計(jì) 調(diào)頻振蕩電路的作用是產(chǎn)生頻率 MHzfo 5? 的高頻振蕩信號(hào)。變?nèi)荻O管為線性調(diào)頻，最大頻偏 。發(fā)射機(jī)的頻率穩(wěn)定度由該級(jí)決定。調(diào)頻振蕩器電路如圖 2 4 示。 kHz f m 75 ? ? V P R U i i im 6 . 2 10 * 25 . 1 * 2750 * 2 2 3 ? ? ? ? ? ? ? k I V R BQ BQ 9 10 9 ? ? ? ? k I V V R BQ BQ cc 1 . 5 10 8 ? ? ? ? k R R R R R R L w i 75 . 2 ] || ) [( || ) || ( 2 10 9 8 ? ? ? k R 9 9 ? ? k R 1 . 5 8 22 圖 24 調(diào)頻振蕩器電路 LC 調(diào)頻振蕩器是直接調(diào)頻電路，是利用調(diào)制信號(hào)直接線性地改變載波瞬時(shí)頻率。 如果為 LC 振蕩器，則振蕩頻率主要取決于諧振回路電感和電容。將受到調(diào)制信號(hào) 控制的可變電抗與諧振回路連接，就可以使振蕩頻率按調(diào)制信號(hào)規(guī)律變化，實(shí)現(xiàn)直 接調(diào)頻。 LC 振蕩器 主要技術(shù)指標(biāo)：工作中心頻率： f0=5MHz； 最大頻偏： f=75KHz； 頻率穩(wěn)定度： 小時(shí)/10*5/ 400 ??? ff (1)確定電路形式，設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn) 本題對(duì)頻率穩(wěn)定度 off/? 要求不是很高，故選用圖 17 所示的改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器與變?nèi)荻O管調(diào)頻電路。 (2)三點(diǎn)式振蕩器設(shè)計(jì)： 基極偏置電路元件 R R R RC1的計(jì)算 圖中，晶體管 V1 與 C C C C Cj、 L1 組成改進(jìn)型電已調(diào)波輸出 調(diào)制信號(hào)輸入 23 容三點(diǎn)式振蕩器， V1 為共基組態(tài)， C1 為基級(jí)耦合電容。 其靜態(tài)工作點(diǎn)由 R R R R4 共同決定。晶體管 V1 選擇 3DG100，其參數(shù)見表 22 所示。 小功率振蕩器的集電極靜態(tài)工作電流 ICQ一般為 (1~4)mA。 ICQ偏大，振蕩幅度增加，但波 形失真嚴(yán)重，頻率穩(wěn)定性降低。 ICQ偏 小對(duì)應(yīng)放大倍數(shù)減小，起振困難。為了使電路工作穩(wěn)定，振蕩器的靜態(tài)工作點(diǎn)取 , VVCEQ 6? ,測(cè)得三極管的 60?? 。 由 (13)可得 R3+R4=2kΩ ，為了提高電路的穩(wěn)定性， R4 的值可適當(dāng)增大，取 R4=1kΩ，則 R3=1kΩ。 為了提高電路的穩(wěn)定性，取流過電阻 R2上的電流 取標(biāo)稱值 R2=。 據(jù)公式 得 R1= 實(shí)際運(yùn)用時(shí) R1 取 10kΩ電阻與 20kΩ電位器串聯(lián)，以便調(diào)整靜態(tài)工作點(diǎn) 。 C1 為基極旁路電容，可取 C1=。 C8=,輸出耦合電容。 mA I CQ 3 ? mA R R R R V Vcc I CEQ cQ 3 6 12 4 3 4 3 ? ? ? ? ? ? ? V k mA R I V V V cQ BE BQ EQ 3 1 * 3 4 ? ? ? ? ? ? V V R R R Vcc R R R V EQ BQ 7 . 3 7 . 0 12 2 1 2 2 1 2 ? ? ? ? ? ? ? uA mA I I cQ BQ 0 . 50 60 / 3 / ? ? ? ? mA I I BQ 5 . 0 10 2 ? ? ? ? ? ? k mA V I V R BQ 4 . 5 5 . 0 7 . 2 2 2 ? ? ? ? ? ? ? ? K R V V R V R R R V BQ CC CC BB 1 . 12 ) 1 ( 2 1 2 1 2 則 24 調(diào)頻電路設(shè)計(jì) 變?nèi)荻O管利用 PN結(jié)的結(jié)電容制成，在反偏電壓作用下呈現(xiàn)一定的結(jié)電容（勢(shì)壘電 容），而且這個(gè)結(jié)電容能靈敏地隨著反偏電壓在一定范圍內(nèi)變化，其關(guān) 系曲線稱 jC ～ R? 曲線，如圖所示。 圖 25 jC ～ R? 曲線 由圖可見：未加調(diào)制電壓時(shí)，直流反偏 QV 所對(duì)應(yīng)的結(jié)電容為 ?jC 。當(dāng)調(diào)制信號(hào)為正半周時(shí)，變?nèi)荻O管負(fù)極電位升高，即反偏增加時(shí)，變?nèi)荻?極管的電容 jC 減?。划?dāng)調(diào)制信號(hào)為負(fù)半周時(shí)，變?nèi)荻O管負(fù)極電位降低，即反偏減小時(shí)， jC 增大，其變化具有一定的非線性，當(dāng)調(diào)制電壓較小時(shí)，近似為工作在 jC ～ R? 曲線的線性段，將隨調(diào)制電壓線jC 性變化，當(dāng)調(diào)制電壓較大時(shí)，曲線的非線性不可忽略，它將給 調(diào)頻帶來一定的非線性失真。 調(diào)頻電路由變 容二極管 Cj 和耦合電容 C5組成， R6 和 R7 為變?nèi)荻O管提供靜態(tài)時(shí)的反向偏置電壓 VQ， VccRR RVQ 76 7?? 。 R5為隔離電阻，為了減小調(diào)制信號(hào) Ui 對(duì) VQ 的影響，一般要求 R5遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 R6 和 R7。 C6 和高頻扼流圈 ZL1 對(duì) Ui 相當(dāng)于短路， C7為濾波電容。 變?nèi)荻O管 Cj 通過 C5部分接入振蕩回路，有利于提高主振頻率 0f 的穩(wěn)定性，減小調(diào)制失真。變?nèi)荻O管的接入系數(shù)jCCCp ?? 55 ，式中， Cj 為變?nèi)荻O管的結(jié)電容，它與外加電壓的關(guān)系為 ?)1(0DjUuCCj ?? ( Cj0 為變?nèi)莨?0 偏時(shí)結(jié)電容 ,UD 為其 PN 結(jié)內(nèi)建電位差 ,γ 為變?nèi)葜笖?shù) ) ① 變?nèi)荻O管參數(shù)選擇 測(cè)變?nèi)荻O管的 VCj? 特性曲線，設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn) QV 。本題給定變?nèi)荻O管為 2CC1C，并取變?nèi)莨莒o態(tài)反向偏壓 VVQ 4? ，由特性曲線可得變?nèi)莨艿撵o態(tài)電容 pFCjQ 75? 。 25 ② 計(jì)算主振回路元件值： C C C C L1 C C C C Cj、 L1 組成并聯(lián)諧振回路，其中 C3 兩端的電壓構(gòu)成振蕩器的反饋電壓，滿足相位平衡條件。 比值 C2/ C3=F，決定反饋系數(shù)的大小， F 一般取 ~ 之間的值。 為了減小晶體管極間電容對(duì)振蕩器振蕩頻率的影響， C C3的值要大。如果 C4取 幾十皮法，則 C C3在幾百皮法以上。 因接入系數(shù) jCCCp ?? 5 5 ，一般接入系數(shù) 1?p ，為減小振蕩回路輸出的高頻電壓對(duì)變?nèi)菥w管的影響， p 值應(yīng)取小，但 p 值過小又會(huì)使頻偏達(dá)不到指標(biāo)要求 ， 可以先取 p=。則 pFppCC j 75* ????? ，取標(biāo)稱值 pFC 205 ? 。（ VQ=4V 時(shí) Cj =75pF） 若取 C4=20pF， 電容 C C3 由反饋系數(shù) F 及電路條件 C2CC3C4 決定，若取 C2=330pF，由 F= C2/ C3= ~ 取 C3=750pF。則靜態(tài)時(shí)諧振回路的總電容為 )(7520 75*2020****554554323243232pFCC CCCCC CCCCC CCCCC CCCjQjQjQj ??????????????