【正文】 ，NAPIERALSKIanaOoguesensorinCMOS technology．In：’95．[12]’sAnnualChip．[13] ARABIhumidforthermalofstructures．IEEEConference,1997,12：462467本次設(shè)計(jì)能夠順利完成，首先我要感謝我的母校大連海事大學(xué)，是她為我們提供了學(xué)習(xí)知識(shí)的土壤，使我們?cè)谶@里茁壯成長(zhǎng)。其次我要感謝電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的老師們，他們不僅教會(huì)我們專業(yè)方面的知識(shí)，而且教會(huì)我們做人做事的道理；尤其要感謝本次設(shè)計(jì)中給我大力支持和幫助的金老師，也就是我的指導(dǎo)老師，每有問題金老師總是耐心的解答，使我能夠充滿熱情的投入到畢業(yè)設(shè)計(jì)中去，還要感謝我的同學(xué)們他們熱心的幫助，還需感謝相關(guān)資料的編著和給予我們支持的社會(huì)各界人士，感謝你們?yōu)槲覀兲峁┮粋€(gè)良好的環(huán)境，使本次設(shè)計(jì)圓滿完成。大學(xué)四年來(lái)他們一直在背后默默地支持著、關(guān)心著、牽掛著我，給我精神上的鼓勵(lì)和安慰。附錄1includeincludedefine uchar unsigned chardefine uint unsigned intuchar code table[]=。uchar data display[2]={0x00,0x00}。sbit rs = P3^0。sbit DQ2 = P3^3。sbit led1 = P2^0。uchar data temp_data[2]={0x00,0x00}。/**********************我的延時(shí)函數(shù)********************************/void delay1ms(uint z){ uint x,y。x0。y0。 }/***********************ds18b20的延時(shí)函數(shù)**************************************/void delay_18B20(uint i){ while(i)。 DQ1 = 1。 delay_18B20(8)。 //單片機(jī)拉低總線 delay_18B20(80)。 //釋放總線，即拉高了總線　 delay_18B20(4)。 x= DQ1。}DS18B20_reset2(void)//編號(hào)2的ds18b20初始化{uchar x = 0。 //DQ復(fù)位,不要也可行。 //稍做延時(shí)　 DQ2 = 0。 //精確延時(shí)，維持至少480us DQ2 = 1。 //此處延時(shí)有足夠,確保能讓DS18B20發(fā)出存在脈沖。 delay_18B20(20)。 DQ3 = 1。 delay_18B20(8)。 //單片機(jī)拉低總線 delay_18B20(80)。 //釋放總線，即拉高了總線　 delay_18B20(4)。 x= DQ3。}/****************DS18B20寫命令函數(shù)************************///向1WIRE 總線上寫1個(gè)字節(jié)void write_byte1(uchar val)//編號(hào)1{ uchar i。i0。 //5 us DQ1=valamp。 //最低位移出 delay_18B20(5)。//66 us val = 1 。 uchar dat = 0。i0。 dat = 1。 if(DQ1) dat |= 0x80。 } return dat。 for(i=8。i) { DQ2=0。0x01。 DQ2=1。 }}uchar read_byte2()//編號(hào)2{ uchar i =0。 for(i=8。i) { DQ2 = 0。 DQ2 = 1。 delay_18B20(4)。}void write_byte3(uchar val)//編號(hào)3{ uchar i。i0。 //5 us DQ3=valamp。 delay_18B20(5)。//66 us val = 1 。 uchar dat = 0。i0。 dat = 1。 if(DQ3) dat |= 0x80。 } return dat。 DS18B20_reset1()。 //發(fā)命令 write_byte1(0x44)。 DS18B20_reset1()。 //發(fā)命令 write_byte1(0xbe)。 temp_data[0]=read_byte1()。 //讀溫度值的高字節(jié) temp1=temp_data[1]。 temp1=temp1|temp_data[0]。 tt=temp1*。 return temp1。 DS18B20_reset2()。 //發(fā)命令 write_byte2(0x44)。 DS18B20_reset2()。 //發(fā)命令 write_byte2(0xbe)。 temp_data[0]=read_byte2()。 //讀溫度值的高字節(jié) temp2=temp_data[1]。 temp2=temp2|temp_data[0]。 tt=temp2*。 return temp2。 DS18B20_reset3()。 //發(fā)命令 write_byte3(0x44)。 DS18B20_reset3()。 //發(fā)命令 write_byte3(0xbe)。 temp_data[0]=read_byte3()。 //讀溫度值的高字節(jié) temp3=temp_data[1]。 temp3=temp3|temp_data[0]。 tt=temp3*。 return temp3。 P1 = 。 en = 1。 en = 0。} /**************1602讀命令*********************************/void write_data(uchar date) { rs = 1。 delay1ms(5)。 delay1ms(5)。 delay1ms(5)。 write_(0x38)。 write_(0x38)。 write_(0x38)。 write_(0x0c)。 //同上q write_(0x01)。 //顯示的位數(shù)}/****************溫度數(shù)據(jù)處理函數(shù)************************///二進(jìn)制高字節(jié)的低半字節(jié)和低字節(jié)的高半字節(jié)組成一字節(jié),這個(gè)//字節(jié)的二進(jìn)制轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制后,就是溫度值的百、十、個(gè)位值,而剩//下的低字節(jié)的低半字節(jié)轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制后,就是溫度值的小數(shù)部分/********************************************************/void work_temp(uint tem){ uchar A0, A1,A2,A3,A4,A5。 tem=65536tem。0x0f。 A4 = tem4。 A2 = A4%100。 // 取十位數(shù)據(jù)暫存 write_data(table[A1])。 write_data(table[A0])。//小數(shù)點(diǎn) write_data(table[A5])。 else led1 = 1。 write_data(39。)。a39。 write_data(39。)。a39。 write_data(table[12])。 write_data(table[10])。 write_data(table[3])。 display[1] = temamp。 // 取小數(shù)部分的值 A5 = ditab[display[1]]。 // 取中間八位,即整數(shù)部分的值 A3 = A4/100。 A2 = A4%100。 // 取十位數(shù)據(jù)暫存 write_data(table[A1])。 write_data(table[A0])。//小數(shù)點(diǎn) write_data(table[A5])。 write_data(39。)。 else led1 = 1。 while(1) { DS18B20_reset1()。 //Skip ROM write_byte1(0x44)。 write_data(table[1])。 //處理溫度數(shù)據(jù),并顯示 delay1ms(3000)。 write_byte2(0xcc)。 //發(fā)轉(zhuǎn)換命令 write_(0x80+0x48)。 work_temp(read_temp2())。 DS18B20_reset3()。 //Skip ROM write_byte3(0x44)。 write_data(table[3])。 //處理溫度數(shù)據(jù),并顯示 delay1ms(300