【正文】
f E le ct r o nC o n f in e m e n t o f P h o t o nQ u a n t u m w e lQ u a n t u m w ir eQ u a n t u m d o tn 2n2n2O p t ica l p la n a r w a ve g u id eO p t ica l f ib e rn1M icr o sp h e r e o p t ica l ca vi t yn 1 光子和電子的遂穿效應示意 Schematic representation of tunneling of photons and electrons n1 n n21Phot on t unneling Elect r on t unnelingWavefunctionE V Exx 集成電路芯片技術(shù)的理論基礎是什么? ( 1)電子能帶理論 — 電子在 周期勢場 中的運動 ( 2)泡利不相容原理 EG Conduction Band Valence Band E k E k EG (a) Direct Bandgap (eg. GaAs, InP, CdS) (b) Indirect Bandgap (eg. Si, Ge, GaP) 半導體、 金屬、 絕緣體 周期性介電材料具有光子能隙 光子晶體可分為一維、二維和三維。 2 D p e r i o d i c i n t w o d i r e c t i o n s 3 D p e r i o d i c i n t h r e e d i r e c t i o n s 1 D p e r i o d i c i n o n e d i r e c t i o n 一維: 眼鏡、 濾波器、 光纖光柵等 光子晶體 ? 光子晶體的基本特性是光子能隙,也就是某些光子晶體結(jié)構(gòu)會讓某些波長范圍的電磁波無法穿過光子