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2025-05-21 06:19本頁(yè)面

　　

【正文】晶要 35倍，而且對(duì)材料的要求也比較低。多晶錠經(jīng)過剖錠、倒角、切片后直接就可以上電池線作電池。單晶的頭部含有大量的間隙態(tài)的氧雜質(zhì)，氧雜質(zhì)形成氧沉淀可以增強(qiáng)硅片的機(jī)械強(qiáng)度，但是也會(huì)影響硅片的電學(xué)參數(shù)。邊皮料 (從多晶錠上切下來的邊皮 ) 鍋底料 (拉制單晶硅棒結(jié)束時(shí)剩在石英坩堝內(nèi)的硅料 ) 單晶的堝低還有較高濃度的 C和金屬雜質(zhì)，回用的幾率較小。這種材料很蓬松，密度很低，而且在單晶 /多晶設(shè)備抽真空的階段，很容易揚(yáng)起來，粘到加熱器和電極上，對(duì)設(shè)備的損壞較大。 IC拋光單晶硅片 (晶圓 ) IC的晶圓的來源：第一不符合 IC晶圓要求的硅片；第二部分工藝后的廢片。這種的材料一般被用來拉制單晶，因?yàn)楸旧?IC級(jí)硅片的純度就很高，這種硅片用做單晶的材料，可以得到較高質(zhì)量的單晶棒。因?yàn)樵谇逑吹倪^程中難以清洗干凈，不適合拉制單晶，這種材料大部分用于鑄多晶。從純度上講： 1 金屬硅也稱為冶金級(jí)硅。 2 太陽能級(jí)硅這部分材料的純度在 6個(gè)“ 9”以上，一般來說邊皮、堝底、還有 IC的廢晶圓、生長(zhǎng)爐的粉狀料均可以作為太陽能級(jí)硅的原料進(jìn)行使用。謝謝大家?。?！

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