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歷年全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)大賽題目推薦閱讀-閱讀頁(yè)

2024-11-15 12:51本頁(yè)面
  

【正文】 V,輸出信號(hào)波形無(wú)明顯失真。(6)電壓增益AV可預(yù)置并顯示,預(yù)置范圍為0~60dB,步距為5dB(也可以連續(xù)調(diào)節(jié));放大器的帶寬可預(yù)置并顯示(至少5MHz、10MHz 兩點(diǎn))。(8)其他(例如改善放大器性能的其它措施等)。負(fù)載電阻應(yīng)預(yù)留測(cè)試用檢測(cè)口和明顯標(biāo)志,如不符合(50177。3.放大器要留有必要的測(cè)試點(diǎn)。無(wú)線環(huán)境監(jiān)測(cè)模擬裝置(D題)【本科組】一、任務(wù)設(shè)計(jì)并制作一個(gè)無(wú)線環(huán)境監(jiān)測(cè)模擬裝置,實(shí)現(xiàn)對(duì)周邊溫度和光照信息的探測(cè)。監(jiān)測(cè)終端和探測(cè)節(jié)點(diǎn)均含一套無(wú)線收發(fā)電路,要求具有無(wú)線傳輸數(shù)據(jù)功能,收發(fā)共用一個(gè)天線。探測(cè)節(jié)點(diǎn)有編號(hào)預(yù)置功能,編碼預(yù)置范圍為00000001B~11111111B。溫度測(cè)量范圍為0℃~100℃,絕對(duì)誤差小于2℃;光照信息僅要求測(cè)量光的有無(wú)。(2)制作1個(gè)監(jiān)測(cè)終端,用外接單電源供電。監(jiān)測(cè)終端可以分別與各探測(cè)節(jié)點(diǎn)直接通信,并能顯示當(dāng)前能夠通信的探測(cè)節(jié)點(diǎn)編號(hào)及其探測(cè)到的環(huán)境溫度和光照信息。在0~10cm距離內(nèi),各探測(cè)節(jié)點(diǎn)與監(jiān)測(cè)終端應(yīng)能正常通信。即探測(cè)節(jié)點(diǎn)B的探測(cè)信息,能自動(dòng)通過(guò)探測(cè)節(jié)點(diǎn)A轉(zhuǎn)發(fā),以增加監(jiān)測(cè)終端與節(jié)點(diǎn)B之間的探測(cè)距離D+D1。(2)在監(jiān)測(cè)終端電源供給功率≤1W,無(wú)線環(huán)境監(jiān)測(cè)模擬裝置探測(cè)時(shí)延不大于5s的條件下,使探測(cè)距離D+D1達(dá)到50cm。各探測(cè)節(jié)點(diǎn)應(yīng)預(yù)留干電池供電電流的測(cè)試端子。三、說(shuō)明1.監(jiān)測(cè)終端和探測(cè)節(jié)點(diǎn)所用天線為圓形空芯線圈,用直徑不大于1mm的漆包線或有絕緣外皮的導(dǎo)線密繞5圈制成。)cm(可用一號(hào)電池作骨架)。無(wú)線傳輸載波頻率低于30MHz,調(diào)制方式自定。無(wú)線收發(fā)電路需自制,不得采用無(wú)線收、發(fā)成品模塊。2.發(fā)揮部分須在基本要求的探測(cè)時(shí)延和探測(cè)距離達(dá)到要求的前提下實(shí)現(xiàn)。電流測(cè)試電路見圖3。如果D+D1達(dá)不到50cm,此項(xiàng)目不進(jìn)行測(cè)試。完整的電路原理圖、重要的源程序用附件給出。該充電器的核心為直流電源變換器,它從一直流電源中吸收電能,以盡可能大的電流充入一個(gè)可充電池。監(jiān)測(cè)和控制電路由直流電源變換器供電??沙潆姵氐碾妱?dòng)勢(shì)Ec=,內(nèi)阻Rc=。(2)在Rs=100Ω時(shí),能向電池充電的Es盡可能低。(4)Es降低到不能向電池充電,最低至0時(shí),盡量降低電池放電電流。發(fā)揮部分(1)在Rs=1Ω,Es=~,以盡可能大的電流向電池充電。當(dāng)Es≥,取Rs =1Ω; 當(dāng)Es<,取Rs =。當(dāng)Es≥,取Rs =1Ω;當(dāng)Es<,取Rs=。(5)其他。該放大器包括前置放大、帶阻網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字幅頻均衡和低頻功率放大電路,其組成框圖如圖1所示?!?0kHz。帶阻網(wǎng)絡(luò)具體電路見題目說(shuō)明1。要求: 。制作功率放大電路,對(duì)數(shù)字均衡后的輸出信號(hào)v3進(jìn)行功率放大,要求末級(jí)功放管采用分立的大功率MOS晶體管。(2)功率放大電路的3dB通頻帶為20Hz~20kHz。(4)其他。圖中元件值是標(biāo)稱值,不是實(shí)際值,對(duì)精度不作要求,電容必須采用鋁電解電容。3.題目發(fā)揮部分中的功率放大電路不得使用MOS集成功率模塊。5.設(shè)計(jì)報(bào)告正文中應(yīng)包括系統(tǒng)總體框圖、核心電路原理圖、主要流程圖、主要的測(cè)試結(jié)果。第五篇:電子設(shè)計(jì)大賽題目設(shè)計(jì)一個(gè)自動(dòng)控制升降旗系統(tǒng),該系統(tǒng)能夠自動(dòng)控制升旗和降旗,升旗時(shí),在旗桿的最高端自動(dòng)停止;降旗時(shí),在最低端自動(dòng)停止。旗幟的升降由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),該系統(tǒng)有兩個(gè)控制按鍵,一個(gè)是上升鍵,一個(gè)是下降鍵。2. 能在指定的位置上自動(dòng)停止。4. 升降旗的時(shí)間均為43秒鐘,與國(guó)歌的演奏時(shí)間相等,同時(shí),旗從旗桿的最下端上升到頂端。5. 數(shù)字即時(shí)顯示旗幟所在的高度,以厘米為單位,誤差不大于2厘米。1. 半旗狀態(tài)(根據(jù)《國(guó)旗法》)。2. 不論旗幟是在頂端還是在底端,關(guān)斷電源之后重新合上電源,旗幟所在的高度數(shù)據(jù)顯示不變。此時(shí)國(guó)歌停奏。
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