第二節(jié)霍爾傳感器-閱讀頁
2025-08-04 20:45本頁面
【正文】 電阻率很?。欢^緣材料電阻率極高 ， 但載流子遷移率極低 ，故只有半導體材料才適于制造霍爾片 。 輸入電阻和輸出電阻 Ri：激勵電極間的電阻值 。 不等位電勢 U0： 在額定控制電流 I下 ， 不加磁場時 ，霍爾電極間的空載霍爾電勢 。 第 8 章 磁電式傳感器 霍爾電勢溫度系數(shù)： 在一定磁感應強度和激勵電流下 ， 溫度每變化 1℃ 時 ， 霍爾電勢變化的百分率稱為霍爾電勢溫度系數(shù) 。 額定激勵電流和最大允許激勵電流： 當霍爾元件自身溫升 10℃ 時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流 。 因霍爾電勢隨激勵電流增加而線性增加 ， 所以使用中希望選用盡可能大的激勵電流 ， 因而需要知道元件的最大允許激勵電流 。 第 8 章 磁電式傳感器 寄生直流電勢 ：在外加磁場為零 、 霍爾元件用交流激勵時 ， 霍爾電極輸出除了交流不平衡電勢外 ， 還有一直流電勢 ， 稱為寄生直流電勢 。 寄生直流電勢一般在 1mV以下 ， 它是影響霍爾片溫漂的原因之一 。 霍爾輸出端接負載 RL,RL可是一般電阻或放大器的輸入電阻 、或表頭內(nèi)阻等 。 實際使用時 ,器件輸入信號可以是 I或 B，或者 IB,而輸出可以正比于 I或 B, 或者正比于其乘積 IB。主要為不等位電勢。 第 8 章 磁電式傳感器 RPRPRPRPR( a ) ( b ) ( c ) ( d )RPRPRPRPR( a ) ( b ) ( c ) ( d )RPRPRPRPR( a ) ( b ) ( c ) ( d )RPRPRPRPR( a ) ( b ) ( c ) ( d )第 8 章 磁電式傳感器 溫度誤差及補償方法 （ a） RH與溫度的關系 T/℃ 0 2 4 6 ρ/7 103Ω 這種結構的傳感器 ， 其動態(tài)范圍可達 5 mm， 分辨率為 。稱此種現(xiàn)象為磁致電阻變化效應 ， 簡稱為磁阻效應 。 ? ?220 BB ??? ??第 8 章 磁電式傳感器 二、磁敏二極管 結構 P N I r 區(qū) + 簡寫為 SMD。 當通以正向電流后就會在 P、 I、 N結之間形成電流 。 第 8 章 磁電式傳感器 I P N 工作原理 H=0 ← ← ← → → → 電子 空穴 復合區(qū) （ 1） 當磁敏二極管未受到外界磁場作用時 ， 外加正偏壓 ， 則有大量的空穴從 P區(qū)通過 I區(qū)進入 N區(qū) ， 同時也有大量的電子注入 P區(qū) 。 只有少量電子和空穴在 I區(qū)復合 。 H+ I P N 第 8 章 磁電式傳感器 （ 3） 當磁敏二極管受到外界磁場 H作用時 電子 、 空穴受到洛侖茲力作用而向 I區(qū)偏移 ， 由于電子 、空穴復合率明顯變小 ， 則電流變大 。 若 r區(qū)和 r區(qū)之外的復合能力之差越大 ， 那么磁敏二極管的靈敏度就越高 。 因而二極管兩端電壓不會因受到磁場作用而有任何改變 。顯而易見，基極電流大于集電極電流。 ?第 8 章 磁電式傳感器 （ 2）當受到 H＋ 磁場作用如圖，由于洛侖茲力作用，載流子向發(fā)射結一側偏轉，從而使集電極電流明顯下降。 ?HN+ c y e r x P+ b N+
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