電子元件檢驗要求分析-閱讀頁
2025-07-08 05:50本頁面
【正文】 APNP型鍺材料、BNPN型鍺材料、CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。P普通管、V微波管、W穩(wěn)壓管、C參量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光電器件、K開關(guān)管、X低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、G高頻小功率管（f3MHz,Pc1W）、D低頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、A高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、T半導體晶閘管（可控整流器）、Y體效應器件、B雪崩管、J階躍恢復管、CS場效應管、BT半導體特殊器件、FH復合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管※ 三極管分類1)按材料和極性分有硅/鍺材料的NPN與PNP三極管。3)按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關(guān)管、高反壓管、達林頓管、帶阻尼的三極管等。5)按制作工藝分有平面型三極管、合金型三極管、擴散型三極管?！?三極管引腳極性：插件引腳圖示（1），貼件引腳圖示（2）下圖為9014。金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和n+ 漏區(qū) D 之間形成導電溝道。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT ?！?場效應分類：場效應管主要有結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發(fā)射極（e）。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。場效應管的工作原理和三極管其本一樣，只是他們一個是壓控型元件，一個是電流控制元件，場效應管只有一個PN結(jié)，如圖所示11這是由于它的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。管子不用時，全部引線也應短接。測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。再把管腳分開，然后拆掉導線。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。雙柵MOS場效應管有兩個柵極GG2。 目前有的MOSFET管在GS極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了?！?集成電路：集成電路是一種采用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文為縮寫為IC，也俗稱芯片?！?集成電路分類：集成電路根據(jù)不同的功能用途分為模擬和數(shù)字兩大派別，而具體功能更是數(shù)不勝數(shù)，其應用遍及人類生活的方方面面。其封裝又有許多形式。消費類電子產(chǎn)品中用軟封裝的IC，精密產(chǎn)品中用貼片封裝的IC等。使用IC也要注意其參數(shù)，如 工作電壓，散熱等?！?集成電路型號：集成電路有各種型號，其命名也有一定規(guī)律。前綴表示集成電路的生產(chǎn)廠家及類別，后綴一般用來表示集成電路的封裝形式、版本代號等。LM386N是美國國家半導體公司的產(chǎn)品，LM代表線性電路，N代表塑料雙列直插。其它筒單集成電路：穩(wěn)壓IC、音樂IC、語音IC……
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