第六章-結(jié)晶器設(shè)計(jì)-閱讀頁(yè)
2024-08-11 13:28本頁(yè)面
【正文】 （ 14） ? 分析方程（ 14） – 此方程給出生產(chǎn)強(qiáng)度（ P/ρCV） – 懸浮密度（ 1ε）， – 晶體尺寸 L（或 X） , – 成長(zhǎng)速率， – 成核速率 ? 方程（ 6），從產(chǎn)品角度分析而得到的粒數(shù)，質(zhì)量衡算。 設(shè) （ 15） （ 16） ?ddLdxexmI mx2m1 ????? ?? ??? ? ???? ? ??0 0mx2mmx0 0mx3mxmdxexdxedxexdxex2Imv* 3 m 2 xP vV 0L ( B k m x e d x )165。（ 6） ? 用 Ld代替 L* – 方程（ 6）可表示為 – 方程（ 14）可表示為 3v3dVP IBkLC ??? ? ? ?C dLP d4Vd avL I 1?? ???m3)1(II m213 ??? m1)1(IIm224???（ 17） (18) 作圖 把方程（ 17）取對(duì)數(shù) 在一定的 Ld下， 與 為一條直線，斜率為 1 ? 這條直線取決于要求的產(chǎn)品粒度 Ld和相應(yīng) m值為特征。 ? 另一方面，在一定的生產(chǎn)能力下，由方程（ 17）， Ld和Bkv立方根成正比，因此， Bkv的軸可以和 Ld軸平行而置。 ? 按道理講，不同的 m值，其 P/ρCV、 Bkv和 Ld應(yīng)遵循不同的規(guī)律，可以完全做成另一個(gè)圖，然而，要是用一張圖表示即存在的的信息總量較為簡(jiǎn)單。這樣我們就可以用一個(gè) Ld與 Bkv之間的關(guān)系。 ? 到此，我們?cè)谝粡垐D上把 Ld， BkV， m，P/ρV的關(guān)系表示出來(lái)。 ? 即（ ）或 可以任選一個(gè)值而另一個(gè)值必須滿足上面的方程， ? 把這些關(guān)系標(biāo)在同一張圖上，成為圖 7 )(lg VPC? VlgBk 41??1??1avddL4VPL ))(1(IC d ?? ?????1avddL)( ?成核速率對(duì)晶體尺寸的影響分析 ? 在生產(chǎn)強(qiáng)度一定的條件下，即， P/ρCV為常數(shù) ? 控制結(jié)晶器中的成核速率 ? 成核速率增加，操作點(diǎn)向右移動(dòng)，晶體尺寸減小。 ? 另一方面，從晶體的成長(zhǎng)與質(zhì)量橫算考慮，在圖中有要滿足操作線，即懸浮密度與成長(zhǎng)速率的關(guān)系。要看其造作是怎樣提高生產(chǎn)能力的 –在原操作點(diǎn)左方，晶體尺寸增加。 保持產(chǎn)品粒度，而增加（或降低）生產(chǎn)能力 ? 保持產(chǎn)品粒度，在設(shè)計(jì)圖上是早同一條特征線，但其操作線 在變化。 ? 其懸浮密度必須保持恒定，以確保產(chǎn)品的粒度不變，因此，成長(zhǎng)速率必須成比例增加。 結(jié)晶器體積的設(shè)計(jì) 結(jié)晶過(guò)程的模擬（ 基于平倉(cāng)賢理論） ? 缺欠 – 動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)（成核速率在生產(chǎn)上的要求與其規(guī)律沒(méi)有聯(lián)系） – 圖的準(zhǔn)確程度 ? 用完全計(jì)算的方法實(shí)現(xiàn)結(jié)晶器的設(shè)計(jì)，考慮到體系的成核與成長(zhǎng)速率 ? 設(shè)計(jì)方程可以改寫(xiě)為 ? 可用試差求解此兩個(gè)方程 d4TP L IV = GM 3v d 3PB = K V L I?計(jì)算方法 已知： p, ρc,m, Ld,MT(其中可給范圍值 ) 給一個(gè)成長(zhǎng)速率 G 計(jì)算 V從方程 a 計(jì)算成核速率從方程 b 用成核速率模型計(jì)算成核速率 比較如不匹配，重設(shè)成長(zhǎng)速率進(jìn)行系統(tǒng)模
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1