放大器的頻率響應(yīng)-閱讀頁
2025-05-31 05:10本頁面
【正文】 一大電阻驅(qū)動(dòng)，則它基本表現(xiàn)出電感的行為?！Т箅娙葚?fù)載的源跟隨器在階躍響應(yīng)中的減幅振蕩 共柵級(jí)――電流緩沖器 電路的零極點(diǎn)（a）所示的共柵放大器，(b)所示，圖中C＝Cgs1+Csb。而從分母可以直接看出共柵電路存在兩個(gè)極點(diǎn)，分別為： ?。ǎ 。ǎ? 如考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，則計(jì)算變得非常復(fù)雜。若由一個(gè)相對(duì)較大的阻抗來驅(qū)動(dòng)共柵級(jí)，則電路的輸出阻抗在高頻時(shí)會(huì)下降，這將在級(jí)聯(lián)電路中闡述?！∝?fù)載為二極管連接的級(jí)聯(lián) 密勒等效電路，電容CCC3分別為： () () ()根據(jù)KCL定理，： （）由上式可以看出，該電路存在一個(gè)零點(diǎn)：，在s平面的右半平面，電路存在著不穩(wěn)定性。典型的有：gm1=gm2，所以有：C1＝Cgs1+2Cgd1。 ，由第三章所的內(nèi)容可知，若M2的源極負(fù)載阻抗很大，則在A點(diǎn)看到的阻抗也會(huì)很大，然而總的傳輸函數(shù)則幾乎不受影響。(a) (b)(c) (a)推挽式CMOS放大電路；(b)圖(a)的高頻等效電路；(c)高頻等效電路的簡(jiǎn)化電路（b）、（c）中的G、C、Ci分別為： () () ()（c）的等效電路可以直接得到該電路的傳輸函數(shù)為： ()上式中分子為s的一階函數(shù)，因此該電路存在一個(gè)零點(diǎn)： ()上式表明：該零點(diǎn)在s平面的右半平面，電路存在著不穩(wěn)定性。即如果前級(jí)的輸出電阻足夠大時(shí)，ωp1為該電路的主極點(diǎn)，也即輸入極點(diǎn)。 CMOS全差分對(duì)（a）所示，可根據(jù)半邊電路概念對(duì)該電路進(jìn)行分析。(a) (b)(c) (a)CMOS全差分電路；(b)差分模式的半邊電路與共源級(jí)；(c)l圖(b)的小信號(hào)高頻等效電路（c）中C＝CL+Cdb1+Cdb4，同共源放大電路一樣，（c）求出電路的其傳輸函數(shù)為： （）上式的分子為s的一階函數(shù)，故該電路存在一個(gè)零點(diǎn)：sz=gm1/Cgd1，處于s平面的右半平面，電路存在不穩(wěn)定性。另外，由于+Vi/2與－Vi/2乘以同樣的傳輸函數(shù)，在Vo/Vi中的極點(diǎn)等于每一支路的極點(diǎn)(而不是兩條支路中的極點(diǎn)的總和)。而（）式的分母也是s的二階函數(shù)，因此還存在兩個(gè)極點(diǎn)，并且兩個(gè)極點(diǎn)都位于s平面的左半平面，其中一個(gè)極點(diǎn)取決于等效電容C，稱為輸出負(fù)載極點(diǎn)，而另一個(gè)極點(diǎn)取決于電容C1，稱為尾電流源極點(diǎn)?！?電流鏡為負(fù)載的差分對(duì)，該電路包含了差動(dòng)傳輸函數(shù)的兩條信號(hào)通路，不能用半邊電路概念來分析其高頻特性?！ ‰娏麋R為負(fù)載的差分對(duì)的典型電路 戴維南等效后的等效電路 ，且有： VQ=gmNroNVi，RQ=2roN，式中的下標(biāo)P與N分別指PMOS管與NMOS管，假定1/gmP roP，則節(jié)點(diǎn)A處的小信號(hào)電壓為： （）M4的小信號(hào)漏電流為gm4VA，且有： (）把式（）代入式（），可得：?。ǎ┎捎萌缤苍醇?jí)放大器求極點(diǎn)的同樣方法，由式（）式可以求出其主極點(diǎn)為： （）忽略式（）分母中的第一項(xiàng)并假設(shè)2gmProN1，則有： （）該極點(diǎn)正是負(fù)載極點(diǎn)。因此，該電路分為兩條信號(hào)線，對(duì)于負(fù)載線的傳輸方程為：A0/[(1+s/ωp1)(1+s/ωp2)]，而尾電流源線的傳輸方程為A0/(1+s/ωp1)，所以總的傳輸方程為： ?。ǎ┦剑ǎ┍砻髟趕平面的左半平面有一個(gè)值為2gmP/CA＝2ωP2的零點(diǎn)。在高頻時(shí)，其共模抑制比以20dB/10倍頻程下降。133 / 18
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1