清華大學(xué)-輻射安全與防護(hù)培訓(xùn)-輻射探測(cè)器(20xx-10)-閱讀頁(yè)
2024-09-03 22:29本頁(yè)面
【正文】 率 是入射光 波長(zhǎng) 的 函數(shù) ，稱作 “ 光譜響應(yīng) ” 。 3) PMT 暗電流與噪聲 當(dāng) 工作狀態(tài) 下的 光電倍增管 完全 與 光輻射 隔絕 時(shí)，其 陽(yáng)極 仍能 輸出電流 (暗電流 )及 脈沖信號(hào) (噪聲 )。 (3)工藝 尖端放電 及 漏電 成因 ： 4) PMT 的時(shí)間特性 飛行時(shí)間 (渡越時(shí)間 ) et一個(gè) 光電子 從 光陰極 到達(dá) 陽(yáng)極 的平均時(shí)間 。 ： te的 分布函數(shù) 的 半寬度 5) PMT 的穩(wěn)定性 穩(wěn)定性 是指在 恒定 輻射源 照射下， 光電倍增管的 陽(yáng)極電流 隨 時(shí)間 的變化。一般在開(kāi)機(jī)后 預(yù)熱 半小時(shí)才開(kāi)始正式工作。長(zhǎng)期工作條件下，須采用 “ 穩(wěn)峰 ”措施。 我們把 氣體探測(cè)器 中的 電子－離子對(duì) 、 閃爍探測(cè)器 中被 PMT第一打拿極收集的電子 及 半導(dǎo)體探測(cè)器 中的 電子－空穴對(duì) 統(tǒng)稱為 探測(cè)器的信息載流子 。 三 . 半導(dǎo)體探測(cè)器 半導(dǎo)體探測(cè)器 的特點(diǎn)： (1) 能量分辨率最佳 ； (2) ?射線探測(cè)效率較高 ，可與閃爍探測(cè)器相比。K 77186。 半導(dǎo)體中的 平均電離能 與入射粒子能量無(wú)關(guān) 。 對(duì) N型半導(dǎo)體 ，電子的漂移速度為 Eunn?? ??對(duì) P型半導(dǎo)體 ，空穴的漂移速度為 Eu pp ?? ?? 電場(chǎng)較高時(shí)，漂移速度隨電場(chǎng)的增加較慢，最后達(dá)到 載流子 的 飽和速度 ～ 107cm/s。當(dāng)半導(dǎo)體材料被冷卻到液氮溫度時(shí)將大大提高電阻率。只有當(dāng)漂移長(zhǎng)度 大于靈敏體積的長(zhǎng)度才能保證載流子的有效收集。 EL ??? ?? 高的電阻率 和 長(zhǎng)的載流子壽命 是組成半導(dǎo)體探測(cè)器的關(guān)鍵。 結(jié)區(qū)內(nèi)存在著勢(shì)壘 ， 結(jié)區(qū)又稱為勢(shì)壘區(qū) 。 cm??1010ntype ptype + + + + + + + + + + + + + + + a b0 bNaN AD ??? PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的類型 1) 擴(kuò)散結(jié) (Diffused Junction)型探測(cè)器 采用 擴(kuò)散工藝 —— 高溫?cái)U(kuò)散 或 離子注入 ；材料一般選用 P型高阻硅 ， 電阻率為 1000；在電極引出時(shí)一定要保證為 歐姆接觸， 以防止形成另外的結(jié)。工藝成熟、簡(jiǎn)單、價(jià)廉。 因?yàn)?雜質(zhì)濃度極低 ， 相應(yīng)的 電阻率很高 。 一般半導(dǎo)體材料雜質(zhì)濃度為 ~1015原子 /cm3。 2) P區(qū) 為 非均勻電場(chǎng) 。 4) HPGe半導(dǎo)體探測(cè)器可在 常溫下保存 ，低溫下工作 。 HPGe用于組成 ?譜儀 ：鍺具有較高的密度和較高的原子序數(shù) (Z=32) 探頭 (晶體＋前置放大器＋低溫裝置 )； 譜放大器 (穩(wěn)定性，抗過(guò)載，極零調(diào)節(jié)，基線恢復(fù)等 )。 ?譜儀的應(yīng)用 ：活化分析； X射線熒光分析；核物理研
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