中國太陽能硅片之行業(yè)概況-閱讀頁
2025-07-07 05:57本頁面
【正文】 $/pc。、多晶間替換的“黃金交叉區(qū)”。圖表2：2015年7月－2017年12月單晶硅片價格走勢（單位：$/pc）資料來源：OFweek行業(yè)研究中心單晶硅片優(yōu)缺點分析◆單晶硅片優(yōu)點分析（1）單晶硅片材料優(yōu)勢單多晶的晶體生長工藝不同，單晶硅的晶面取向相同、無晶界，品質(zhì)優(yōu)異，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁雜、位錯密布，晶格缺陷增多，導致單晶硅片與多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學性能、機械性能方面與單晶相比有顯著差異。（2）單晶切片成本下降空間大單晶切片領(lǐng)域目前已普遍采用金剛線切片工藝，可以最大程度地發(fā)揮大切速、細線化、切薄片的技術(shù)優(yōu)勢，切割效率更高、硅損更低、出片率更高、硅片表面質(zhì)量更優(yōu)，從而使得金剛線單晶切片成本可以大幅度下降得更低。隨著未來金剛線母線線徑和硅片厚度下降，金剛線切割單晶硅片還有很大的成本下降空間。單晶硅片面臨的挑戰(zhàn)（1）單晶硅片的供給保障：電池、組件生產(chǎn)環(huán)節(jié)由于生產(chǎn)設(shè)備的相通性，通過適當?shù)剞D(zhuǎn)換設(shè)備，可以容易從多晶切換至單晶，因此電池、組件端的單晶供給具有保障，但上游的單晶硅片由于生產(chǎn)投資大，工藝技術(shù)具有差異性，對企業(yè)的資金、技術(shù)、人才等水平要求高，相對門檻較高，供給基本只能依靠隆基、中環(huán)等大型單晶硅片廠商的擴產(chǎn)速度。單晶硅片市場前景展望由于領(lǐng)跑者計劃之補貼并未優(yōu)于其他電站，對組件之采購價相對也不會太高，讓單、多晶投標廠商都較傾向以不加PERC技術(shù)的方式達標，一般單晶以47％的高占比拔得大同領(lǐng)跑者計劃第一期1GW頭籌。2016年單晶市占率將達到25％，2017年更是達到36％，預(yù)計2018年市占率將達到40－50％。2017年，保利協(xié)鑫通過自主試驗研發(fā)，成功突破金剛線切多晶改造難題，目前金剛線切多晶片比例已經(jīng)超過80%。雖金剛線切割不能直接提升效率，然可大幅降本，行業(yè)預(yù)計最高約26％。2016年開始，多晶硅片龍頭廠保利協(xié)鑫開始切換金剛線切割，產(chǎn)能于近期陸續(xù)釋放，與之配套的黑硅制程也持續(xù)加快，主要多晶龍頭阿特斯、晶科、天合、晶澳、海潤、晉能等陸續(xù)量產(chǎn)黑硅產(chǎn)線。圖表4：2015年7月－2017年12月多晶硅片價格走勢（單位：$/pc）多晶硅片優(yōu)缺點分析（1）多晶硅片的優(yōu)點：能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠，從制作成本比較，多晶硅片要便宜一些，材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，得到了大量發(fā)展，且目前多晶電池仍占據(jù)光伏行業(yè)的主導地位（70％的市占率）。），其使用壽命也比單晶硅太陽能電池短。一方面，作為位錯、晶界和雜質(zhì)最集中的微晶區(qū)域會顯著影響材料的電學性能，并最終影響電池性能；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和雜質(zhì)分布的不均勻性，造成單片多晶硅片性能上的明顯差別，研究表明，其少子壽命最低區(qū)域?qū)﹄姵匦阅芫哂袥Q定性的影響。此外，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。目前多晶硅太陽能電池的市場份額略高于單晶硅太陽能電池，依舊是光伏市場的主要產(chǎn)品，但其存在著電池結(jié)晶結(jié)構(gòu)較差的問題，應(yīng)當在提高性能的穩(wěn)定性上作進一步的研究。相比金剛線切割已經(jīng)在單晶硅片的生產(chǎn)中實現(xiàn)大規(guī)模的應(yīng)用，多晶的切片還是目前還是以砂漿切割為主。目前，金剛線切片用于多晶硅片切割的主要障礙在于使用金剛線切割的多晶硅片反射率更高，常規(guī)的多晶制絨工藝難以達到很好的效果。如果黑硅電池實現(xiàn)大范圍的量產(chǎn)，金剛線的應(yīng)用將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距，不過具體如何還有待市場的檢驗。
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